φ50mm多层GaAs气相外延技术

介绍了自行设计制造的φ50～76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。     

集成电路用铜合金引线框架材料的应用及产业化

引线框架是集成电路（IC）中极为关键的部件之一，它起着支撑芯片、散失工作热量和连接外部电路的重要作用。铜合金具有诸多优良的性能，因而成为重要的框架材料，该文综述了IC对引线框架材料的基本要求，主要的IC用引线框架铜合金品种和制备方法，以及铜合金框架材料的市场需求与产业化。     

刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状

干法刻蚀(等离子体刻蚀)技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及微电子IC制造工艺中的刻蚀腔室内衬产生腐蚀。本文综述了国内外腔室防等离子体腐蚀用材料的发展历程与现状,从耐等离子体刻蚀材料、悬浮液等离子喷涂技术和在线监测技术领域的发展展望了抗等离子体刻蚀涂层的未来发展趋势。     

IC铜合金引线框架材料

本文论述了集成电路现状及发展,介绍了世界和我国框架用铜合金材料研究和生产情况,包括IC框架对材料的要求,铜合金框架材料,框架铜带现代生产方法.在此基础上,提出我国IC铜合金带材产业化的必要性和可行性,指出产业化已刻不容缓和迫在眉睫.     

IC钢合金引线框架材料

本文论述了集成电路现状及发展，介绍了世界和我国框架用铜合金材料研究和生产情况，包括IC框架对材料的要求，铜合金框架材料，框架铜带现代生产方法。在此基础上，提出我国IC铜合金带材产业化的必要性和可行性，指出产业化已刻不容缓和迫在眉睫。     

IC工艺控制参数及其与硅片特性关系

阐述了硅片的结构特性、电学特性、化学特性及机械性能等表征硅片质量水平的参数对IC工艺控制参数的影响,总结了制造IC对硅片特性的要求。同时讨论了硅片的“吸杂”应用问题,并根据IC的发展趋势强调了研究“材料与器件关系”的重要性。     

相似方法在断裂力学中的应用：小尺寸单试件测断裂韧性值Kic,Kq

本文用相似方法导出了平面应变断裂韧性的相似准则,根据相似准则导出了用不满足有效的平面应变断裂韧性值 K_(IC)所要求尺寸的小试件的 P—V 曲线计算材料的平面应变断裂韧性值 K_(IC)的方法。当试件满足有效的平面应变断裂韧性值 K_(IC)所要求的尺寸时,这个方法就与现行标准的计算方法完全一样。     

镍基合金中硒、碲的离子色谱测定

自1975年美国H·Small开发离子色谱 (IC)技术以来,无论仪器本身还是应用技术的研究,都发展很快。以美国戴安(Dionex)公司生产的16型、2000系列和我国青岛崂山电子仪器实验所生产的ZIC系列IC仪,已在环保,水质分析系统中广泛应用。成分比较复杂的冶金、地质、工业污水等方面的样品,经过适当的前处理以后,同样可以用IC进行分析。硒,碲对高温合金的性能影响很大。北京矿产地质研究所蒋仁依高级工程师等研究了镍基合金中硒、碲的离子色谱测定方法。方     

IC卡煤气抄收技术的应用与发展

文章介绍了IC卡在包钢煤气公司民用煤气收费系统中的具体应用,分析了IC卡煤气抄收系统的功能特点及收费方式,并对IC卡煤气抄收技术的发展方向进行了有益的探讨.     

IC用铜基引线框架材料的现状与发展

介绍了国内外常用的IC用引线框架材料的性能及研究现状，并对其发展前景进行了展望。     

J积分平面应变裂纹扩展阻力曲线的测定

本文根据纯幂硬化材料模型导出了J积分的塑性部分,又根据的假定,试图说明常用的Jp=2Up/B(W-a)计算式的理论根据和近似性。本文搜集了本实验室对四种材料所散的J积分阻力曲线,结果表明:(1)在相当大的试样尺寸变化范围内,阻力曲线近似为材料特性(2)某些材料的起裂韧性对成分,热处理和微观组织结构不敏感,而阻力曲线则不然(3)用阻力曲线预言大试样K_(IC)时,要区分两种类型材料,其K_(IC)分别相应阻力曲线最高点(饱和点)和起裂点。     

神户制钢公司开发出散热性和导电性好的表面处理钢板

近年来,随着电子器械和家电产品性能的提高,IC、半导体和马达等的发热量趋于增大,因此器械内部温度的升高、IC等精密部件的耐热性和寿命已影响到电子器械和家电产品性能的提高。为解决发热量增大的问题,已采取了壳体材料使用热传导率高的材料、设置散热部件（如散热器等）、采用风扇进行强制散热和在装置上开孔使内部热量自然排出等措施。但是,这些措施会导致材料成本及其加工费用升高,增加装置的部件数量,降低装置的密封性和电磁波的密封性等。     

半导体材料测试方法标准介绍

随着IC产业和光伏产业的快速发展,以及半导体照明工程的开展,国民经济各领域对半导体材料产业提出了新的要求。同时,作为半导体材料产业的工业语言——标准,也备受世人关注;广大用户对半导体材料的各类测试方法的需求也更加紧迫。     

铜加工及引线框架材料的研究开发现状

本文概述了我国及国际铜加工业的发展现状、铜合金引线框架材料的研究开发现状及稀土在铜合金中的应用,介绍了引线框架是集成电路(IC)中的重要部件。同时,提出了今后铜加工及引线框架材料的研究方向及发展趋势。     

1993年度日本化合物半导体市场环境严峻

用于发光二极管(LED)、半导体激光器的光器件和微波FET(场效应型晶体管)、HEMT(高电子迁移晶体管)、数字IC等原材料的化合物半导体材料(晶体)市场,自1991年度下半年(10月～3月)以来进入下降局势,1992年上半年(4月～9月)的交货量,     

IC铜合金引线框架生产污染状况分析与治理措施

IC引线框架用铜带是集成电路的重要基础材料。通过蚀刻法生产引线框架的生产工艺流程及原理入手,分析工艺污染物产生环节、污染物特征以及排放方式等,针对性的提出相应的治理措施,为今后同类型的建设项目提供借鉴。     

国产与西德冷轧辊断裂韧度试验研究

为分析国产与西德冷轧辊使用性能的不同,本文根据断裂韧度试验结果,粗浅探讨了残余奥氏体、晶粒度、轧辊材料的冶炼方法及其钢的纯净度等因素对K_(IC)值的影响,为优质大型冷轧辊的制造推荐了可行方法。     

相似方法在断裂力学中的应用——小尺寸单试件测断裂韧性值K_(IC),K_Q方法的改进

本文在根据相似方法导出的用不满足有效的平面应变断裂韧性值K_(IC)所要求尺寸的小试件的P—V曲线计算材料的平面应变断裂韧性值K_(IC)的方法上,用“等价能量”的概念,即用假想的线弹性的P—V线下的面积等于真实的P—V曲线下的面积,来确定假想断裂点的相应假想试件的尺寸参量D(对于圆形截面)或B(对于矩形截面)。经过改进后的方法所得的K_Q值更符合实验结果,而且较原方法计算的结果低,偏于安全,有利于工程应用。当试件满足有效的平面应变断裂韧性值K_(IC)所需尺寸时,这个方法与现行标准的计算方法完全一样。     

三相交流电动机保护电路

电动机保护电路的性能及其可靠性在很大程度上依赖于所选用的电子元件的优劣。下面介绍一种简单可靠的三相交流电动机保护电路。它由以4块集成电路为主的元件组成,采用穿芯式电流检测技术,输出接口用过零关断交流固态继电器。1 整机工作原理如图１所示,当电源开关KN合上,按起动按钮SB1,交流接触器KM闭合,电动机启动。控制电路得电,三端稳压器IC1为断相保护电路和过载保护电路提供稳定的工作电源。这时VA＞VB,VA＞VC,电压比较器IC2的①、⑦端输出高电平,IC3的⑨端输出低电平,V5截止。IC4的③端输出高电平,固体继电器SSR吸合,常开…     

中国钢研科技集团公司 钢铁研究总院结构材料研究所

钢铁研究总院结构材料研究所（简称ISM）组建于1958年,是先进钢铁材料技术研发和推广的国际著名研究机构。2002年取得质量管理体系认证证书。2004年在国家发展和改革委员会的指导下,以ISM为主体,钢铁研究总院联合12家钢铁企业、大学和工程公司共同组建“先进钢铁材料技术国家工程研究中心”,其项目法人“中联先进钢铁材料技术有限责任公司”注册资本1．1亿元。