加快发展我国第3代半导体材料 力争实现产业赶超

<正>我国半导体产业长期受制于人,每年进口芯片的支出就超过2 000亿美元,高于进口石油的花费。这种被动局面很大程度上与我国半导体材料技术不强有关。近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第3代半导体材料正在兴起,美国早在2014年就成立了下一代电力电子制造创新学院,重点推进第3代半导体材料的技术研发与应用开发。如何抓住第3代半导体材料发展机会,实现我国半导体产业的弯     

氮化镓材料研究热点分析及启示

作为第三代半导体材料的代表，氮化镓基半导体材料是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件，不仅带来了IT行业数字化存储技术的革命，也将推动通讯技术发展，并彻底改变人类传统照明的历史。[编按]     

第3代半导体碳化硅功率器件用高导热氮化硅陶瓷基板最新进展

正第3代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展大致分为3个阶段,以硅(Si)为代表的通常称为第1代半导体材料;以砷化镓为代表的称为第2代半导体材料,已得到广泛应用;而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料,由于其较第1代、     

第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策

正第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(Si)(1.1eV)和砷化镓(GaAs)(1.4eV)的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、下一代射频和电力电子器件的"核心",在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈,与第1代、第2代半导体技术互补,对节能减排、产业转型升级、催生     

把握第3代半导体产业历史机遇,准备好了吗?

<正>长期以来,我国从半导体材料到器件再延伸至模块,始终没能迈进世界先进行列。从硅、锗第1代半导体到砷化镓、磷化铟第2代半导体,我国已经在制造和工艺技术上落后2个代差,核心技术和设备受制于人。而被行业寄予厚望的以碳化硅和氮化镓为代表的第3代半导体材料和应用,在产业化的道路上依然步履蹒跚,遇到许多"卡脖子"的问题。究其原因为何?"卡脖子"究竟"卡"在哪儿?我国第3代半导体材料及     

国家半导体照明基地在深圳挂牌

6月13日,“国家半导体照明工程产业化基地”在深圳宝安区光明高新技术园区奠基挂牌。这是国家第5个半导体照明产业基地,也是广东目前惟一一个半导体照明产业基地。深圳半导体照明产业的发展,对提升我国半导体照明产业国际竞争力,全面发展我国半导体照明产业将起到重要的示范带头效应。自2003年国家半导体照明工程启动以来,我国半导体照明产业进入了快速发展时期,民间资本已开始积极介入。据不完全统计,目前有近50亿元的民间资本介入。我国半导体照明已经基本形成了完整的产业链,科研也有一定的基础。该基地是由国家科技部批准的全方位的“国…     

影视舞台用大功率LED照明发展前景广阔

半导体照明具有节能、高效、长寿命、环保和易维护等优势,同时半导体照明产业作为21世纪战略性新兴产业之一,受到了国家和政府的高度重视与大力扶持。半导体照明产业蕴藏着巨大的市场潜力,在多方条件的推动下,我国半导体照明产业呈现出爆发式增长的特点。北京作为众多半导体照明产业优势地区之一,具有自身鲜明的区域特点,在研发外延材料和芯片、照明检测和标准制定、衬底和配套材料、下游高端应用等方面都颇具优势,在北京半导体照明产业链上下游已经成长起来一批发展较成熟的企业,形成了一批高端产业集群,并且攻克了多项我国半导体照明产业中的瓶颈问题。可以说,北京半导体照明产业正呈现出跨越式的发展态势。国庆60周年天安门广场上的LED显示屏、北京长安大戏院舞台用大功率LED绿色照明灯的成功应用等项目,都是北京半导体照明产业强劲的研发能力和下游高端应用能力的具体体现。开辟本栏目,旨在展示北京半导体照明研发机构的前沿技术特色、优势企业的风采和资源,共享北京半导体照明产业的信息和成功经验。     

方大集团同时在深圳、南昌启动GaN产业化项目

氮化镓是世界目前最先进的半导体材料之一(见本刊上期产业论坛),它可制成高效蓝绿光发光二极管LED和激光二极管LD(又称半导体激光器),并可制成白光光源,将代替人类沿用至今的照明源。成为继Si、Ge、GaAs、InP等材料后的第3代电子材料,该材料的研究开发及其产业化属当今世界半导体研究领域的前沿和热点。     

第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用

LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好.宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点.目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟.综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题.     

GaN-第三代半导体的曙光

在半导体产业的发展中,一般将Si、Ge称为第1代电子材料;而将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其合金等称为第2代电子材料;宽禁带(Eg>2.3eV)半导体材料近年来发展十分迅速,成为第3代电子材料,主要包括SiC、ZnSe、金刚石和GaN等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和     

国外第3代半导体材料项目国家支持行动初探

<正>相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面     

重塑世界半导体产业新格局

<正>近年来,迅速发展起来的以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)等(还包括金刚石、氮化铝)为代表的第3代半导体材料成为固态光源和电力电子、微波射频器件的"核芯",在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景,可望成为支撑军事和民用产业发展的重点新材料,正在成为全球半导体产业新的战略高地。着眼全球,欧美、日、韩等发达国家正在积极布局、出台规划,意图抢占这一战略制高点。而     

半导体材料的发展现状

在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg＞2．3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。     

国外先进半导体在新能源领域的应用

正半导体材料是对导电性介于电介质和导体材料导电性能之间的材料概括[1]。由于半导体材料的性能优势及产业带动作用,其发展异常迅猛,至今已更迭至第3代。第1代半导体材料诞生于20世纪50年代,主要是指以硅(Si)、锗(Ge)元素为代表的半导体材料,是一切逻辑器件的基础,主要用于各类分立器件,并且在极为普遍应用的集成电路、     

第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用

<正>一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领     

西安高新区大力发展半导体产业

<正>西安市"十城万盏"半导体照明试点工作取得跨越式发展,高新区等多个新区也在积极的发展半导体产业。自被列为"十城万盏"试点城市以来,西安市半导体照明试点工作取得了跨越式发展。截至目前,西安市半导体照明示范应用工程LED灯具总     

国内外白光LED封装胶发展现状分析

<正>近年来,在全球节能减排的大趋势下,白光发光二极管(LED)照明基于半导体封装技术和材料的发展呈现了快速增长的势头。与传统光源相比,LED照明具有寿命长、体积小、节能、高效、响应速度快、抗震、无污染等优点,被称为第4代照明光源或绿色光源。2014年诺贝尔物理学奖就颁给了因发明"高亮度蓝色发光二极管"的赤崎勇、天野浩和中村修二等3位科学家,是对原创技术的肯定,也是对照明市场发展方向的肯定。正是在市     

力争抢占第3代半导体产业战略制高点

正近年来,以氮化镓和碳化硅为主要代表的第3代半导体越来越受到全世界的关注,成为世界科技研究的热点和前沿。第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优越性能,此外还具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点。有专业人士指出,第3代半导体是以环保、智能为主要特征的现今社会信息化发展的基石,是推动转变经济增长方式和结构转型,以及提升新一代信息技术核心竞争力的决定因素之一,具有无法替代的支撑作用。因此,在一代材料决定一个时代的器件和装备的背景下,我国第3代半导体能否在强手众多的世     

普通照明用LED技术标准简述

一、引言 目前,我国的半导体照明产业正处于迅速发展的阶段,其应用范围也在不断扩大.照明LED标准体系的建立,是半导体照明产业健康发展的保障.     

我国半导体照明发展战略研究

在详细分析国内外半导体照明产业发展现状和趋势的基础上,提出了我国发展半导体照明的技术路线,给出了不同发展情景下,我国中长期半导体照明节能潜力的预测结果,并对我国半导体照明发展战略提出了若干政策建议.