| AlGaN/GaN异质结紫外探测器 |
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| 引用本文： | 陈俊,许金通,李雪,陈亮,赵德刚,李向阳.AlGaN/GaN异质结紫外探测器[J].红外与激光工程,2007,36(6). |
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| 作者姓名： | 陈俊 许金通 李雪 陈亮 赵德刚 李向阳 |
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| 摘 要： | 采用P-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱.对于Al分为0.1的器件,在零偏压处出现了极低的暗电流密度,表明器件具有非常高的信噪比.高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明,高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差,导致暗电流增大,而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段.
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| 关 键 词： | p-i-n GaN 光谱响应 AlGaN 异质结 紫外探测器 based photodetector 波段 响应率 选择作用 窗口层 暗电流密度 晶体质量 薄膜材料 测试结果 衍射仪 射线 高分辨率 信噪比 偏压 器件 响应光谱 |
UV photodetector based on AlGaN/GaN heterojunction |
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| CHEN Jun,XU Jin-tong,LI Xue,CHEN Liang,ZHAO De-gang,LI Xiang-yang.UV photodetector based on AlGaN/GaN heterojunction[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(6). |
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| Authors: | CHEN Jun XU Jin-tong LI Xue CHEN Liang ZHAO De-gang LI Xiang-yang |
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