集成电路掩模版图的一个数学模型

集成电路掩模版图(简称“版图”),多可划分为一些矩形单元,整个版图,由这些矩形单元组合而成。若版图中有曲线形,也可由矩形组合代替之。我院的SDS—1电子束曝光机,是在SK—2电子计算机控制下进行掩模版的曝光制版。每一曝光单元为一矩形,每一矩形需存储四个参数,整个版图的数据要占用大量的存储单元。并且,数据编排,纸带穿孔等机外工作量很大,出错机会多。因此,使尽可能多     

电子束曝光图形发生器

电子束曝光图形发生器电子束曝光是微电子器件和航天特种器件发展的关键技术，是微米和纳米技术发展的核心，成为当前及下世纪ＭＥＭＳ和ＡＳＩＭ发展的基础，是高科技多学科的综合技术。图形发生技术就是其中的关键技术之一，它直接影响电子束曝光的功能和精度。图形发生...     

电子束曝光机激光精密定位

本定位系统是为了满足用‘电子束’制作大规模集成电路及其它面积大、分辨率高的掩模版而设计的,具有精度高、自动定位功能。定位中应用计算机进行数据计算和控制运行,利用修改起始点座标的方式对运行误差进行补偿。本文讨论了设计与调整要求,并对系统误差进行了分析。     

MEMS的细电子束液态曝光技术研究

提出了可用于微机电系统加工的细电子束液态曝光技术。对该工艺的曝光方式、真空度需求、抗蚀剂选择以及能量和剂量需求等问题进行了理论分析和实验研究。研究结果表明,在高于1.33×10-2Pa的真空度下、采用曝光机内部曝光的方式,电子束曝光机所提供的电子束的能量和剂量可以满足环氧618等液体抗蚀剂固化需求的结论;并采用SDS II型曝光机在5×10-3Pa的系统真空度、25 kV加速电压、3μC/cm2曝光剂量的条件下,成功地固化了3μm厚的环氧618液体,固化的图形结构与设计的图形基本一致,固化精度约为0.1μm,侧壁的陡直度较好。证明了细电子束液态曝光技术是可行的。电子束液态曝光技术具有可加工高精度、高分辨率、任意高深宽比三维微结构以及控制灵活等优势,但由于使用束斑为几个纳米的电子束来固化抗蚀剂,因而其最大缺点就是生产效率低,故该技术最适用于制作三维微结构模板。     

激光全息术制造半导体器件生产用光刻掩模

在制造某特定半导体器件或集成电路时所用的整套光刻掩模版通常包括好几块(例如6块),按工艺流程的前后次序分别称为一次版、二次版、……。每次版都是某个图案(下面称之为单元电路)的大量重复像(例如数百个到上千个)。它们必须满足下列要求:(1)重复像的中心距必须严格一致,否则就可能造成各次版无法套准而不能使用;(2)像的可分辨     

电子束曝光的邻近效应校正及显影模拟

将付里叶变换法运用于电子束曝光的邻近效应校正中,形成了快速、准确的剂量校正法。给出了描述预校正剂量和有效曝光剂量计算结果的三维图形。在电子束曝光胶图形的三维显影模拟工作中,首次使用了最精确的三维线踪模型。     

电子束抗蚀剂反差的计算

为了更精确地确定电子束抗蚀剂的反差，借助优化的电子散射模型，利用改进的Monte Carlo算法模拟了电子束在固体中的散射过程，得到了不同曝光条件下抗蚀剂中的能量沉积分布，再结合电子的空间分布密度函数，根据反差的定义，提出了一种计算电子束抗蚀剂反差的简单模型，计算结果与实验结果基本一致．对不同曝光条件的反差计算显示，随着电子初始能量的增加，反差值减小，随着抗蚀剂厚度的增加，反差值增大．     

SDS-2电子束曝光机束闸线路

束闸线路又称光闸线路,是电子束曝光机上的一个部件。其功能是在计算机的控制下,把由计算机输入的高频低压数字信号转换成高压输出,作用在束闸上,形成一个瞬间变化的电场来控制电子束流的有无。在电子束制版中,束闸线路工作频率低会影响制版速度,输出     

电子束抗蚀剂反差的计算

为了更精确地确定电子束抗蚀剂的反差，借助优化的电子散射模型，利用改进的Monte Carlo算法模拟了电子束在固体中的散射过程，得到了不同曝光条件下抗蚀剂中的能量沉积分布，再结合电子的空间分布密度函数，根据反差的定义，提出了一种计算电子束抗蚀剂反差的简单模型，计算结果与实验结果基本一致.对不同曝光条件的反差计算显示，随着电子初始能量的增加，反差值减小，随着抗蚀剂厚度的增加，反差值增大.     

计算机控制的快速图形发生技术在电子束扫描系统中的应用

一、引言近几年来,随着电子器件向高频、高集成度方向发展,要求制作最细线条为微米、亚微米级微细图形的掩膜板,普通光学老工艺碰到了难以逾越的困难。而计算机控制的电子束扫描曝光系统,因具有较高的精密度和较好的灵活性,在国内外都获得突飞猛进的发展。超大规模集成电路、磁泡存储器、高频大功率管、微波晶体管、集成光学器件、声表面波器件等,因此相继制造出来。如何改进我国目前的电子束曝光系统,使得在几项主要指标上赶上或超过目前欧美同类机的水平,进而提高生产效率,是我国电子束机的主要研究课题之一。     

一个应用于电子束曝光机中的新型图形发生器

本文介绍一个新型图形发生器,它用于扫描电子束机中,适于产生给定斜率的平滑矢量。以两个固定参考源的16位DAC给定矢量的起点坐标。而矢量的分量是以另外两个可变参考源的12位DAC给定的,其可变参考源是一个公共的三角波发生器。以三角波代替锯齿波消除了扫描信号的跳变,减小了对偏放高频响应的要求。文章给出了三角波的框图和原理。三角波的周期可以在1μ～5S范围内数字控制。在20×20mm~2扫描场上实验曝光得到平滑矢量族。位置精度0.03％,扫描速度相当于数字逐点式电子束扫描系统的100K～10M_c。     

折射型微透镜列阵制作的一种新途径

介绍了一种制作折射型微透镜列阵的新方法,其主要思想参考了灰阶掩模法。所用掩模板用激光直写制作,通过一次曝光即可在光刻胶上形成折射型微透镜的轮廓,并给出了微透镜轮廓的测试图样。     

电子束背散射与前散射的分析

利用电子束曝光机完成有关邻近效应的实验 .曝光过程中加速电压为 5～ 30kV ,衬底基片为铬和PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯 ) .在处理模拟电子穿越衬底PMMA的边界时 ,采用了几率确定法 ,用以判断电子是否在界面处发生一次弹性散射 .得到了散射电子在电子束胶层中背散射与前散射的能量沉积分布图 .实际应用表明 ,该方法像差小而可以不用动态校正 .     

深紫外正性抗蚀剂聚甲基异丙烯基酮的增敏与改性

近年来为制造超大规模集成电路(VLSI)需要获得超细线条。人们对电子束和X-射线复印技术进行了大量的研究和开发工作,但由于技术复杂和设备昂贵还难以进入实用阶段。虽然电子束曝光方法已能制备1 u或亚微米细线图形的掩模,但是把这种技术用于大生产中复印器件图形是很不经济的。因而人们把注意力移向深紫外复印技术上。有关这种技术的特点和优点已在许多文章中报导过     

多功能电子束曝光机数字控制器

本文介绍一个用于电子束曝光机的数字控制装置,它配备DJS130电子计算机标准接口,不但对电子束曝光机的束点偏移、束闸通断、工作台运动等必要部分进行控制,而且大大增加了图形扫描和工作台定位控制方式,从而可以提高加工精度和速度,此外还设计了一些试验性的控制功能,从而为电子束曝光机的进一步研究提供了方便。     

论等倍投影扫描光学成象照明系统

双球面反射成象系统用于大规模集成电路生产中的硅片光刻和掩模复印有广阔的前景。本文提出用球形高压汞灯代替弧形汞灯作为曝光光源,设计了相应的照明系统以获得弧形照明区。对象平面的照度均匀性进行了分析和测试。本系统可用于复制3μ线宽的掩模板。     

基于思维进化算法的人脸特征点跟踪

提出了一种基于思维进化算法的人脸特征点跟踪的方法。通过提取人脸跟踪区域的尺度不变特征变换获得整体特征模版,并确定跟踪特征点,由整体特征模版的空间分布关系限定跟踪特征点的存在区域。应用思维进化算法的趋同过程和异化过程求得整体特征模版在目标帧的最优覆盖解,进一步提高跟踪特征点的限定区域的准确性,提高搜索速度和精度。引入原始特征和替代特征,使算法在复杂情况下仍能保持稳定跟踪和较快的跟踪速率。经试验,新方法能够在复杂情况下稳定跟踪95%的特征点,并保持25帧/s的跟踪速率。     

钻井防碰电子井位信息模版的创建及应用

使用传统井位信息模版有很大的局限性，有必要创建电子井住信息模版。根据创建电子井位信息模版的原理以及技术路线，综合运用计算机数据库技术、图形处理技术、网络技术、面向对象的可编程技术以及ArcGis提供的二次开发功能自主开发ET插件，解决了创建电子井位信息模版的技术难题，并采用该项技术创建了辽河油区洼38块东二段井位信息模版。实线表明该项技术所具备的功能是传统手工模版无法比拟的。     

折射角统计优化方法反演结果的分析

简要介绍几何光学的反演方法.通过对GPS/MET和CHAMP掩星数据折射角统计优化前后反演结果的分析,讨论优化前后反演精度变化的原因.     

窄缝法测量电子束斑的微处理机控制

用窄缝法测量电子束斑,最基本的问题是对快速、单次信号的采集和处理。以往的测试方法都停留在人工操作阶段。费时、计算精度差、更无法实现自动调焦。本文用数字计算机、控制完成了测量任务。给自动调节焦距创造了条件,使高压电子束焊机等实现自动控制有了可能。