首页
|
官方网站
微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Pt/Ta2O5/HfO2−x/Ti Resistive Switching Memory Competing with Multilevel NAND Flash
Authors:
Jung Ho Yoon
Kyung Min Kim
Seul Ji Song
Jun Yeong Seok
Kyung Jean Yoon
Dae Eun Kwon
Tae Hyung Park
Young Jae Kwon
Xinglong Shao
Cheol Seong Hwang
Affiliation:
1. Department of Materials Science and Engineering and Inter‐university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, Korea;2. Hewlett‐Packard Laboratories, Hewlett‐Packard Company, Palo Alto, CA, USA
Abstract:
Keywords:
electroforming‐free
multilevel switching
resistive switching memory
self‐rectifying
uniformity
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号-23
京公网安备 11010802026262号