| 氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘文婷,刘正堂,闫锋,田浩,刘其军.氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响[J].硅酸盐通报,2010,29(5). |
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| 作者姓名： | 刘文婷 刘正堂 闫锋 田浩 刘其军 |
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| 基金项目： | 西北工业大学基础研究基金资助 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 HfO2薄膜 界面层 电学性能 |
Influence of Oxygen Atmosphere on Electrical Properties of Magnetron Sputtered HfO2 Thin Films |
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| LIU Wen-ting,LIU Zheng-tang,YAN Feng,TIAN Hao,LIU Qi-jun.Influence of Oxygen Atmosphere on Electrical Properties of Magnetron Sputtered HfO2 Thin Films[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2010,29(5). |
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| Authors: | LIU Wen-ting LIU Zheng-tang YAN Feng TIAN Hao LIU Qi-jun |
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