GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶ Ｔａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。     

重离子束的Bragg峰定位于麦粒的自由基探针技术

为了实现定点定位诱变，提出了一种利用ＥＳＲ波谱术对离子束Ｂｒａｇｇ峰在麦粒中的定位方法，即自由基探针技术，采用该技术有效地测定出２１ＭｅＶ／ｕ氮离子束的Ｂｒａｇｇ峰位于小麦胚部，注入深度不超过１．０±０．２ｍｍ，而４８ＭｅＶ／ｕ氮离子束贯穿全麦粒，不能实现定点定位诱变。     

氮离子束注入与贯穿小麦种子的生物效应初步研究

采用４７．９ＭｅＶ／ｕ和２０．４ＭｅＶ／ｕ１４Ｎ（７＋）离子束对小麦种子进行生物学效应研究。结果表明：１）重离子的贯穿和注入对小麦种子的生长势均有明显的抑制作用，剂量越大，抑制作用越强，而且注入作用高于贯穿；２）在种子的根尖细胞中出现的染色体畸变具有多种类型，畸变频率高于对照组１９８～５９２倍，而且注入比贯穿作用强；３）注入和贯穿处理两者同样有明显的诱变作用，可引起ＤＮＡ的损伤和修复     

高能离子背散射研究钇离子注入H13钢的抗氧化特性

用５．８ＭｅＶ ＾４Ｈｅ离子和３ＭｅＶ质子背散射研究了强束流钇注入的Ｈ１３钢的高温特性，由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在８００℃氧化４５ｍｉｎ条件下抗氧化能力提高了２５倍，观察到了元素铬在注钇氧化层中的富集以及氧离子在氧化过程中的扩散与未注入时有明显的区别。     

^16O弹性前冲测量氦的深度分布

利用１２ＭｅＶ的１６Ｏ离子弹性前冲测量（ＥＲＤ）方法，研究了以２０ｋｅＶ和４０ｋｅＶ注入４Ｈｅ的镀钛样品。通过分析ＥＲＤ能谱，得到了注入４Ｈｅ的深度分布，并与非卢瑟福背散射结果进行了比较。对４０ｋｅＶ注入的样品观察到有双峰分布，２０ｋｅＶ注入的样品没有双峰分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟计算结果进行了比较。     

重离子束箔VUV光谱实验系统的改进

介绍了改进后的兰州重离子束箔ＶＵＶ光谱学实验装置、数据获取和单色仪协调控制系统。给出了利用改进后的系统在ＨＩＲＦＬ上由ＳＦＣ提供的４７ＭｅＶ的Ｎｅ＾４＋离子打碳箔（３９μｇ／ｃｍ＾２）的实验结果，并讨论了进一步提高整个系统运行效率的可能性。     

低能氘离子束轰击固体靶产生的远程D-D核聚变现象研究

利用强流低能氘离子束轰击由吸氢金属形成的氘自吸收靶，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应规律。并通过对实验测得的Ｄ－Ｄ聚变伴随粒子能谱，探索Ｄ－Ｄ聚变反应与靶材料结构的相关性。同时，利用氘团簇离子（ｄ＾＋３）氘核（ｄ＾＋）束轰击吸氘固体，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应的特性。实验中观测到了伴随离子能谱中介于质子峰（３ＭｅＶ）和氚峰（１ＭｅＶ）之间的一个宽峰。结果分析表明，该峰是由固体靶内超出离子射程几倍至十几倍处发     

兰州重离子加速器冷却贮存环计划简介

１　兰州重离子加速器现状及发展设想兰州重离子加速器（ＨＩＲＦＬ）现有系统包括电子回旋共振（ＥＣＲ）离子源、注入器（ＳＦＣ）及主加速器（ＳＳＣ）。该系统可以提供能量为１０ｋｅＶ／ｕ～１００ＭｅＶ／ｕ，从Ｃ到Ｔａ的低中能重离子束。１９９４年５月３日，成功...     

离子注入植物种子的生物效应研究

用３５－１８０ｋｅＶ离子束对玉米、水稻、小麦、黑麦等材料种子进行了氮或磷离子注入。结果发现，在被处理的当代种子中，发芽率，生长速度，植物株型等方面均出现了变异；对染色体行为的观察发现有丝分裂基本正常，减数分裂出现异常，对注入离子在种子内的分布进行了ＲＢＳ测量，并以ＴＲＩＭ程序进行理论估算。对离子束作为诱变源的前景及机理进行了讨论。     

75MeV/u￣(12)C离子Bragg曲线及黑色素瘤细胞失活的测量

用双电离室法测定了ＨＩＲＦＬ提供的７５ＭｅＶ／ｕ１２Ｃ离子经不同厚度降能片后的相对剂量，将降能片厚度等效为组织等效材料一水中的深度，得到了碳离子在水介质中的Ｂｒａｇｇ曲线，与计算的Ｂｒａｇｇ曲线进行了比较。同时测定了离子经不同厚度降能片后对黑色素瘤（Ｂ１６）细胞的失活效应，得到了离子束在不同贯穿深度上的Ｂ１６细胞存活数据。