新型硅基抛光磨料的研究进展

二氧化硅具有优异的抛光性能,是最重要的抛光磨料之一。然而随着新材料、新结构的出现,CMP磨料的需求出现多样化趋势,通过对纳米颗粒的物理化学性质进行微观设计达到满足不同材料抛光需求的目的成为新的研究方向。目前SiO_2基体的新型磨料包括异形磨料、混合磨料和复合磨料。混合磨料、异形磨料已经取得一定进展;复合磨料尚处于发展阶段,是未来磨料研究的主要方向和趋势。就SiO_2为基体的几种新型磨料的应用和抛光原理进行了简要说明。     

两种加工方式磨抛SiC陶瓷的对比实验研究

文章以SiC工程陶瓷为研究对象，通过游离磨料和固结磨料两种抛光方式的实验，分析了磨料粒度、抛光盘、抛光工具以及抛光工艺参数对工程陶瓷的表面粗糙度及表面形貌的影响，并对比了游离磨料和固结磨料的抛光效果，实验发现，一种新型的固结磨料磨抛盘在加工效率和加工质量上具有优越性。     

CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料的制备及其对蓝宝石抛光性能的影响

以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料.考察了不同铈锆掺杂量的CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的抛光机理.通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)对样品的组成、形貌等进行表征.以所制备的复合磨料对蓝宝石晶片进行抛光,利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度.结果表明:CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料中最佳的铈锆掺杂量为:铈掺杂量为1.5wt％,锆掺杂量为1.0wt％,材料去除速率可以达到36.1 nm/min,表面粗糙度可以达到0.512 nm,而相同条件下纯硅溶胶抛光后的蓝宝石表面粗糙度为1.59 nm,材料去除速率为18.4 nm/min,该复合磨料表现出较好的抛光性能.     

磁流变胶基柔性磨料的抛光实验研究

磁流变抛光与磁力研磨抛光都属于新型的表面抛光技术,可实现对工件复杂形面的光整加工,提升表面质量,延长零件的使用寿命,但传统的磁力研磨抛光存在磨料易飞出加工区域的缺点、磁流变抛光存在沉降稳定性差的缺点.针对上述两种方法的缺点,本文提出了一种磁流变胶基柔性磨料,利用磁场控制柔性磨料对工件表面进行抛光实验研究,通过表面粗糙度...     

复合电镀法制造固结磨料金刚石线锯的工艺要点分析

复合电镀法是制造固结磨料金刚石线锯的理想方法。复合电镀法制造固结磨料金刚石线锯依次经线锯基体选择、预处理工序、电镀工序和后处理工序。对各工序及关联子工序涉及的工艺要点予以分析,以期为固结磨料金刚石线锯的研究与制造提供理论参考。     

抛光膏中磨料的解析

利用SEM，EDS分析了抛光膏中磨料的形状，尺寸和成分。结果表明，进口抛光膏中采有的磨料是直径为2－5μm的柱状氧化铝。     

一种价廉耐用的磨料粘结剂

用以水玻璃和氧化锌为主体,加入适量活性填料和补强剂配成的磨料粘结剂,所粘结的抛光布轮在餐具抛光中比进口粘结剂工作时间长2～3倍,价格为进口粘结剂的1/4。     

新型烧结刚玉磨料概述

本文阐述了新型烧结刚玉磨料及其制品的优越性能,分析了国内新型烧结刚玉磨料的研究与生产现状,探讨了新型烧结刚玉磨料生产技术本土化的意义。     

不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响EI北大核心CSCD

采用不同粒径的W28和W7碳化硼（B4C）磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明：W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大（Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm）,表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小（Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm）,无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。     

包覆型CeO_2/SiO_2和CeO_2/聚苯乙烯复合磨料的制备及其化学机械抛光性能

以SiO2和聚苯乙烯(polystyrene,PS)微球为内核,采用液相沉淀工艺制备了具有包覆结构的CeO2/SiO2和CeO2/PS复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、动态光散射仪和zata电位测定等手段对所制备样品进行了表征。将所制备的CeO2/SiO2和CeO2/PS复合颗粒用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)观察抛光表面的微观形貌、测量表面粗糙度。结果表明:所制备的CeO2/SiO2和CeO2/PS复合颗粒呈球形,粒径在150～200nm,CeO2纳米颗粒在SiO2和PS微球内核表面包覆均匀。包覆的CeO2颗粒与SiO2内核之间形成了化学键结合。CeO2颗粒的包覆显著的改变了复合颗粒的表面电性。AFM测量结果表明:经CeO2/SiO2和CeO2/PS复合磨料抛光后的硅热氧化片表面在5μm×5μm范围内粗糙度值分别为0.292nm和0.180nm。