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太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述
引用本文:王明红,薛谦忠,刘濮鲲.太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述[J].电子与信息学报,2008,30(7):1766-1772.
作者姓名:王明红  薛谦忠  刘濮鲲
作者单位:1. 中国科学院电子学研究所,北京100190;聊城大学物理科学与信息工程学院,聊城252059
2. 中国科学院电子学研究所,北京,100190
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:太赫兹真空电子器件具有输出功率高、可在常温下工作等优点,它在军用、民用领域有着广泛的应用前景.本文介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状,并对其今后发展趋势作了相应的评述.

关 键 词:真空电子器件  高功率微波  太赫兹源  太赫兹波应用  太赫兹  真空电子器件  研究  现状  发展评述  Development  Devices  Electronic  Vacuum  趋势  技术水平  前景  应用  工作  输出功率
收稿时间:2007-6-1
修稿时间:2008-3-19

Review of THz Vacuum Electronic Devices and Development
Wang Ming-hong,Xue Qian-zhong,Liu Pu-kun.Review of THz Vacuum Electronic Devices and Development[J].Journal of Electronics & Information Technology,2008,30(7):1766-1772.
Authors:Wang Ming-hong  Xue Qian-zhong  Liu Pu-kun
Affiliation:Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;School of Physics Science and Information Engineering, Liaocheng University, Liaocheng 252059, China
Abstract:THz Electronic devices have the virtue of high power radiation, operating at normal temperature. They have potential applications in military, civil areas. This paper introduces in detail the recent development techniques and applications of THz electronic deivces, and gives some remarks on the developing trend of THz electronics devices.
Keywords:Vacuum electronic devices  High power microwave  THz Sources  Application of THz wave
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