|
|||||
|
|
| 一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟 | |
| 作者姓名： | 刘运龙 刘新宇 韩郑生 海潮和 钱鹤 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
| 摘 要： | 提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现.模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应,漏端击穿电压也有显著提高.这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容. |
| 关 键 词： | 绝缘体上的硅 nMOS场效应晶体管 浮体效应 体接触 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |