共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH4)加乙烯(C2H4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiCx^2H)薄膜,随着(C2H4+SiH4)/H2(Xg)从5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5-10nm。当Xg≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiCx^2H)薄膜。nc-SiCx^2H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 相似文献
3.
使用RD-1型热导式自动量热计测量了不同温度下环十二酮肟在98%硫酸中热效应。结果表明:当T<333K时,仅产生溶解热效应,303K下溶解热△H_(s,m)=-51.7kJ·mol ̄(-1)(m=4.285mol·kg ̄(-1));当T>343K时发生环十二酮肟重排反应,393K下反应热△H_(R,m)=-231.8kJ·mol ̄(-1)(m=4.96×10 ̄(-3)mol·kg ̄(-1))和△H_(R,m)=-237.0kJ·mol ̄(-1)(m=1.7×10 ̄(-2)mol·kg ̄(-1))。 相似文献
4.
本文给出了非晶态Li ̄+离子导体Li_2SO_4-Li_bO-P_2O_5体系的制备条件、导电性以及差热分析(DTA)结果,同时还对其晶化过程进行了研究。结果表明,首先成功地制备出了以Li_2SO_4为基质的非晶态离子导电材料,并且在350℃时组成为Li_2SO_4-0.30Li_2O-0.70P_2O_5样品的电导率最大(σ=6.78×10 ̄(-3)Ω ̄(-1)cm ̄(-1)),这一结果与DTA测量结果取得一致,SEM证明是由于非晶母体部分晶化造成的。采用液氮温区急冷技术已成功的将该状态稳定到了室温,稳定后的态再重测其电导率随温度变化关系,相应的电导率提高30%左右,如果找到某种合适的稳定剂使其一直处于微晶态,将为高电导率离子导体的制备提供一条新路。 相似文献
5.
无Co混合导电型陶瓷透氧膜的制备和性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
首次合成了Sr10-n/2BinFe20Om(n=2,4,6,8,10等)系列氧化物透氧膜,它们具有较高的透氧能力,其中,样品n=10在1100K时的透氧率为0.90ml(STD)/(cm2·min),比Sr1-xBixFeO3高约两倍.Sr1-xBixFeO3(x=0.1,0.3,0.5)系列的透氧率随Bi含量增加而增大.通过两个系列氧化物的XRD和化学组成的对比,发现Bi离子含量和晶格空位浓度对透氧能力大小起决定性作用. 相似文献
6.
7.
C2H2/N2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制轩的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。结果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5-2.0μm。 相似文献
8.
二价离子替代的Nasicon及其应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
含二价阳离子的Nasicon,M ̄(2+)Nasicon(M=Mg、Ca、Sr、Zn)可由母体Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。X射线衍射分析结果表明离子交换后的产物M ̄(2+)-Nasicon大多保持原母体的C_(2/c)结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Nasicon的电导率相差甚大。其中最好的是Mg ̄(2+)-Nasicon,其电导率在400℃时可达到1.48×10 ̄(-2)S/cm。Mg ̄(2+)-Nasicon用作微功率固态电池Mg/CuCl的电解质,该电池的开路电压为2.07V,短路电流为1mA。平均放电电压为1.6V,电池的放电容量是3.4mAH。 相似文献
9.
本文利用水热合成方法对MSnO3和MSn(0.5)Zr(0.5)O3(M=Sr,Ba)的合成进行了研究,并采用XRD、SEM和ICP等方法对产物进行了表征,结果表明:在M(OH)2-SnO2(或SnO2+ZrO2)-KOH体系中,当KOH/Sn和KOH/(Sn+Zr)≥30时,260℃下晶化5~7天,可获得MSnO3和MSn(0.5)Zr(0.5)O3纯相,在M(OH)2-(SnO2+ZrO2)-KOH-H2O体系中,可通过控制介质碱度来获得MSnO3+MZrO3混合物和MSn(0.5)Zr(0.5)O3,并根据合成规律初步探讨了反应过程. 相似文献