高纯金属和半导体材料分析会议在杭州召开

冶金部冶金分析情报网有色专业组举办的冶金部高纯金属和半导体材料分析经验交流会,在峨嵋半导体材料厂、上海冶炼厂、沈阳冶炼厂、洛阳半导体材料厂和北京有色金属研究总院的筹备和组织下,于1979年11月10日至16日在浙江省杭州市举行。这是自1965年第二次全国高纯分析会议以来,     

当代高纯半导体材料分析的进展（一）

本文评述了1983~1993年半导体硅材料、高纯元素、化合物半导体等高纯半导体材料的分析进展。     

“高纯稀土分析讨论会”在沪举行

中国稀土学会“高纯稀土分析讨论会”于1983年6月13日至17日在上海召开。全国37个单位的55位代表出席了会议。代表们对高纯稀土的分析及发展我国高纯稀土分析的途径等问题,进行了热烈而广泛的讨论。     

体杂质分析试样的表面处理

文本简要评述了半导体及高纯材料体杂质分析试样的表面处理。     

第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会在沪召开

中国金属学会举办的1981年第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会,于11月25日至28日在上海召开。参加会议特邀及正式代表90名,列席49名,分别来自全国的科研、生产、高教、情报及管理部门。会议收到论文111篇,最新消息6篇。 会议反映我国近两年半导体化合物研究的进展。在材料方面,砷化镓的纯度、完整性和深能级     

原子吸收光谱学术会议

中国金属学会理化检验学术委员会和冶金工业部分析情报网于1982年11月4～9日在杭州联合召开了原子吸收光谱学术会议.141个单位的188名代表出席了会议.原子吸收光谱是一项新发展起来的有效的分析技术,已被广泛应用于矿石、原料、冶金产品、高纯材料的分析和环保检测等方面.这次会议共发表153篇论文及报告,其中特邀报告7篇、大会报告16篇、分组报告71篇、交流资料59篇.其内容包括无焰原子吸收、火焰原子吸收、氢化物原子吸收和原子荧光、各种分离富集手段、仪器改进综述、以及试验     

1983年全国砷化镓和有关化合物学术交流会在上海召开

1983年全国砷化镓及有关化合物学术交流会于1983年11月21日至25日在上海召开。会议由中国金属学会半导体学术委员会委托上海市金属学会、冶金部有色金属研究总院和中科院上海冶金研究所主办。参加会议的代表除来自国内53个单位的127名外,还邀请4名国外学者。会议收到论文135篇。会上共宣读119篇,其中以英文宣读的有15篇。这些论文涉及熔体生长、液相外延、气相外延和分子束外     

萃取法生产高纯氧化钆

跃龙化工厂采用P_(507)—盐酸体系萃取,生产高纯氧化钆的生产线,自84年8月投产以来,工艺稳定,已于3月27日通过转产验收,上海冶金局、有色金属公司有关部门参加了验收会议。高纯氧化钆在医用X射线增感屏、彩电     

我国高纯TiO2的市场现状

我国高纯TiO2的主要市场在PTC热敏电阻、MLCC、半导体电容及SrTiO3基压敏电阻.年市场需求约6300t,其中,PTC热敏电阻约需1200t、MLCC约需5000t、半导体电容约需65t,SrTiO3基压敏电阻约需35t.高纯TiO2的国内售价,仅是日本东邦TiO2的1/3～1/2.     

我国 Ⅲ-Ⅴ族化合物和MOCVD研究成果显著——1989年全国GaAs及有关化合物会议和第一届全国MOCVD会议在安徽召开

1989年10月20日至24日在安徽省太平县由中国有色金属学会半导体学术委员会召开了1989年全国 GaAs 及有关化合物会议和第一届全国 MOCVD 会议。会议由上海冶金所、上海有色金属学会、上海金属学会主办。来自全国科研、生产和教育等52个单位的270名代表出席了会议,会上以各种方式交流的论文多达240余篇。     

参加96’SEMI标准研讨会的报告

国际半导体设备与材料组织（SEMI）与SEMI中国标准化委员会于1996年11月18日在北京联合召开了96’SEMI标准研讨会。这次会议是在由SEMI主持的SemiBeihng96’国际半导体设备与材料展暨研讨会的同时召开的。中国是SEMI标准化组织的正式成员。在“九五”规划中，我国已把电子工业作为国民经济的支柱产业之一，并把集成电路产业的发展放在了最优先的重要地位。为加强国内半导体行业的对外合作，协调SEMI在华的活动，我国承办了SEMI的此次大型活动。SEMI是半导体行业中最具代表性的国际组织，一个有IBM、M0torola、AT＆T、TI、…     

“上海市半导体工作者联谊会”首次会议

“上海市半导体工作者联谊会”首次会议于1987年3月11日在上海第二冶炼厂召开。参加联谊活动的有上海地区长期从事半导体材料与器件生产、科研、教学的专家、企业家60余人。市顾问委员会陶植同志出席了会议并讲了话,市有色总公司彭锋总经理和袁嘉良总工程师也应邀与会。会议人士以极大的兴趣,听取了上海第二冶炼厂关于从美国引进的目前国内规模最大的硅单晶、硅片和外延片生产线的介绍,并参观了施工现场。大家一致认为,半导体工作者联谊会,     

利用4.2-300K变温霍尔效应分析半导体纯度

半导体材料的纯度,是半导体材料及器件工作者所共同关心的重要问题之一。但由于半导体材料的纯度已经相当高,因此分析高纯金属的一般方法(如质谱、化学光谱等)往往不能给出较为准确的结果。霍尔效应可以分析各种半导体材料的纯度,给出受主和施主杂质总浓度,指出主杂质是什么元素,并给出电阻率、迁移率等其他重要数据。但它需要比液氮更低的低温条件。     

2012年全国热喷涂技术研讨会最后一轮通知

报到时间:2012年11月5日会议时间:2012年11月6～7日会议及企业参观时间:2012年11月7日会议参观游览:2012年11月7～8日会议地点:中国广东省佛山市枫丹白鹭酒店主办单位:全国热喷涂协作组北京矿冶研究总院《热喷涂技术》编辑部协办单位:广州有色金属研究院佛山先进表面技术有限公司     

2012年全国热喷涂技术研讨会最后一轮通知

报到时间：2012年11月5日会议时间：2012年11月6～7日会议及企业参观时间：2012年11月7日会议参观游览：2012年11月7～8日会议地点：中国广东省佛山市枫丹白鹭酒店主办单位：全国热喷涂协作组北京矿冶研究总院《热喷涂技术》编辑部协办单位：广州有色金属研究院佛山先进表面技术有限公司     

电感耦合等离子体串联质谱技术特点及国内应用现状

本文介绍了电感耦合等离子体串联质谱(ICP-MS/MS)仪器及技术特点，对近5年来电感耦合等离子体串联质谱在高纯金属及其氧化物、合金、冶金物料中杂质元素的分析，环境样品、食品、植物、中药中痕量元素及同位素分析、元素形态分析，以及化学工业及半导体中无机元素分析等方面的应用进行了概述和总结。展望了电感耦合等离子体串联质谱技术发展及应用前景。     

上海市半导体材料专业委员会召开会议

<正>4月22日上午上海市有色金属学会半导体专业委员会在中科院技术物理研究所召开会议,到会的委员们专题研究、探讨了学会和专业委员会如何创新、持续扩大影响,在学术研讨、技术服务等方面更好地服务于会员单位等问题.会议确定了专业委员会的下一步工作重点及2015年上海半导体材料学术年会的相关选题.     

高纯钛的生产技术

高纯钛在半导体超大规模集成电路中以钛硅化合物（ＴｉＳｉｘ）、氰化钛（ＴｉＮ）、钨钛（Ｗ－Ｔｉ）等形式用做控制电极、扩散阻挡层、配线等材料,这些都是以薄膜形式使用的．薄膜主要是用溅射方法制备,所以高纯钛是作为溅射靶材使用．在纯度要求上,必须充分除去 Ｎａ, Ｋ等碱性金属, Ｕ, Ｔｈ等放射性元素、Ｆｅ,Ｃｒ,Ｎｉ等重金属元素．另外,随着半导体的微型化,还开发了被称为离子金属等离子的技术,其溅射设备腔体内的各种部件也开始采用与溅射靶同样材质的高纯钛．在生物材料方面,高纯钛丝可用作捆扎材料． 高纯钛的生产…     

高纯铟的试制

随着国民经济及国防工业的发展,高纯铟及其化合物已广泛地应用于半导体、原子能及仪表制造等方面。我们曾于1971年7月以邗江化工厂综合回收之品位为60.8％的铟合金作原料,做了试制提纯工作,继之又根据我们小型试验的初步探讨以省机械局的99.9～99.99的工业铟为原料,做了试生产工作,获得了99.999％的高纯铟。我们曾去使用单位征求了部分用户的意见,根据使用单位反映,高纯铟质量尚可,用其所制之原件测试参数均系正常。 1.由铟合金制取高纯铟试验 1.1 试验流程:如图1。 1.2 原理和实践     

99.99999%高纯镓的制备工艺

高纯金属与现代科学技术的发展有着密切的关系。近年来,为适应电子工业飞速发展的需要,高纯金属的研制达到了一个新的水平。其中高纯镓的研制就是为了满足GaAs、GaP等半导体材料的需要而提出来的。由于GaAs、GaP等化合物半导体材料在合成后难于提纯,液相外延时,也要求尽可能纯的镓作溶剂,因此所用原料质量的优劣,在某种程度上影响了这些化合物的特性。由于高纯镓在