φ60mm掺碲GaP单晶的研制

用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等.实验采用浮舟技术控制晶体直径,调整和控制参数使得晶体固液界面在拉制过程中始终凸向熔体,这对获得单晶非常重要.分析了晶体中电阻率、载流子浓度分布及位错分布.采用X射线双晶衍射对晶体质量进行了测试分析.     

Hg1-xMnxTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析

利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场.结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓.在气液(气固)界面、液固界面、石英坩埚顶部和底部,轴向温度出现转折.随着晶体的生长,固液界面的轴向温度梯度逐渐减小.当石英坩埚完全处于高温区或低温区时,所在位置的温度分布更均匀,但远离坩埚区域的温度场受到的影响很小.     

10cm VGF法GaAs单晶生长过程中热应力的数值模拟

采用数值模拟技术模拟了10cm(4 in)VOF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布.推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义了一个固液界面形状函数,用以表征固液界面偏离度.固液界面偏离度可定义为晶体边缘和晶体中心轴向位置的差值.计算得到固液界面凹(凸)度的临界值,小于该值时,固液界面附近的热应力低于临界分解剪切应力(CRSS).模拟计算了两个时刻的晶体中的热应力分布:当偏离度大于临界值时,晶体中的热应力大于CRSS,反之,晶体中的热应力小于CRSS,验证了理论推导的结果.     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

提拉生长氧化物晶体时界面的不稳定性(节译)

从静止坩埚的熔体中提拉生长旋转的氧化物品体时,已观察到界面不稳定性的一种有趣类型.晶体直径恒定而增大晶转速度时,观察到界面形状相对于熔体突然从凸形变成稍凹的形状.如果拉晶是自动控制的,即单位时间的结晶重量恒定,那末晶体直径就会出现突然的变化.     

用直拉法生长PbMoO_4晶体时的液流转换及对晶体完整性的影响

在不同的生长条件下进行了钼酸铅(PbMoO_4)晶体生长实验,研究了生长条件与固液界面附近液流状态的关系,以及液流状态对界面形状和晶体完整性的影响.实验表明PbMoO_4晶体生长过程中,界面形状经历了从凸到凹再凸的变化.这些变化是受固液界面附近液流状态的转换支配的.在等径生长过程中,固液界面附近的液流发生了从强迫对流占优势向自然对流占优势转换的现象.我们认为,这一现象是当格拉索夫数Gr随着液面下降熔体径向温差增加而增加到超过某一临界Gr数时产生的.液流的这一转换使得界面中心部位的生长速度迅速增加,产生了组分过冷或气泡、固体包裹物的集聚.我们利用增大熔体的径向温差并降低晶体的转数来降低强迫对流的强度,有效地抑制了固液界面附近液流转换,从而避免了上述缺陷的产生,提高了晶体完整性.研究表明维持生长过程中固液界面附近液流状态的稳定性是生长完整晶体的重要条件.     

碲锌镉晶体VGF法生长温场的梯度区高度设计研究北大核心CSCD

本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度变化率正相关。非稳态模拟结果显示,现有变温条件下,晶体生长过程中固液界面凸度存在先增大后减小的趋势,趋势转变点接近梯度区高度中点;界面形状的变化趋势受固液界面上生长速度分布直接影响;对比而言,10 cm高的梯度区更容易实现前中期固液界面凸界面的获得,利于形成高单晶率CdZnTe晶体。     

多晶硅铸锭温场分布的理论模拟与分析

采用二维轴对称近似的有限元法对DSS450型铸锭炉的温场分布进行理论模拟。对比分析了长晶过程中不同阶段的固液界面形状变化。随着长晶的持续进行,固液界面形状变得越平整,坩埚附近向内生长的晶体范围也变得越大。固液界面形状的变化会引起晶体生长方向的改变,出现晶体向内生长方式与向外生长方式的竞争现象,这种竞争的结果将导致位错、小晶粒的形成以及杂质的聚集。对硅锭中不同位置的硅片进行了电池试制,结果显示:位于硅块底部的硅片电池转换效率要高于位于硅块顶部的硅片电池转换效率;中央硅块的硅片电池转换效率要高于边缘硅块的硅片电池转换效率。最后模拟分析了工艺参数对固液界面形状的影响,并讨论了如何通过调整工艺参数来降低不同位置硅片间的质量差异。     

InSb晶体生长固液界面控制技术研究

在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少。对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和坩埚转速对固液界面形状的影响进行了模拟分析以及实际的晶体生长实验。结果表明,这三个生长参数对固液界面形状的平稳控制具有一定的效果。获得了平稳固液界面控制方法,为后续生长更低位错密度、更均匀径向电学参数分布的InSb材料打下了基础。     

支撑结构对碲锌镉固液界面形状的影响

在晶体生长过程中,固液界面形状与界面附近热流的状态有关。影响固液界面附近热流方向的因素有外部温场分布和材料热导率等。总结了常用的固液界面控制方式,然后采用CGSim温场模拟软件对3种使用不同支撑结构的晶体的生长过程进行了模拟,并对籽晶区以及锥形区内部固液界面的形状进行了对比。结果显示,支撑结构对籽晶区及锥形区内部固液界面的控制影响较大;通过采用合适的支撑结构设计并选取合适材料,同时配合外部温场的调节,能够得到理想的凸形固液界面。     

印制电路板制造行业废液资源化初探

对印制线路板制造行业废液从回收的角度进行了分类,并对其资源化技术进行了较为深入的研究和探讨,特别 是废退锡水和废蚀刻液两个项目,实现了回收和再生产的循环利用。     

混合排列向列液晶盒的响应时间常数

最近的研究表明，混合排列向列（ＨＡＮ）液晶盒具有较快的响应速度。本文在液晶动力学理论的基础上给出ＨＡＮ型盒的响应时间常数，并对此进行了讨论。     

介晶双丙烯酸酯在全息干涉光场中的指向性交联(英文)

通过在全息光场中聚合双丙烯酸酯形成具有指向性的分子网络,所需全息辐射光场由双光束干涉方法产生。在全息光场作用下,处于各向同性状态中的双丙烯酸酯单体中的介晶分子团被局域定向,通过原位聚合具有指向状态的单体而形成高分子网络从而将该指向秩序锁定。在此过程中,全息辐射同时具有两个功能:既提供促成介晶分子团形成指向秩序的驱动力,又是启动终端丙烯酸双键进行交联所需的光辐射。     

基于激光光源的液晶特性研究

为了研究激光光源对液晶电光特性的影响, 采用Jones矩阵对液晶的光学特性进行了分析, 同时利用不同波长的半导体激光器作为入射光源, 对液晶的电光特性进行了实验研究。结果表明, 当电压达到4.8V时, 各光源下液晶的透光强度均出现陡降, 说明液晶的阈值电压与入射光波长无依赖关系; 通过示波器跟踪图像发现各光源下液晶的响应时间有明显的差异; 随着供电电压的增大, 液晶光栅的衍射光斑由圆环状逐渐转为平行分布, 且各级衍射光斑并非完全对称, 入射波长及供电电压决定了衍射光斑的空间及能量分布。该研究结果对液晶器件的研发具有一定的借鉴意义。     

Recapillarity: Electrochemically Controlled Capillary Withdrawal of a Liquid Metal Alloy from Microchannels

This paper describes the mechanistic details of an electrochemical method to control the withdrawal of a liquid metal alloy, eutectic gallium indium (EGaIn), from microfluidic channels. EGaIn is one of several alloys of gallium that are liquid at room temperature and form a thin (nm scale) surface oxide that stabilizes the shape of the metal in microchannels. Applying a reductive potential to the metal removes the oxide in the presence of electrolyte and induces capillary behavior; we call this behavior “recapillarity” because of the importance of electrochemical reduction to the process. Recapillarity can repeatably toggle on and off capillary behavior by applying voltage, which is useful for controlling the withdrawal of metal from microchannels. This paper explores the mechanism of withdrawal and identifies the applied current as the key factor dictating the withdrawal velocity. Experimental observations suggest that this current may be necessary to reduce the oxide on the leading interface of the metal as well as the oxide sandwiched between the wall of the microchannel and the bulk liquid metal. The ability to control the shape and position of a metal using an applied voltage may prove useful for shape reconfigurable electronics, optics, transient circuits, and microfluidic components.     

液晶科学技术的回顾与展望

液晶显示器(LCD)是平板显示器中的重要一员。本文回顾了液晶物理学的两次发展高潮,对当前LCD的技术发展动向作了介绍。最后简要介绍了未来LCD发展趋势如高分辨率LCD技术、柔性LCD技术以及3D显示技术。     

清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响

超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清...     

Effect of lead content on Bi-2223 formation by a two-powder process

Decreasing the total lead content from Pb_0.4 to Pb_0.3 significantly stunts Bi-2223 phase development and greatly reduces the critical current density (J_c) of powder-in-tube tapes made by a two-powder process. This effect can be explained on the basis of the solubility limit for lead in 2212. Pb_0.4 samples exceed the solubility limit for lead in 2212, so lead is rejected to create a lead-rich liquid that enhances the kinetics of 2223 formation during heat treatment. By contrast, a liquid does not form in the Pb_0.3 sample because its lead content is below the solubility limit. As a result, 2223 formation is much slower and J_c is much lower in the Pb_0.3 sample.     

负性含氟液晶材料的电子轰击质谱分析

利用气质联用对3类6个系列共15种负性含氟液晶化合物进行了电子轰击源(EI)质谱分析,总结了3类负性含氟液晶化合物的质谱裂解规律,并阐述了某些化合物的质谱裂解途径。其中,烷基双环己烷二氟取代苯甲醚液晶化合物的特征离子主要是为环己烷取代基开环的裂解碎片,其m/z主要为226、183、157等;烷基环己基烷氧基三氟取代联苯液晶化合物的特征碎片为环己烷开环碎片及氟取代苯环掉氟的碎片,其m/z主要为(246 A)、(223 A)、(220 A)和(207 A)等(A为15或17);四氟取代联苯酚酯类液晶化合物的特征离子为酯基断裂的碎片和氟取代苯环掉氟产物,其m/z为272或271、229、200、180等。