| 岳强.a-Si/μc-Si叠层电池中间层材料SiO_x:H制备研究[J].光电子激光,2010,(2):231~234 |
| a-Si/μc-Si叠层电池中间层材料SiO_x:H制备研究 |
| Fabrication and research of SiO_x:H thin film as an interlayer in amorphous/microcrystalline silicon solar cells |
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| DOI： |
| 中文关键词: a-Si/μc-Si叠层太阳电池 中间反射层 SiOx:H薄膜 |
| 英文关键词:micromorph silicon tandem solar cells intermediate reflector doped silicon oxide |
| 基金项目:国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436,2009AA050602);;国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);;国家自然科学基金资助项目(60506003);;科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390);;天津科技支撑资助项目(08ZCKFGX03500);;教育部新世纪人才计划资助项目;;南开大学博士启动基金资助项目(J02031) |
| 岳强 |
| 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室; |
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| 中文摘要: |
| 为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx:H薄膜。 |
| 英文摘要: |
| To improve the stable efficiency of a micromorph silicon tandem solar cell,series of phosphorous doped silicon oxide films were fabricated by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD).By varying the influences of process parameters,such as the CO2/SiH4 gas flow ratio,deposition power and phosphorus doping ratio,on the material optical and electrical properties are discussed.The silicon oxide films whose properties can be controlled in a wide range are obtained. |
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