基于CSRR-QMSIW谐振器的双通带滤波器的设计

为满足滤波器在双频带通信系统中发展的要求,提出了一种基于1/4模基片集成波导(QMSIW)加载互补开口谐振环(CSRR)的新型双通带滤波器。根据CSRR谐振器的传输特性,实现以其谐振频点为中心的第一个通带;设计QMSIW谐振腔的边长,实现以该腔体谐振频点为中心的第二通带;设计QMSIW腔体间的耦合方式,在两通带之间和高阻带处各引入一个传输零点,加强两通带隔离度和带外抑制。设计了一款两通带的中心频率分别为8.1 GHz和11.5 GHz,且有效尺寸仅为15 mm×8 mm,插入损耗低于0.4 dB,高阻带衰减达64 dB,两通带隔离度达46 dB。     

应用于WLAN的加载对称H型枝节的双通带滤波器

提出了一种新型的可直接应用于无线通信WLAN 的双通带微带滤波器。该滤波器通过在开环阶梯阻抗谐振器(SIR)上加载对称H 型枝节的方式,实现其良好的双通带特性。对滤波器结构进行加工与实测,实测结果与仿真结果吻合良好。实测结果表明,该滤波器两个通带的中心频率分别位于2.4GHz 和5.2GHz,满足WLAN(IEEE-802.11a/b/g)的应用需求。最后加工得到的滤波器尺寸为33.06mm×13.23mm,相对尺寸为0.26λg×0.10λg,具有小型化的特点。     

双层基片集成波导双通带滤波器设计

根据频率变换法的双通带滤波器综合理论,采用矩形基片集成波导谐振腔作为基本谐振单元,通过谐振器之间直接耦合设计了一种双层结构的双通带基片集成波导滤波器,利用Ansoft HFSS建立滤波器模型并进行全波仿真。仿真结果表明,两个通带内回波损耗均大于20 dB,插入损耗小于0.5 dB,通带之间的阻带衰减特性良好,同时其尺寸压缩了约50%,较好地实现了滤波器的小型化,满足了工程需要的技术指标。     

双层基片集成波导双通带滤波器设计

根据频率变换法的双通带滤波器综合理论,采用矩形基片集成波导谐振腔作为基本谐振单元,通过谐振器之间直接耦合设计了一种双层结构的双通带基片集成波导滤波器,利用Ansoft HFSS建立滤波器模型并进行全波仿真。仿真结果表明,两个通带内回波损耗均大于20 dB,插入损耗小于0.5 dB,通带之间的阻带衰减特性良好,同时其尺寸压缩了约50%,较好地实现了滤波器的小型化,满足了工程需要的技术指标。     

基于开路T型结构的小型化超宽阻带滤波器设计

传统滤波器由于寄生通带的存在,其高频阻带性能较差。随着超宽带雷达系统和超宽带通信系统的发展,小型化宽阻带的滤波器已成为一项紧迫的技术课题。该文论述了一种普适性的基于开路T型结构的小型化超宽阻带滤波器结构,这种滤波器和传统滤波器相比,结构极为紧凑,5倍基频范围内的寄生通带均被抑制,而通带性能保持良好。基于此结构实际制作了一个截止频率为2.9 GHz的低通滤波器,测量得到的通带内平均插入损耗仅0.67 dB,带内平均驻波比为1.33,过渡带陡峭,40 dB矩形系数仅1.096,而所测得的阻带从3.23 GHz到10.30 GHz之内谐波抑制大于36 dB,从10.30 GHz到15 GHz之内谐波抑制大于27 dB;该滤波器的长度仅为传统的同类型滤波器的长度的37.1%,面积大大减小。仿真和测量结果表明该类型滤波器同时满足了小型化和宽阻带的性能需求。     

基于T型枝节加载SIR的双频微带滤波器的设计

针对当前通信系统需要滤波器支持多频段、小型化和高性能等要求,提出了一种基于T型枝节加载SIR的频率独立可控双频微带滤波器结构。针对该谐振器,利用提出的特殊电耦合结构实现滤波器的小型化,并引入零度馈电结构构造传输零点来改善阻带抑制,最终得到覆盖WLAN 2.4 GHz和WLAN 5.2 GHz两个频段且占用尺寸仅为16.5 mm×21.7 mm的双频微带带通滤波器。由仿真结果显示,两个通带的中心频率分别为2.45 GHz和5.2 GHz,带内最小插入损耗分别为0.35 dB和0.47 dB,带内最小回波损耗分别为-44 dB和-34.8 dB,3 dB相对带宽分别为28.9%和11.3%,阻带抑制也因引入三个传输零点而大大改善。该滤波器结构整体尺寸小、插损低、频带宽且带外抑制特性好,具有一定的实际应用价值。     

小型化宽阻带微带带通滤波器的设计

提出一种小型化宽阻带微带带通滤波器,采用半波长阶跃阻抗谐振器结构,且在不相邻的谐振器之间引入交叉耦合,从而在滤波器的阻带上产生了2个传输零点,使阻带抑制在3.95~13.27 GHz小于-20 dB,使寄生通带在中心频率的3.92倍处。滤波器的最终尺寸仅为12.2 mm×11.5 mm,即0.21λg×0.2λg,相比于传统的发夹型滤波器,此滤波器的体积减小了63.5%,而且实测的结果与仿真结果达到了较好的一致性。所提出的滤波器具有更宽的带外抑制,更小的尺寸,且设计简单,在工程领域具有实际的应用价值。     

基于SISL的介质填充双通带滤波器设计

为实现滤波器的小型化,基于介质集成悬置线(substrate integrated suspended line, SISL)结构提出了一种介质填充双通带滤波器的设计方案. 首先将高介电常数的介质块填充入SISL的空气腔中,提升SISL的等效介电常数,实现电路的小型化,高介电常数介质块可以直接被SISL固定;然后利用T型结连接两组工作在不同频段的滤波器从而使得两个通带相对独立;最后利用仿真软件进行优化,确定介质填充双通带滤波器的尺寸,并进行加工与测试. 仿真与测试结果表明,二者具有较好的一致性,两个通带频率内的回波损耗均优于15 dB,电路的核心尺寸为0.058λ_g×0.139λ_g(λ_g为SISL在第一通带中心频率处的导波波长). 此双通带滤波器具有小尺寸、自封装等优势,且所有层介质基板均采用低成本的FR4板材,降低了制造成本.     

基于双同轴阶梯阻抗谐振单元的平衡带通滤波器北大核心CSCD

本文介绍了一种基于阶梯阻抗谐振器(SIR)的双同轴谐振单元(TCR),并基于此构建了一个具有宽阻带和高共模抑制能力的二阶平衡带通滤波器。双同轴谐振器的单腔由两个阶梯阻抗谐振器构成。在这种情况下,基模用于构建差分通带,而第二个模式则用作共模抑制。本文主要提出了一个二阶带通平衡滤波器,该滤波器中心频率为1.17GHz,插入损耗为0.18 dB,3-dB相对带宽为6.3%,共模抑制超过65 dB。此外,谐波出现的位置约为基模频率的3.7倍,优于普通同轴谐振器的谐波水平。     

一种新型小型化宽阻带低通滤波器设计

对基于阶梯阻抗加载发卡型谐振器的多级椭圆函数微带滤波器进行了讨论.通过把两个谐振器用等效于电感的细微带线连接起来构成二级低通滤波器,其在阻带带宽和阻带衰减方面与单谐振器滤波器相比,取得了非常明显的改善.新设计滤波器的3dB截止频率位于2GHz,在2.5～25GHz具有小于10dB的衰减,而滤波器的面积仅等效于0.081λg×0.096λg(λg是在截止频率2GHz的导波波长),证明了此种谐振器在多级滤波器设计中的有效性.此外,为更好地理解此种滤波器工作原理,文中对单谐振单元滤波器的LC等效电路进行了提取.与其它微带低通滤波器相比,此种滤波器在小型化、宽阻带方面具有明显优势,可广泛应用于多种微波系统.     

面向卫星通信的内导体非接触同轴接头设计方法

针对无源互调(PIM)严重影响卫星通信系统性能和稳定性问题,提出了一种利用内导体非接触式结构实现低PIM的同轴接头设计方法。设计并实现了2款分别工作在S波段和C波段的内导体非接触式同轴接头：S波段的内导体非接触式同轴接头在2.1~2.7 GHz下实测|S₁₁|<-30 dB,通带内插入损耗小于0.3 dB;C波段的内导体非接触式同轴接头在3.5~4.2 GHz下实测|S₁₁|<-30 dB,通带内插入损耗小于0.2 dB。该改进型同轴接头设计方法为卫星通信系统的微波连接器的设计提供了重要的参考价值和新的研究思路。     

双轴同轴型微波介质滤波器的仿真与设计

在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上,利用理论公式计算与HFSS10.0三维有限元仿真的混合设计方法,设计了满足性能要求(插入损耗为–3dB以上;–3dB带宽为18MHz以上)的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明,该设计方法正确可行,测试结果与仿真结果有很好的一致性,最终设计出的滤波器插入损耗为–2.83dB,–3dB带宽为35MHz。     

Design of a compact microstrip tunable dual-band bandpass filter

A novel microstrip tunable dual-band bandpass filter with high attenuation level in the upper stopband region is presented. The proposed structure comprises of T-shaped resonators and the coupled microstrip feeding lines. To reach a compact size, the feeding lines are bended. By altering the physical lengths, the characteristics of BPF can easily tune. So, the operational frequencies of the filter can be adjusted and has been fixed to 2.1 GHz and 2.63 GHz, which are applicative for 3G and 4G systems. The insertion-losses of the first and second pass-bands are only 0.68 dB and 1.08 dB, respectively. The undesired harmonics in the upper stopband, with an excellent attenuation level of −38 dB, are rejected up to 6.65 GHz. The results exhibit high return loss of 19.3 dB and 30.7 dB in the first and second pass-bands. The proposed circuit has been fabricated and tested that the obtained results are well close to the simulations results. The total size of the designed circuit is only 16.4 × 13.4 mm².     

一种低通带波纹的EBG带阻滤波器

分析了串联加载的电磁带隙结构(EBG)带阻滤波器的通带波纹,比较了电容、电感和并联谐振加载的影响,设计和制作了一种低通带波纹的EBG带阻滤波器。该结构共有4个周期,通过在微带线的接地面上蚀刻螺旋形结构来实现。滤波器的中心频率为2.44GHz,阻带中心衰减大于50dB,相邻通带内的波纹小于0.29dB。仿真结果与试验结果相吻合,说明了分析和设计的正确性。     

C/S波段低损耗LTCC双工器小型化设计

设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的小型化低损耗双工器。该双工器采用经典的LC结构,由S波段低通滤波器(LPF)和C波段带通滤波器(BPF)组成。在两路滤波器分支中加入串联及并联谐振形成传输零点来增加两个通带的抑制。经过电磁仿真优化,实际加工双工器的测试结果与软件仿真结果吻合。其中低通端插损小于0.35 dB,高通端插损小于0.6 dB,且在要求的频段内有着较好的抑制。该小型化双工器已在一些WLAN模块中得到应用。     

A single-chip GaAs MMIC image-rejection front-end for digitalEuropean cordless telecommunications

An active image-rejection filter is presented in this paper, which applies actively coupled passive resonators. The filter has very low noise and high insertion gain, which may eliminate the use of a low-noise amplifier (LNA) in front-end applications. The GaAs monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) chip area is 3.3 mm² . The filter has 12-dB insertion gain, 45-dB image rejection, 6.2-dB noise figure, and dissipates 4.3 mA from a 3-V supply. An MMIC mixer is also presented. The mixer applies two single-gate MESFETs on a 2.2-mm² GaAs substrate. The mixer has 2.5-dB conversion gain and better than 8-dB single-sideband (SSB) noise figure with a current dissipation of 3.5 mA applying a single 5-V supply. The mixer exhibits very good local oscillator (LO)/RF and LO/IF isolation of better than 30 and 17 dB, respectively, Finally, the entire front-end, including the LNA, image rejection filter, and mixer functions is realized on a 5.7-mm ² GaAs substrate. The front-end has a conversion gain of 15 dB and an image rejection of more than 53 dB with 0-dBm LO power. The SSB noise figure is better than 6.4 dB, The total power dissipation of the front-end is 33 mW. The MMIC's are applicable as a single-block LNA and image-rejection filter, mixer, and single-block front-end in digital European cordless telecommunications. With minor modifications, the MMIC's can be applied in other wireless communication systems working around 2 GHz, e.g., GSM-1800 and GSM-1900     

一种低插入损耗的180 GHz腔体滤波器

基于H形感性窗结构设计了一款低插入损耗的8阶波导腔太赫兹滤波器。经Ansoft HFSS对滤波器进行仿真优化后,滤波器采用传统的数控铣进行实物加工。测试结果表明：滤波器的中心频率位于179.1 GHz,1 dB相对带宽为8.7%。滤波器中心频率处的插入损耗为0.34 dB,回波损耗优于18.9 dB。所设计的太赫兹腔体滤波器具有低插入损耗、高选择性、高带外抑制等优点,可以满足太赫兹通信系统的要求。     

微型化Ka波段环形带线谐振腔LTCC带通滤波器

提出了一种微型化Ka频段带线带通滤波器设计方案.采用带有调谐枝节的环形谐振腔和带线耦合结构,利用低温共烧陶瓷(LTCC)技术设计并研制了一个相对带宽约10.4%的Ka频段带通滤波器,典型性能为在中心频率26.99 GHz处插入损耗小于1.3 dB,带内驻波比小于1.20:1,损耗起伏小于0.30 dB,滤波器的尺寸为4...     

基于GaAs pHEMT工艺的Ka频段双通道开关滤波器芯片

传统的毫米波开关滤波器组件通常基于分立器件或分立芯片,已无法满足快速发展的毫米波频段通信系统特别是5G通信系统的小型化、轻量化需求。为此,文中采用0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计并实现了一款工作在Ka频段的双通道开关滤波器芯片。芯片内部集成了单刀双掷开关和梳状线型带通滤波器,相较于只使用ADS软件设计整个芯片,通过使用HFSS软件建立了更为准确的芯片衬底模型,并使用该模型对滤波器电路进行设计,提高了滤波器电路的仿真精度。最终,开关滤波器芯片的尺寸为3.3mm×2.6mm,测试结果显示:该芯片两个通道在通带内的插入损耗小于7dB,带内回波损耗优于15 dB,典型带外抑制优于35 dB,测试结果与仿真结果吻合较好。