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| TFT-LCD摩擦工艺过程中静电放电不良分析及改善设计 | |
| 引用本文： | 王国磊,陈鹏,李恒滨,王景棚,杜化鲲,马力,宋红花,王勇辉,张熠点,李宁.TFT-LCD摩擦工艺过程中静电放电不良分析及改善设计[J].液晶与显示,2019(8). |
| 作者姓名： | 王国磊 陈鹏 李恒滨 王景棚 杜化鲲 马力 宋红花 王勇辉 张熠点 李宁 |
| 作者单位： | 合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 摘 要： | 本文对摩擦工艺过程中的线不良进行了分析,通过切割验证、设计方案变更验证了降低ESD风险的两个方向。通过实际的验证结果分析发现,减小填充图形的面积或者将填充图形连接到公共电极,同时搭配填充图形到信号线的距离增加到大于60μm,可以大大降低静电放电发生的概率,不良率由20%降低到0%。结果充分表明,此设计方案可应用于实际产品设计中以降低摩擦工艺过程中的ESD风险。 |
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