基于校园网的跳蚤市场的设计

本着服务于学校师生的思想,文章为校园内师生提供一个发布产品以及进行订购的交易平台,实现用户注册登录,发布修改商品信息,浏览商品信息,添加到购物车和提交订单等功能,节省了人力物力,打破了时间空间的限制,大大提高了效率。同时针对在电子商务中的安全问题,采取了一定的措施,保障了使用网站的安全性。     

干扰电子通信的要素以及应对策略的探讨

在当今的社会中,人们已经离不开电子通信了,其作为了一个新兴产业,并得到了良好的应用,对各行各业起到了促进作用,同时,传统的产业收到了冲击。我国的电子通信发展较快,达到了先进的水平,不过,由于发展时间较短,存在很多不足之处,拉低了整体水平。特别是干扰问题,严重影响了电子通信的发展。本文对电子通信进行了概述,探讨了干扰要素,并且,提出了相关的应对策略。     

基于ARM9的视频点播系统的的设计

在计算机技术和流媒体技术的快速发展下,视频点播(VOD)系统得到了广泛的应用,伴随着嵌入式技术和网络技术的发展,出现了基于嵌入式的视频点播系统,本文介绍了基于ARM9的嵌入式视频点播系统的组成,重点阐述了该系统的工作原理、设计方案、软硬件模块的实现方法。     

基于FPGA的DDC的设计

数字下变频技术是软件无线电的核心技术之一。本文首先介绍了DDC的组成结构,然后详细分析了DDC各功能模块的工作原理,通过Modelsim完成了DDC其主要模块的仿真和调试,并进行初步系统级验证。在仿真的基础上使用了FPGA开发系统,实测了DDC的性能。     

基于nRF905的无线通信的设计与实现

针对采用芯片nRF905的LED屏无线通信,分别给出了上位机和下位机的系统框图,分析了系统的功耗,比较了无线模块和串口通信的通信速率,验证了系统的可行性,设计了串口通信协议,为保证数据质量,设计了数据通信协议,针对串口数据的nRF905分包转发,设计了无线芯片通信协议,例举了状态机的5种状态,介绍了状态间的转换条件,巧妙地编程设计了通信数据的定时器检查,论述了基于状态机的嵌入式单片机软件编程。     

基于JXTA的无线网络的实现研究

本文首先介绍了当前的无线网络的发展,并对P2P做了相关说明。然后把JXTA与当前的主要P2P技术进行了比较,随后仔细讲解了如何构建基于JXTA的网络,最后通过一个demo对系统做了试验,并得到了一些结论。     

基于Liferay的Portlet的研究与实现

介绍了一个开源的企业门户Liferay Portal,分析了它的系统结构,介绍了在Liferay上开发定制自己的Portlet的过程,并且结合Web服务技术,实现了一个基于Liferay的Portlet对Web Service进行访问的实例.     

基于DSP的高频高压交流电源的优化

针对市场上大多数等离子电源,功率因数低、可控性差等缺点,介绍了一种基于DSP的高频高压交流电源。首先介绍电路的设计,其次分析了比例谐振（PR）控制算法,针对PR算法的不足,提出了准PR控制算法,并介绍了准PR的实现过程。为了验证该控制策略的正确性,采用介质阻挡放电管,搭建实验平台进行了对比实验,实验验证了想法的正确性。     

迟来的春天 寻找那些盛开的花儿

相信没有再比2010年这么漫长的冬天了,沉沉的衣裤依旧裹在早想释放的身体,缺少养分的肌肤,应该早已厌倦了狭隘的空间了吧,透气也变得奢侈了。是啊,2010年的奏,来的是那么的晚,     

基于nRF905的无线数据通信系统的设计

主要给出了基于无线收发模块nRF905的无线数据传输系统,如设备数据(家庭内部三表或多表数据)的通信,从而实现了数据的无线传输的系统设计方案.首先介绍了nRF905的结构,工作模式以及接收和发送数据的工作流程,其次介绍了系统的总体结构及硬件实现,最后又详细地介绍了通信协议的设计,其中包括路由协议和数据传输协议.文章通过构建合理的通信协议,有效地解决了节点间通信寻址问题,保证了通信的可靠性.     

A novel fabrication process of a silicon field emitter array withthermal oxide as a gate insulator

We have successfully developed a fabrication process of a silicon field emitter array with a gate insulator formed by Si₃N₄ sidewall formation and subsequent thermal oxidation. This process overcomes some problems in the conventional fabrication, such as high etch rate, low breakdown field, and gate hole expansion arising from evaporation of gate oxide. Therefore, we could improve process stability and emission performance, and also reduce gate leakage current. The optimum process conditions were determined by process simulations using SUPREM-4. The turn-on voltage of the fabricated field emitters was approximately 38 V. An anode current of 0.1 μA (1 μA) per tip was measured for a 625-tip array at the gate bias of 80 V (100 V), and the gate current was less than 0.3% of the anode current at those emission levels     

电场激活压力辅助烧结对(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料微观结构及热电性能的影响

采用电场激活压力辅助烧结（FAPAS）技术制备了(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料,采用无电场、低电场强度和高电场强度三种烧结方式作为对比实验,研究了烧结过程中施加电场强度对(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料微观结构和热电性能的影响。研究结果表明,在烧结过程中施加电场,可明显提高(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料的电导率和Seebeck系数,从而提高其综合电功率因子;而采用大电场强度烧结则会使(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8材料出现层状结构择优取向,在电性能相对较高的情况下亦使其热导率明显减低,从而获得较高ZT值。     

一种新的模糊PID控制在电机软启动中的仿真

由于异步电机软启动过程中非线性时变的特点,采用传统的PID控制方法难以达到理想的控制效果。为了大大减小交流电机启动过程中的电流,在此结合智能控制理论,设计出一种新型的模糊PID软启动控制器。通过对电流大小进行控制,优化了系统的控制效果,实现了交流电机恒流软启动控制。最后通过Matlab仿真,证实了该系统具有良好的动静态性能,达到了平稳启动的目的,具有有效性和广泛应用性。     

A robust all-wet-etching process for mesa formation of InGaAs-InP HBT featuring high uniformity and high reproducibility

A simple InP-based heterojunction bipolar transistors (HBT) fabrication process featuring high uniformity and high reproducibility is introduced. No dry etching method was utilized for triple-mesa formation to avoid plasma damage to the device surface. An all-wet etching method was specially developed. This process is relatively simple compared to the conventional HBT fabrication process with respect to the emitter mesa formation by one-step selective etching. Uniformity of the current gain over a 3-in diameter wafer was approximately 2.9%, and the variation of the current gain of 17 wafers was 2.9 (max.-min.). The current gain cutoff frequency and the maximum oscillation frequency were 145 and 174 GHz, respectively. The mean time to failure was over 5 /spl times/ 10/sup 6/ h at 150/spl deg/ C whose criterion was over 3% changes in the current gain. This process is suitable for mass production of ultrahigh speed ICs in high yield.     

低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究

介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。     

不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析

为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是:台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是:台面刻蚀前进行快速热退火(RTA)。采用IV测试,周长面积比(P/A),激活能和暗电流成分拟合方法对器件暗电流机制进行分析。结果显示,在220~300 K之间,M135L-3器件暗电流低于M135L-5器件的,并且具有较低表面漏电流。在-0.01~-0.5 V之间和220~270 K之间,M135L-5器件的暗电流主要是扩散电流。在250~300 K之间,M135L-3器件的暗电流主要是扩散电流,而在-0.01~-0.5 V之间和220~240 K之间,其暗电流主要是产生复合电流和表面复合电流。与此同时,暗电流成分拟合结果也得出一致的结论。研究表明,在降低器件暗电流方面,M135L-3器件优于M135L-5器件,这主要是因为快速热退火降低了器件的体电流。     

长波碲镉汞探测器RV特性分析

对硼离子注入制备的N on P平面结长波碲镉汞探测器的RV曲线进行分析,研究不同偏压下暗电流机制,提取得到探测器的电学参数及理想因子,表明为提升器件性能,需要对探测器的陷阱辅助隧穿电流及产生复合电流进行抑制。通过对长波碲镉汞探测器RV曲线的拟合分析,表明RV拟合技术作为一种有效的分析方法,可用于评估器件性能和工艺状态,并指导工艺改进。     

低延迟低电压电流比较器

设计了一种基于改进共源共栅电流镜的CMOS电流比较器,该比较器在1 V电压且电压误差±10%的状态下都正常工作,同时改进后的结构能够在低电压下取得较低的比较延迟。电路的输入级将输入的电流信号转化为电压信号,电平移位级的引入使该结构能够正常工作在不同的工艺角和温度下,然后通过放大器和反相器得到轨对轨输出电压。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行了版图设计,并使用SPECTRE软件在不同工艺角、温度和电源电压下对电路进行了仿真。结果表明,该电路在TT工艺角下的比较精度为100 nA,平均功耗为85.53μW,延迟为2.55 ns,适合应用于高精度、低功耗电流型集成电路中。     

Effect of current on the microstructure and performance of (Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) thermoelectric material via field activated and pressure assisted sintering

(Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) thermoelectric material was sintered via a field activated and pressure assisted sintering(FAPAS) process.By applying different current intensity(0,60,320 A/cm~2) in the sintering process,the effects of electric current on the microstructure and thermoelectric performance were investigated.This demonstrated that the application of electric current in the sintering process could significantly improve the uniformity and density of(Bi_2Te_3)_(0.2)(Sb_2Te_3)_(0.8) samples.Whe...     

Process characterisation of hot-carrier-induced β degradation in bipolar transistors for BiCMOS

This paper investigates the effect of various process parameters on the variation in forward current gain lifetime caused by hot carrier generation of BiCMOS bipolar transistors. Statistical process control and statistical designed experiments were used in this evaluation. The device lifetime in reverse bias operation was calculated from the forward current gain. Various process parameters were examined in this work, i.e., the intrinsic base implant dose and energy, selective collector implant dose, collector plug dose, spacer etch ratio, overetch thickness of nitride spacer and emitter poly etch time. It was deduced that high current gain lifetime can be obtained with high base implant doses, high base implant energies, long bulk nitride etch times and short emitter poly etch times.