| InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术 |
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| 引用本文： | 龚燕妮, 杨文运, 杨绍培, 范明国, 褚祝军. InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 511-514. |
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| 作者姓名： | 龚燕妮 杨文运 杨绍培 范明国 褚祝军 |
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| 作者单位： | 北方夜视技术股份有限公司,云南昆明 650223;北方夜视科技集团有限公司,云南昆明 650223;北方夜视科技集团有限公司,云南昆明,650223 |
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| 基金项目： | 云南省基础研究重大项目 |
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| 摘 要： | 采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响.初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺.利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10 mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10-8 A.
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| 关 键 词： | InP/InGaAs探测器 ICPCVD 氮化硅 |
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