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| 高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟 | |
| 引用本文： | 李欢,牛萍娟,杨广华,李俊一,张宇,常旭,张秀乐.高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟[J].红外与激光工程,2008,37(3). |
| 作者姓名： | 李欢 牛萍娟 杨广华 李俊一 张宇 常旭 张秀乐 |
| 作者单位： | 1. 天津工业大学,信息与通信工程学院,天津,300160 2. 中国科学院,半导体研究所光电子研究发展中心,北京,100083 3. 河北工业大学,土木工程学院交通工程系,天津,300130 |
| 摘 要： | 介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性.设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8x10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想.采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结. |
| 关 键 词： | 光电探测器 锗硅 缓冲层 Silvaco |
Design and simulation of high Ge content PIN SiGe photo-detector |
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| LI Huan,NIU Ping-juan,YANG Guang-hua,LI Jun-yi,ZHANG Yu,CHANG Xu,ZHANG Xiu-le.Design and simulation of high Ge content PIN SiGe photo-detector[J].Infrared and Laser Engineering,2008,37(3). | |
| Authors: | LI Huan NIU Ping-juan YANG Guang-hua LI Jun-yi ZHANG Yu CHANG Xu ZHANG Xiu-le |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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