| 320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 |
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| 引用本文： | 史衍丽.320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器[J].红外与激光工程,2008,37(1):42-44. |
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| 作者姓名： | 史衍丽 |
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| 作者单位： | 昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心,云南,昆明,650215 |
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| 摘 要： | 采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料，反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀，制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器，像元中心距30 μm，像元光敏面28 μm×28 μm，两像元间距2 μm，达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试，平均黑体探测率1.66×109 cm·Hz/W-1，响应率89.6 mA/W。
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| 关 键 词： | 320×256 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率 |
| 文章编号： | 1007-2276(2008)01-0042-03 |
| 收稿时间： | 2007/4/10 |
| 修稿时间： | 2007年4月10日 |
320×256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector |
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| SHI Yan-li.320×256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector[J].Infrared and Laser Engineering,2008,37(1):42-44. |
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| Authors: | SHI Yan-li |
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| Affiliation: | Detector Departement, Kunming North Infrared Technology Co. Ltd., Kunming 650223,China |
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| Abstract: | 320×256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector was fabricated successfully for the first time. The active sensitive area was 28 μm×28 μm，center distance was 30 μm. Through measuring the tested detector elements, average black detectivity of 1.66×109 cm·Hz1/2·W-1 and black responsivity of 89.6 mA/W was obtained. |
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| Keywords: | 320×256 GaAs/AlGaAs Quantum well infrared photodector Blackbody detectivity Responsivity |
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