| 一种新型高精度CMOS电压基准源 |
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| 引用本文： | 彭伟,谢海情,邓欢.一种新型高精度CMOS电压基准源[J].电子器件,2007,30(3):863-865. |
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| 作者姓名： | 彭伟 谢海情 邓欢 |
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| 作者单位： | 1. 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082
2. 湖南大学,计算机与通信学院,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,基于BSIM3V3模型,利用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明:当电源电压VDD=1.2 V时,其温度系数仅为28×10-6/℃.
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| 关 键 词： | 基准电压源 PTAT电流 温度系数 CMOS |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）03-0863-03 |
| 修稿时间： | 2006-07-05 |
New High Precision CMOS Voltage Reference |
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| PENG Wei,XIE Hai-qing,DENG Huan.New High Precision CMOS Voltage Reference[J].Journal of Electron Devices,2007,30(3):863-865. |
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| Authors: | PENG Wei XIE Hai-qing DENG Huan |
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| Affiliation: | 1.School of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha 410082, China ;2.School of Computer and Communication, Hunan University, Changsha 410082, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | voltage reference PTAT current temperature coefficient CMOS |
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