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| 基于Saber的一种简化LDMOS静态物理模型 | |
| 作者姓名： | 靳辉凯 鲍嘉明 |
| 作者单位： | 北方工业大学信息工程学院微电子系; |
| 摘 要： | 通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型。在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程。特别是,根据Saber软件建模要求,将其改造成为适用于Saber的一个LDMOS模型,该模型能够嵌入到Saber进行电路仿真。 |
| 关 键 词： | 横向双扩散MOS 物理模型 解析方法 |
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