| Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究 |
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| 引用本文： | 王东方,刘新宇. Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究[J]. 电子器件, 2009, 32(5): 859-863 |
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| 作者姓名： | 王东方 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(60890191)"宽禁带毫米波器件与电路研究" |
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| 摘 要： | 为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4μm左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义。
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| 关 键 词： | 氮化镓 AlGaN/GaN HEMT 高电子迁移率晶体管 Ka 波段 仿真 |
Simulation on Gate Structure of Ka Band AlGaN/GaN HEMT |
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| WANG Dongfang,LIU Xinyu. Simulation on Gate Structure of Ka Band AlGaN/GaN HEMT[J]. Journal of Electron Devices, 2009, 32(5): 859-863 |
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| Authors: | WANG Dongfang LIU Xinyu |
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| Affiliation: | WANG Dongfang1,2,LIU Xinyu1(1.Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Scienses,Beijing 100029,China,2.Graduated University of Chinese Academy of Scienses,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT |
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