InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究

利用金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术 ,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器 ,其有源区采用了分别限制单量子阱结构 (SCH -SQW) ,利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于 1W ,峰值波长 91 0nm± 2nm。     

高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长

为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。通过综合考虑各个因素,选用了A lInGaAs四元系统作为有源材料,优化设计出了高特征温度的半导体激光器结构,并用MBE设备生长这种结构,测试样品质量达到了设计要求。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料 (GRIN—SCH—SQW )。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到 1 0W ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究

设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时,器件的阈值电流为0.8m A,斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8m A时,输出功率达到0.12m W。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806－809nm。     

四能级AlGaN/GaN量子级联激光器性能的影响因素研究

在研究了三能级Al Ga N/Ga N量子级联激光器性能影响因素的理论之上,进一步采用了严格的计算方法对此材料量子级联激光器的四能级系统实现太赫兹波的辐射进行了可能性分析.利用传递矩阵法,计算得到了基于Al Ga N/Ga N材料的四能级量子级联激光器体系中的导带电子子能级与波函数的分布,详细地分析了Al Ga N/Ga N材料所特有的极化效应所产生的极化场,得出了在近共振条件下外加电场、垒层Al组分及导带子能级能级差之间的关系,并研究了它们对激光器性能的影响.分析结果表明,实现受激辐射的条件非常严格,Al组分取0.15,同时外加电场取57 k V/cm时,对激光器的性能较为有利,可以为激光器构造较好的有源区.     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

GRINSCH—SQW激光器波导特性的数值分析

分析了具有缓变折射率分别限制单量子阱的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直于激光器结平面方向上的光强近场分布，进而求得有源层的光限制因子Г及各种波导结构参数对Г的影响。     

LPE生长外延片超有源层结构的SEM研究

通过对液相外延生长的外延片不同处理处理的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜来观测有源区厚度的有效方法－蒸金法，最优可观察到有源区厚度２０ｎｍ，对设计厚度为１８ｎｍ结构来说，这是一种便利有效的观察手段。     

GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析

分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布，进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。     

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。     

Deep levels, transport and THz emission properties of SiGe/Si quantum-well structures

Recharging of quantum confinement levels in SiGe quantum wells (QW) was studied by charge deep-level transient spectroscopy (Q-DLTS) for Si/SiGe/Si structures with different Ge contents in the SiGe layer. A peak with activation energy varying in the range from 0 to 100 meV in different tempera-ture intervals was observed in Q-DLTS spectra. Activation energies extracted from Q-DLTS measure-mens are in good agreement with energies of quantum confinement levels in the QW.     

双频多模无线局域网技术分析

从物理层和介质访问控制层对双频多模无线局域网的关键技术进行了较深入的分析。在物理层分析了DSSS(Direct Sequence Spread Spectrum，直接序列扩频)技术，并探讨了OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing，正交频分复用)和CCK(Complementary Code Keying，补充编码键控)技术；在介质访问控制层分析了带冲突避免的载波侦听多路访问和RTS/CTS(Request To Send/Clear To send)协议。说明了双频多模技术的优越性，并介绍了一种实现双频多模技术的芯片。     

不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究

针对半导体薄膜厚度对器件光学特性的影响,利用金属有机物气相外延法研究了蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN单量子阱结构,其在室温下的的光学特性.大量实验结果表明,随着样品InGaN势阱层宽度的增加,光致发光谱的发光峰值波长出现了明显的红移现象,而且发光强度下降,谱线半高全宽展宽.通过对不同样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象.     

敷设约束阻尼薄壁圆柱壳的振动特性

为分析约束阻尼对薄壁圆柱壳振动特性的影响,应用哈密顿原理结合瑞利-李兹法求解敷设约束阻尼圆柱壳的动力学方程.得出自由振动时的固有频率、损耗因子的计算公式;应用模态叠加法计算圆柱壳上任意一点的频率响应.提出能量耗散系数,将其作为阻尼效果的评价标准,用来分析约束阻尼结构各参数对阻尼效果的影响,并与损耗因子进行比较.结果表明:约束阻尼可以有效地抑制薄壁圆柱壳振动的传递;在指定频带范围内能量耗散系数能够作为阻尼效果的评价标准;阻尼材料阻尼系数、约束层弹性模量、约束层厚度、阻尼层厚度均会对阻尼效果产生影响.     

Synthesis and characterization of layered perovskite-type organic-inorganic hybrids (R-NH3)2(CH3NH3)Pb2I7

Layered organic-inorganic hybrids containing bilayer perovsikte (R-NH3)2(CH3NH3)Pb2I7 (where R=C12H25,C6H5C2H4) were synthesized by reactions in solution. The influences of the solvents and the reactant ratio on the structures of the products were investigated. The structures and the properties of the hybrids were characterized using X-ray diffraction (XRD) and ultraviolet and visible (UV) adsorption spectra. For comparing with the bilayer perovskite hybrids in structure and band gap magnitude, the hybrids containing monolayer perovskite (R-NH3)2PbI4 were also synthesized and characterized. The results demonstrate that the thickness of inorganic layer has obvious effect on the tunneling magnitude of the band gap but the organic part can be micro actuator of band gap.     

基于IEEE 802.16标准的OFDM系统信道估计性能分析

IEEE 802.16是美国电气和电子工程师协会(IEEE)所制定的新一代宽带无线接入系统标准,本文介绍了IEEE 802.16标准物理层结构以及SUI信道模型.基于最新IEEE 802.16-2004标准,本文还分析了在多径衰落信道下各种OFDM信道估计方法的仿真结果.     

CZTSSe薄膜与Mo背电极接触特性的数值分析

为分析CZTSSe薄膜太阳能电池的背电极接触特性,采用AFORS-HET（Automat for Simulation of HETerostructures） v2.5软件对CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo结构进行数值分析,研究CZTSSe的带隙和电子亲和能、Mo（S,Se）₂界面层的厚度以及带隙对CZTSSe与Mo电极的电学接触特性的影响。结果表明CZTSSe的带隙和电子亲和能的增大,使得CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo的欧姆接触减弱并向整流接触转变;对于带隙较窄的CZTSSe,加入界面层使CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo形成的欧姆接触转变为整流接触,随着界面层厚度的增大,整流接触逐渐减弱;对于带隙较宽的CZTSSe,加入2 nm的界面层使得CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo形成的整流接触增强,但随着界面层厚度的继续增大,整流接触减弱。当CZTSSe的带隙和电子亲和能较小时,CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo形成欧姆接触,控制界面层厚度为100 nm左右可以得到最优的电学接触特性。     

Optical and electrical properties of hydrogenated silicon oxide thin films deposited by PECVD

In this work, n-type amorphous silicon oxide thin films were deposited by RF-PECVD method using a gas mixture of SiH4, CO2, H2, and PHy The deposition rate, refractive index, band gap, crystalline volume fraction, and conductivity of the silicon oxide thin films were determined and analyzed. The film with refractive index of 1.99, band gap of 2.6eV and conductivity of 10-7 S/cm was obtained, which was suitable for the intermediate reflector layer.     

基于软弱夹层模型的瑞雷面波各模式相速度敏感性分析

针对瑞雷面波在工程勘察中常见的含软弱夹层地质结构,分析了其各阶模式相速度对横波速度和层厚的敏感性。通过计算不同模型参数时的雅克比矩阵,得到各阶模式相速度对变化参数的敏感性。结果表明：在软弱夹层模型中相速度对第1层介质的敏感频段依次相连,各阶模式相速度的敏感性曲线都出现了一个峰值;相速度对第2层介质的敏感性增大,各阶模式都出现两个敏感频段,呈驼峰状;相速度对横波速度的敏感性总体上强于对层厚的敏感性。