高功率1.55μm半导体激光器

兵工学报 ›› 2000, Vol. 21 ›› Issue (1): 90-92.

高功率1.55μm半导体激光器

黎荣晖，赵英杰，晏长岭，钟景昌

长春光学精密机械学院，吉林长春，130022

收稿日期:1999-04-01 修回日期:1999-12-01 上线日期:2014-12-25
通讯作者: 黎荣晖
基金资助:
部级科技进步一等奖

High Power 1.55μm Semiconductor Laser

Li Ronghui, Zhao Yingjie, Yan Changling, Zhong Jingchang

Changchun Institute of Optics & Fine Mechanics, Changchun, 130022

Received:1999-04-01 Revised:1999-12-01 Online:2014-12-25
Contact: Li Ronghui

摘要/Abstract

摘要： 1. 55μm半导体激光器有很多突出的优点，但普通的双异质结激光器功率小，且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1. 55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中，用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过2W的1.55μm GaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度To为50～70K[1] ;而本文研制的大光腔结构为100～140K。激光器的寿命超过1 000h。

关键词: 半导体激光器 , 大光腔结构 , 液相外延

Abstract: The I. 55μm semiconductor laser has many distinctive special advantages, but the output power of ordinary double hetero-structure device is generally low and is dependent on temperature sensitively. Large optical cavity(LOC)is applied for the first time in a 1.55μm GaInAsP/ InP semiconductor laser, and the device obtained by liquid phase epitaxy techniques. The output power is over 2W, with a characteristics temperature (To) of the device 100?140K, while that of ordinary double hetero-structure laser devices can only attain 50?70K.Tlie lifetime of this LOC device is over 1000 hours.

Key words: semiconductor laser , large optical cavity(LOC) , liquid phase epitaxy(LPE)

黎荣晖，赵英杰，晏长岭，钟景昌. 高功率1.55μm半导体激光器[J]. 兵工学报, 2000, 21(1): 90-92.

Li Ronghui, Zhao Yingjie, Yan Changling, Zhong Jingchang. High Power 1.55μm Semiconductor Laser[J]. Acta Armamentarii, 2000, 21(1): 90-92.

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