| 倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵强,罗一生,刘祚麟,马建福,张万里.倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 赵强 罗一生 刘祚麟 马建福 张万里 |
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| 摘 要： | 采用倒筒式射频溅射方法,在Pt、Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C.cM-2.K-7.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
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| 关 键 词： | BST 倒筒式 射频溅射 热释电系数 探测率 |
Influence of target self-bias in inverted cylindrical RF sputtering on the microstructure and electrical properties of Ba0.65Sr0.35TiO3 thin films |
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| ZHAO Qiang,LUO Yi-sheng,LIU Zuo-lin,MA Jian-fu,ZHANG Wan-li.Influence of target self-bias in inverted cylindrical RF sputtering on the microstructure and electrical properties of Ba0.65Sr0.35TiO3 thin films[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
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| Authors: | ZHAO Qiang LUO Yi-sheng LIU Zuo-lin MA Jian-fu ZHANG Wan-li |
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