| InAs基室温中波红外探测器的液相外延生长 |
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| 引用本文： | 陈泽中,段永飞,林虹宇,张振宇,谢浩,孙艳,胡淑红,戴宁.InAs基室温中波红外探测器的液相外延生长[J].红外与毫米波学报,2023,42(3):306-310. |
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| 作者姓名： | 陈泽中 段永飞 林虹宇 张振宇 谢浩 孙艳 胡淑红 戴宁 |
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| 作者单位： | 上海理工大学材料与化学学院，上海200093,上海理工大学材料与化学学院，上海200093,之江实验室，浙江 杭州311100,上海理工大学材料与化学学院，上海200093,中国科学院上海技术物理研究所，上海200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海200083;中国科学院大学杭州高等研究院，浙江 杭州310024 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （No.11933006）， the Frontier Science Research Project （Key Programs） of the Chinese Academy of Sciences （No. QYZDJ-SSW-SLH018）， the National Natural Science Foundation of China （No. U2141240） |
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| 摘 要： | 材料质量好坏对于获得高性能红外探测器至关重要。提出决定材料质量的关键点在于精准控制材料结构中层与层之间的晶格失配度，报道了晶格失配对材料质量和器件暗电流性能的影响。实验结论表明在液相外延技术生长的InAs/InAsSbP材料体系中，InAs和InAsSbP间的晶格失配不是越小越好，而是有一个最佳值。如果晶格失配偏离这个值，不管是偏大还是偏小，材料的质量都会恶化。阐述了如何调整生长参数以获得合适的晶格失配度。制备了具有适宜晶格失配度的红外探测器件，该探测器零偏压下的室温峰值探测率为6.8×109 cm Hz1/2W-1，与国际商用InAs探测器的指标相当。
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| 关 键 词： | 半导体四元合金 红外探测器 液相外延 晶格失配 |
| 收稿时间： | 2022/10/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/4/23 0:00:00 |
Liquid Phase Epitaxy (LPE) growth of the room-temperature InAs-based mid-infrared photodetector |
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| CHEN Ze-Zhong,DUAN Yong-Fei,LIN Hong-Yu,ZHANG Zhen-Yu,XIE Hao,SUN Yan,HU Shu-Hong and DAI Ning.Liquid Phase Epitaxy (LPE) growth of the room-temperature InAs-based mid-infrared photodetector[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2023,42(3):306-310. |
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| Authors: | CHEN Ze-Zhong DUAN Yong-Fei LIN Hong-Yu ZHANG Zhen-Yu XIE Hao SUN Yan HU Shu-Hong and DAI Ning |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconducting quaternary alloys infrared detector liquid phase epitaxy lattice mismatch |
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