| 基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究 |
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| 引用本文： | 雷剑梅,胡盛东,朱志,武星河,罗俊,谭开洲.基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究[J].微电子学,2014(1). |
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| 作者姓名： | 雷剑梅 胡盛东 朱志 武星河 罗俊 谭开洲 |
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| 作者单位： | 重庆大学通信工程学院;中国电子科技集团公司第二十四研究所; |
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| 基金项目： | 重庆市自然科学基金资助项目(cstcjjA40008);中央高校基本科研业务费科研专项自然科学类项目(CDJZR11160002);中国博士后科学基金面上资助项目(2012M511905);中国博士后科学基金特别资助项目(2013T60835) |
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| 摘 要： | 详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n+层,当器件处于反向阻断状态时,高浓度n+区部分耗尽,漏端界面处已耗尽n+层内的高浓度电离施主正电荷可增强介质层电场,所产生的附加电场将调制漂移区内的电场,防止器件在漏端界面处被提前击穿,从而可在较薄的埋氧层(BOX)上获得较高耐压。在0.4μm BOX上获得了624V的耐压。与几种SOI器件相比,所提出的TLTS LDMOS器件具有较高优值(FOM)。
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| 关 键 词： | 埋氧层 绝缘体上硅 高压器件 |
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