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首页 > 过刊浏览>2004年第23卷第3期 >172-175
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1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响
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TN204

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上海市科学技术委员会部分资助项目(011661082,OIQA14045)


INFLUENCE OF 1MEV ELECTRON IRRADIATION ON HgCdTe PHOTOCONDUCTVIE DETECTORS
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    研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响．通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数，结果发现经过电子辐照，器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动．在辐照剂量大于10^15／cm^2时，器件的室温电阻和响应率明显下降．探测率由于噪声的影响无明显变化趋势．

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引用本文

乔辉 贾嘉 陈新禹 李向阳 龚海梅.1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响[J].红外与毫米波学报,2004,23(3):172~175]. QIAO Hui, JIA Jia, CHEN Xin-Yu, LI Xiang-Yang, GONG Hai-Mei. INFLUENCE OF 1MEV ELECTRON IRRADIATION ON HgCdTe PHOTOCONDUCTVIE DETECTORS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(3):172~175.]

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  • 最后修改日期:2002-12-11
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