有机光存储材料及其进展

本文介绍了光盘写入及读出过程的基本原理，并就有机光存储材料性能，作用以及当前的发展趋势进行了讨论。     

宽温度环境下光数据存储的不稳定性分析

本文分析了磁光存储系统读出不稳定性和温度的关系,导出了信号和噪声随温度变化的函数关系,指出半导体激光器和光电探测器是导致读出不稳定的主要原因,提出了在宽温度环境下改善系统读出稳定性所应采取的措施。     

用于超分辨近场结构光盘存储的掩膜材料

超分辨近场结构(Super-RENS)光盘存储技术是近年研究的热点,而用作超分辨近场结构的掩膜材料是决定其性能的关键。本文总结了用于近场超分辨结构光盘存储的掩膜材料的最新研究成果,阐述了材料的工作原理和性能特点,展望了其发展趋势。     

超大容量光学体全息存储技术与材料的研究动态

结合国内外发展动态以LiNbO3晶体为主说明了光学体全息存储材料具有超大容量、数据传输快、并行计算、按页存储和内容寻址等优点 ,详细介绍了光学体全息存储的原理及技术特点。以实验中的数据为基础指出 :抑制串扰噪声和改进双掺和三掺铌酸锂晶体的存储性能应成为今后研究的主攻方向     

一种含嘧啶,偶氮苯取代丁二炔衍生物的可逆光存储特性

对ＰＤＡＢＳ－１／聚酰亚胺薄膜在５１４．５ｎｍＡｒ＾＋单光子共拓吸收下的偶氮存储行为进行了探讨。偶氮分子的存储特性与其光异构反应的能极结构有关。实验还表明，在低功率连续激光作用下该材料具有明显的双折射。其双折射源于线偏振光作用下极性分子的重新取向而引起的折射率的变化。在偏振全息实验中，ＰＤＡＢＳ－１具有较强的位相共轭信号和偏振特性，同时还有一部分全息成分。     

SrS（Cu,Sm）的红外激励上转换发光及光存储特性

本文首次报道了ＳｒＳ（Ｃｕ，Ｓｍ）的红外激励上转换发光及光存储特生，给出了二种典型样品的光致发光的激光光谱，测定红外激励发光和激励光谱，结果表明ＳｒＳ９Ｃｕ，Ｓｍ）具有极好的可擦除可重写的光存储功能，其最长的写入光波段在３５０ｎｍ附近，读出光波长约在８００－１４００ｎｍ附近，发射兰绿光峰波长在５１５ｎｍ附近。     

用于磁光盘误码率测试的高速数据采集系统

介绍一种用于磁光盘误码检测的新型高速数据采集－暂存系统。该系统的硬件设计针对磁光盘记录数据的特点，采用独立的“采集－暂存”结构，软件由ＭＣＳ－５１单片机汇编语言设计而成，文中还介绍了此系统与ＭＣＳ－５１单片机传输数据的方法。     

海量数据仓库中基于层次的cube存储结构

采用层次划分技术,提出了动态环境下基于层次的cube存储结构HC_Tree。它不但可以有效地支持数据仓库上cube的查询与更新,支持cube上任一维的动态扩展,而且具有最小空间代价。     

光学照像测量及数据压缩方法研究

光学照像测量技术的发展大大提高了逆向工程技术中的数据测量速度，使快速方便地获取包含被测物体更多细节的大量数据成为可能，但庞大的点云数据影响了模型重建的效率和质量。如何压缩散乱数据点已成为逆向工程中一个重要的研究课题，本文在介绍光学照像原理的基础上，分析常用数据压缩方法以及一种以八叉树原理为基础的的数据压缩算法。     

改进包装,进一步提高军用光学仪器贮运的防护性能

从全寿命的观点出发,分析了军用光学仪器包装的现状及存在的问题,提出了采用干燥密封包装等改进和提高军用光学仪器包装质量的措施。     

用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制

本文研制一种用于超高密度数据存储的硅基纳机电探针阵列器件.简要介绍了器件结构及其工作原理,并通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现器件的结构设计.并运用先进的微纳加工工艺技术制造出相应的器件,具体包括:先进的纳米硅尖制造技术、高电隔离性的加热电阻制作技术及其纳机电探针上加热电阻与压阻传感器集成技术等.室温下,测得该器件加热电阻器的阻值为(500～600) Ω,压阻传感器的阻值为(6～8) KΩ,在2×10-7 N预力作用于针尖处时,悬臂梁上的压阻器件灵敏度(电阻相对变化)达到了3.12×10-4,满足纳米数据坑读出对于灵敏度要求;纳米针尖曲率半径小于40 nm,满足器件高密度存储对于硅尖要求.建立一套适用于该纳机电探针的电热理论模型,利用该模型计算的结果与器件电热测试结果相吻合.