基于晶体管的自动增益控制技术研究

针对传统的自动增益控制方式电路复杂、成本偏高的情况,设计了基于晶体管的自动增益控制方案,包括双晶体管控制方式和单晶体管控制方式,对其工作原理进行了分析。在电路设计环节,推导了基于级联AD603的大动态可变增益放大器(VGA)模型,设计了具体的反馈控制电路。给出了实际电路的测试数据,并对测试结果进行了分析。对这2种控制方式进行了比较,并对特点进行了说明。     

关于外延平面管大电流下h_(FE)和f_T下降的理论分析

晶体管最大工作电流I_(CM)直接由大电流时h_(FB)或f_T下降的情况所决定,因此研究大电流时h_(FB)和f_T下降就成了晶体管设计与生产的重要课题,尤其是高频大功率晶体管,这个问题更为突出。     

宽温区晶体管研究

通过版图设计,成功地把双极型晶体管(BJT)和双极模式静电感应晶体管(BSIT)有机结合在一起,构成BJT-BSIT组合晶体管。BJT电流增益具有正温度系数,BSIT具有负温度系数,利用这两种相反的温度特性,使BJT-BSIT的温度特性得到了改善。实验和理论都表明采用这种器件结构,是实现晶体管宽温区工作的很好途径。     

平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析

采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。     

晶体管中频放大器

(一)引言本文讲座晶体管狭频带中频(455千赫)放大器的性能,测试方法及设计理论,将晶体管与电子管中频放大器的性能做简单比较,讨论两种放大器设计方法的相似处及不同处。根据晶体管小信号参数演算放大器在共轭匹配耦合时的性能,并求出最大功率增益、输出及输     

如何判断晶体管的工作状态

晶体三极管是电子电路的基础元件之一。设计人员根据电路要求,将电路中的晶体管分别设计工作于放大状态、饱和状态或截止状态。一旦这些晶体管因某种原因非正常地改变了工作状态,就会引起电路工作失常,导致电子产品发生故障。因此,通过检查电路中相关晶体管的工作状态,对故障进行分析,进而查找故障发生的部位,是维修人员的常用方法,也是电子技术初学者必须掌握的基本功之一。晶体管放大状态的判断晶体管工作于放大状态时,其最基本的特点是发射结(b、e极)为正向偏置,而集电结(b、c极)为反向偏置。以小功率NPN型硅管为例,表现为V_(bc)=0.6～0.7V,而V_(bc)<0V(具体数     

元器件快览——Component Update

本栏目将不定期地向读者报道国内外优秀、新型的元器件产品信息。除特殊说明外,本栏目中的美元价格均为美国本土价。产品特 性型号 . 价格 联系方法砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)光耦合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率MOSFET射频双极晶体管一种3W MESFET(金属半导体场效应晶体管)和一种HJFET(异质结场效应晶体管)供L频带和S频带应用,在设计上适于Class—AB工作;在1.9GHz分别提供lOdB和14dB增益;3.8 x 4.Omm SMT封装.单极常开光耦合MOSFET以350V峰值和120mA的负载工作;在120mA提供25 Q导通电阻、3750Vrms(均…     

场效应晶体管源和漏的内部电阻的测量

一、本征晶体管场效应晶体管不同于典型的(两个结:PNP 或 NPN)晶体管,在第一种近似的情况中,它们的工作原理与晶体中的少数载流子无关;根据这个理由叫做单极晶体管。(在具有两个结的晶体管结构中,少数载流子至少与多数载流子有同样重要的作用,则这些晶体管就称之为双极型的)。实际上,存在着两种不同类型的单极晶体管:结型和绝缘栅型。现在的倾向是:把结型的称之为场效应晶体管,把绝缘栅型的称之为 MOS 晶体管(金属-氧化物-半导体,构成栅     

高频晶体管小电流h_(FE)参量分析

<正> 一、引言晶体管共发射极直流特性曲线族,直观地反映出晶体管在不同集电极工作电流时电流放大系数h_(FE)的数值。无论哪种晶体管直流特性曲线族的线性问题,在产品质量分析中都占有重要地位。双极型晶体管h_(FE)在小电流下单调下降已为众所周知,很多人对小电流h_(FE)的变化规律进行了各种研究,提出多种物理模型和h_(FE)的数学表达式。晶体管制造厂家也始终把h_(FE)的线性作为工艺过程的重点赋与高度重视。     

用晶体管结构图示法解析BV_(CEO)=BV_(CBO)

1.前言普通晶体管的BV_(CEO)遵从如下经验公式:我们在制作超高频低噪声晶体管中,由于其结构不同,往往BV_(CEO)=BV_(CEO)或者BV_(CEO)接近BV_(CEO).本文就这一问题,试从晶体管的结构入手,用图示法进行解析.分析表明,晶体管结构不同,BV_(CEO)和BV_(CEO)将有不同的关系.2.事本结构为满足超高频低噪声晶体管的参数要求,     

2～8 GHz超宽带低噪声放大器设计

文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2～8 GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实现单电源供电,并且加入了正电延时模块确保晶体管正常工作。测试结果表明,在2～8 GHz频率范围内,输入反射系数S_(11)和输出反射系数S_(22)分别小于-8.5 dB和-7.7 dB,正向增益S_(21)大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB。     

模拟电路实用知识讲座(3)

<正> 第三讲 场效应管的工作 原理及应用 场效应管(用FET表示)与晶体管的控制机理不同,它是利用输入电压去控制输出电流的一种半导体器件。根据结构和工作原理不同分为绝缘栅型(又称MOS管或MOS-FET)场效应管和结型(JFET)场效应管两大类型。与晶体管相比,它具有输入电阻高,制造工艺简单,特别适合大规模集成等诸多优点,因此得到了广泛的应用。     

硅双极晶体管直流特性低温效应的研究

从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。     

八达飘韵(PURER)3.3甲类合并式功放

目前,在音响器材的设计制造过程中采用“胆石混血”(即同时在担任放大输出的电路中使用电子管和晶体管)这种方式的厂家逐渐增多。得到最多使用的是立体声合并式功率放大器,在前级放大部分采用电子管,在后级输出部分采用晶体管或场效     

一个应引起重视的高频参数——晶体管r_(bb'''')C_c乘积

一、引言众所周知,晶体管有放大信号的功能,但当输入交流信号频率升高时,晶体管放大能力要下降,这是所有晶体管的共性.然而实际测量表明:不同晶体管放大能力显著下降的频率各不相同,例如有的晶体管(低频管)的放大能力在几十千赫就开始下降了,但高频和微波晶体管一直可以工作到几百兆赫甚至更高,而且同一种型号的晶体管的放大能力也相差甚多.这些都说明了合理和正确测量晶体管的高频特性就显得极为     

改进的FET设计扩展到毫米波

<正> 虽然通常的FET在求得毫米波性能方面已进行了很多细致的工作,但在满足振荡频率越来越高的工作要求方面,现有的设计是无能为力的。一种完全不同的FET结构,即栅-源对置FET(OGST)的出现,有可能突破现有设计的频率极限。这种新型晶体管结构是将栅和源放置在薄导电沟道的相对的两边。漏则配置在沟道的相对两端,但在晶体管的输出处,它们是电学连接在一起的。这种设计与通常FET相比,有一定的优点:     

基于SiC的NPN双极型晶体管设计

利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。     

高压功率开关晶体管h_(FE)-Ic关系的预示

本文根据电流连续方程和电荷控制理论,推导了一个预示硅n~ -pn~-n~ 高压功率开关晶体管的电流放大系数h_(FE)与收集极工作电流I_c之间的关系的归一化表达式,用以指导功率开关晶体管的设计,以达到快速、准确地确定收集极最大工作电流I_(cm)之目的.把所得的关系式用于预示BV_(ceō)≥100伏的高压功率开关晶体管的h_(FB)-I_c关系,取得了理论与实践相一致的结果.文章的最后部份讨论了影响预示正确性的一些实际因素.     

电子辐照改造晶体管h_(FE)值

电子辐照晶体管技术在我国的研究和应用已取得可喜的进展。几年来我们做了一些工作,取得了一些实践经验和经济效益,我们的主要工作是应用电子辐照技术开展改造加工高h_(FE)值的晶体管产品(简称晶体管FZ加工)。     

硅双极晶体管的hFE温度相关性分析及其应用

本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和E_g随温度变化而变化有关。导出了h_(FE)相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。