进入完成阶段的1M位动态RAM的开发

1985～1986年主要厂家将制作出1M位动态RAM样品。目前,各公司正在抓紧进行方案拟定、设计以及制造技术的研究工作。品种确实增加了。增加了×4结构的比重。规定了一套封装的标准。使用的技术与目前各公司制作256k的技术相同。最初使用的技术是从256k的技术基础上发展而来的。引人注目的存储单元结构中除一部分外,是以往通用的平面型结构。这种结构的芯片面积是60～65mm~2。为了使面积进一步缩小,采用开槽型或堆栈型(积未型)结构。前一种缩小面积的结构可以在1M以下时使用。设计规范大致是1.2μm。有的厂家兼用nMOS和CMOS工艺,有的厂家集中使用CMOS工艺。     

基础领域改革已进入理性攻坚阶段

介绍了国外基础领域改革的现状，论述了反对行政垄断而不反对自然垄断、反对滥用垄断支配地位而不反对垄断状态的辩证关系，提出了国家应重视基础领域与一般工业企业不同的经济特征，需要建立独立行业监管机构的几点建议。     

256K 动态RAM

在不断地降低成本和提高密度的努力下,256K字×1位的单管单元RMA设计成功,并封装在标准的300密耳16脚的双列直插管壳中。 该RAM设计成与现有的16脚16K RAM和16脚64KRAM相容。管脚排列和照片示于图1。芯片被排列为256行×1024列的矩阵,并在内部组成两个128K RAM。芯片上主要电路块位置示于图2。 存储器单元版图设计见图3,每个单元尺寸为5.7×12.5μ,由于把电容氧化膜厚度减至200(?),使之具有0.035PF的存储电容。     

大容量动态 RAM 的发展途径

<正> 进入七十年代之后,迎来了 LSI 的全盛时期,1970年出现了1K 位动态 RAM,而后在1974年和1976年又分别出现了4K 和16K 的产品,1979年研制成功了64K 位动态 RAM,从而进入了 VLSI 的领域。在1980年2月召开的国际固体电路会议上,日本发表了两篇关于256K 动态 RAM 的论文,引起了人们的极大关注和强烈反响。此外,日本还在会上提出了兆位存储器的设计方案和试制样品。随着半导体技术的发展,人们估计在八十年代末期,也许会使兆位存储器达到实用化的水平。     

64K位NMOS动态RAM

MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术的牵引车是动态NMOS存储器。动态存储器产品研究重心已开始从16K转向64K。用户强烈希望64K能在IBM公司的新系列中得到应用。但长期以来,半导体厂家并没有满足用户们的这一愿望。其主要原因除了需要微细加工技术的制造工艺和软误差等问题外,还需要考虑所谓的电源电压问题。开始的     

256k动态RAM转向生产

虽然半导体存储器的发展预计可能是为获取高阵列密度、快存取时间而奋斗,但在83年的ISSCC展览会上却使人大开眼界,这是因为其技术水平和应用领域进入了一个前所未有的阶段,(256K动态随机存取存储器正准备初次投放市场)其速度确实是很快的——100ns或更小。同时,4kMOS单元的静态RAM的存取时间将达到5ns,而16k双极型态RAM的典型存取时间将达到15ns左右。     

FTTx发展已进入快车道

随着各种网络新业务的出现,现有接入方式已经不能满足用户的带宽需求.为解决这一问题,运营商大力推广FTTx商用工程建设.2008年,EPON设备商用取得重要进展,中国电信、中国网通纷纷展开大规模采购,这也为FTTx的发展注入了新的动力.烽火通信科技股份有限公司FTTH推进小组副组长熊中柱认为:2008年,运营商"光进铜退"工作会全面提速,烽火通信FTTx将借势腾飞.     

数字化产业已进入转型期

3月24日消息（魏铮）数字行业迅猛发展，技术应用、产品质量服务等各个环节都在不断向前演进，在第十七届中国国际广播电视信息网络展览会（CCBN 2009）期间，清华大学信息技术研究院王兴军教授指出“数字化产业已经进入了转型期”。     

同创进入卫星通信领域

由原国家计划委员会(国家计委)批准立项、由同创集团承建的天地环网网络示范工程于2005年建成后,2006年正式进入商业化运营。据悉,该工程项目是同创承接的第一个卫星通信项目,也是令同创从起家领域——计算机跻身卫星通信领域的标志性项目。曾经辉煌过南京同创信息产业集团有限     

激光进入信息处理领域

已经发表了许多关于导波光学系统应用于通讯的文章，但需看到光学通讯仅仅还是一种处于发展初期的新技术。现代光学是以激光这一光源的发展为起点的。自从1837年莫斯(morse)发明电报以来，已经发展了一个无线电、电视、计算机的电子世界。现在，现代光学给我们带来了光学通讯。但不能忘记激光，特别是半导体激光是唯一的既可用于通讯，也可用于大量信息处理的能源。     

单5伏64K动态RAM

本文介绍用于大型机和小型计算机的65,635字×1位动态RAM。 该器件(16条引线)以5伏单电源工作,与TTL相容,并能承受从-1伏到+7伏的直流输入电平(在交流瞬态可超过此范围)。V_(ss)电源和衬底偏压都用系统的地。同期时间250ns时,64KRAM取数时间为100-150ns,功耗(极坏情况)<200mW。     

一种制作动态RAM的先进技术

得克萨斯仪器公司采用的按比例MOS(SMOS)工艺是一种先进的双层多晶硅技术,几何尺寸小达2.5微米。到目前为止,许多加工步骤的简化使该工艺成为半导体工业中最简单的制造方法之一。制作TMS4416才需要9次掩蔽,其中包括预防划伤的保护性涂层和二步接触加工方法的掩蔽。 其它的存贮器制造厂商或用存贮单元下的注入技术或提高单元面积来谋取足够的信号-噪声比,但是,SMOS工艺却     

高密度和高性能的单管动态RAM单元

本文叙述常规双层多晶硅单管动态RAM单元的结构和工艺,该单元中进行了特殊的器件改进,获得了最佳密度、速度和软误差率(SER)的256K和低成本64K动态RAM产品。通过采用相当于150埃氧化层厚度的薄介质和双场氧化(DFO)工艺减少存贮电容的鸟嘴(<0.2μm),使得单元存贮容量提高。P~-衬底上的P阱对于由入射α粒子所产生电荷提供了反射势垒。低金属字线电容和短的深掺杂扩散位线加快了单元存取时间。研制出了面积为53μm~2到77μm~2的单元,并进行了试验。此工艺应用平行极板等离子体对各层进行腐蚀,在关键掩膜层上采用圆片步进机光刻。此单元结构已被用于芯片面积为154密耳见方,70ns的存取时间和<0.001％/1KHr的软误差率的64K存贮器的设计之中。     

各代动态RAM的发展变化情况

各代动态RAM的发展变化情况Ⅲ l Ⅳ各代动态RAM的发展变化情况@安德烈     

单片机已进入广泛选择时代

目前，单片机应用开发已进入新阶段，用户应根据单片机产品的技术要求、运行环境、产品的性价比来广泛选择单片机，以实现最省、最优，这是出席北京单片机联谊会第四次主题研讨会的与会者们的共同看法。表１东芝公司ＴＬＣＳ８７０基于双时钟、不同电压状态下的功耗状况...     

我国LED材料已进入商用化

本文结合目前LED产业发展实际情况,介绍了国产LED材料的发展现状,说明了我国LED材料已可以替代大部分的进口产品,并且具有较高的性价比。