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相似文献
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1.
石墨化率不同的自焙炭块的热扩散率   总被引:1,自引:0,他引:1  
薛向欣  黄晓煜  杜英敏  张殿有 《金属学报》1996,32(11):1227-1232
采用激光脉冲加热及降温法测定了石墨化率不同的自焙炭块在200-1100℃范围内的热扩散率α。结果表明:一定温度下石墨化率越高,α值越高;石墨化率一定下,α值随温度升高而降低。文中还由实验结果讨论了自焙炭块的抗热震性指标R。  相似文献   

2.
一种自焙炭块的导热系数   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用激光脉冲法、铜卡量热计法和浸渍法分别测定了不同石墨化度的自焙炭块的热扩散系数α、恒压比热容cp和体积密度Db,并据λ=Dbcpα求出200~1100℃该炭块的导热系数λ。结果表明:原始自焙炭块的λ值随温度升高而增大,这可能是由于测试过程中石墨化度随温度升高而明显增加,且λ值与石墨化度成正比所致;恒温下,λ值随石墨化度增加而增大;在石墨化度较高时,λ值随温度升高而稍有降低。当石墨化度在0.7以上时,国产自焙炭块的λ值接近美国UCAR炭砖的值  相似文献   

3.
铸造生产中热物性参数的变化   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了热扩散率α、比热容C、热导率K等热物性参数(热三数)在金属中(纯金属与加入其他材料的合金)、球铁、蠕铁和灰铁等三种不同石墨形状影响下的变化。结果表明,纯金属(铜)的α值比掺入Al合金及加碳纤维的铜合金大。而比热容C则与α相反,纯铜最小,加入Al的合金次之,加碳纤维的最大。而K值则与α值成正比,纯铜的K值远大于另两种合金的K值。铸件中球状石墨的α数值远远小于片状石墨的α值。蠕虫状石墨介于二者之间。片状石墨的K值大于球状石墨的K值(差值大于2倍),C值差异不明显。片状石墨的α曲线随温度上升呈下降趋势。材料(3Cr13)密度大则α和K值均较密度小的大。一般情况下,造型材料的K值都随温度的提高而增大。  相似文献   

4.
不同热处理温度下炭/炭复合材料的制动摩擦性能   总被引:11,自引:4,他引:11  
在MM - 10 0 0摩擦试验机上 ,对一种针刺毡结构的炭 /炭 (C/C)复合材料在不同热处理温度下的摩擦磨损性能进行了测试 ,并对摩擦表面进行了光学形貌观察 ;采用X射线衍射技术测试了其在不同热处理温度下的石墨化度 ,并对石墨化度与材料的摩擦性能之间的关系进行了探讨。结果表明 :随着热处理温度升高 ,针刺毡结构的炭 /炭复合材料的石墨化度提高 ,摩擦磨损性能也相应发生变化 ,即摩擦因数开始随热处理温度升高而增大 ,到 2 30 0℃时出现峰值 ,线性磨损和质量磨损则在 2 2 0 0℃时出现峰值 ,氧化磨损则随热处理温度升高而下降。石墨化度对材料的摩擦磨损性能有一定影响 ,合理控制石墨化度可以得到理想性能的材料 ,对本研究所用的C/C复合材料其最佳的热处理温度为 2 30 0℃。  相似文献   

5.
范金辉  陈锋  朱世根  华勤  周技  朱彦方 《铸造》2013,62(1):21-24
采用热分析法对球墨铸铁球化率进行研究.在生产现场利用热分析仪记录球墨铸铁凝固冷却曲线,获取冷却曲线上的特征温度值,使用温度特征值和图像分析软件对不同试样的球化率进行分析.研究表明:共晶过冷温度TEU、共晶最高温度TER以及共晶回升温度△T (△T=TER-TEU)与球化级别之间有密切关系,即TEU的降低预示着球墨铸铁球化率和球状石墨数量的提高;球墨铸铁球化率随△T的降低而提高;热分析试样的球化率可由特征温度值组合表达为:y=4376.36118-3.73055TEU-4.21075△T.  相似文献   

6.
球墨铸铁的脉冲电流退火处理   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用高压脉冲电源对球墨铸铁进行了固态石墨化退火处理,研究了脉冲电流退火处理下保温温度和升温速度对渗碳体石墨化过程的影响.结果表明:在适当的处理时间、足够高的温度下,即在30s内温度达到1100℃时渗碳体可实现快速石墨化.脉冲电流退火处理下碳原子的快速扩散和石墨的快速长大是渗碳体快速石墨化的主要原因.  相似文献   

7.
通过轧制试验和OM、TEM观察研究了不同热变形参数对TA15合金片层组织球化过程的影响。结果表明:魏氏组织中α片层与β相薄层之间的变形不一致,随变形增加,能量聚集达到α相的晶界迁移和β相在片层α相内镶嵌所需变形激活能,即发生片层球化。变形温度为920℃时,α片内的位错在高温下更易发生动态回复,不利于片层α相的球化;变形温度为880℃时,TA15合金的显微组织球化率明显升高。  相似文献   

8.
研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响。在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚。用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况。实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者:当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制;随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制;当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长。  相似文献   

9.
用定向凝固和电解萃取—放射性同位素测量技术,分析了球化剂Ce在球铁各相中的分布;配合测量石墨球化率,确定了球铁含Ce量与石墨球化程度的关系,结果表明:Ce在球铁中主要以合金化Ce的形式存在,但石墨相Ce含量是石墨球化程度的表征值;只有当石墨相Ce含量高于一定值时,石墨才能完全球化。  相似文献   

10.
本文利用离心力场能使初生石墨和共晶石墨分离并基本保持其初生形态的早期形状的特点,研究了用1~#稀土合金处理的过共晶蠕墨铸铁的初生石墨形态。文章指出,过共晶蠕墨铸铁的初生石墨形态随蠕化率不同而变化。在高蠕化率下,初生石墨的早期形态主要是“昆虫”状石墨。而在较低蠕化率下,其主要为球团状石墨。同时还指出,在蠕化剂加入量低的情况下,孕育处理有促进蠕虫状石墨形成的作用。  相似文献   

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