| SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧的界面行为 |
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| 引用本文： | 刘 多,牛红伟,宋晓国,冯吉才,赵洪运.SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧的界面行为[J].焊接学报,2017,38(10):39-42. |
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| 作者姓名： | 刘 多 牛红伟 宋晓国 冯吉才 赵洪运 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学(威海)山东省特种焊接技术重点实验室,威海 264209;2. 哈尔滨工业大学(威海)山东省特种焊接技术重点实验室,威海,264209;3. 哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，山东省自然科学基金资助项目，哈尔滨工业大学科研创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用AgCu/Ni复合中间层钎焊SiO2陶瓷与TC4合金，形成良好接头；采用组织均匀，熔点为909.1℃的自制AgCuTiNi活性钎料对SiO2陶瓷进行钎焊，形成良好接头. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析(XRD)等手段对上述两种钎焊试件的界面组织进行分析，研究Ti元素的活度对SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧界面行为的影响. 结果表明，TC4/AgCu/Ni/SiO2陶瓷接头的典型界面结构为TC4合金/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷；AgCuTiNi/SiO2陶瓷试件的典型界面结构为Ti2(Cu,Ni)/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷. 钎焊温度为970℃，保温时间相同时，随着Ti元素活度的增强SiO2陶瓷侧反应层厚度明显增加. 钎焊温度为970℃，Ti元素活度相同时，随着保温时间的延长，SiO2陶瓷侧反应层厚度增加.
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| 关 键 词： | SiO2陶瓷 TC4合金 活性钎料 钎焊 界面结构 |
| 收稿时间： | 2015/11/24 0:00:00 |
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