高纯金制备技术研究进展

高纯金广泛应用于电子工业等领域,且需求量越来越大。基于对30篇近期文献的分析,综述了高纯金制备技术研究现状,并对主要制备技术存在的优缺点进行了评述。电解法、化学还原法、溶剂萃取法都在相关企业得到了生产应用,但在产品纯度稳定性、原料适应性、生产周期、环境污染等方面存在着不同程度的问题。随着电子工业技术的不断迭代升级,未来对于金纯度要求将会越来越高。因此,还需要进一步研发高纯金的制备技术,研制出更高纯度的高纯金产品。     

离子交换法除去高纯铂中杂质离子的研究

通过理论分析选择具有合适功能基的离子交换树脂用于高纯铂的制备,并对离子交换过程中铂溶液的浓度、pH值对贵、贱金属杂质去除效果的影响进行了研究。研究表明:001×7型强酸性阳离子树脂可以满足酸性条件下对阳离子杂质元素的选择性吸附;当铂浓度为50 g/L,在pH=1.5时K、Ca、Si、Pb等贱金属杂质得到去除,在pH=3时Au、Ag、Ir、Pd等贵金属杂质除去效果良好。提纯后的氯铂酸经化学沉淀、煅烧得到了纯度为99.999%的高纯铂。     

钌物料溶解技术研究进展

含金属钌的物料难于溶解,如何将其转入溶液是钌冶金、化学中的难题。综述了目前在用的各种钌物料的溶解方法,并对其优缺点进行了分析。熔融法、氯化法和预处理活化-溶解法是目前生产中的常用方法,可以处理批量物料,但存在溶样时间长、环境污染大和引入新的杂质等不足;电化学溶解操作简便、不引入污染,但溶解效率不高;碱性加压、酸性加压、微波消解和臭氧溶解等技术溶解速度快、引入杂质少,但是对设备和容器耐高温、高压、强腐蚀的要求很高,还难于实现批量物料的溶解。     

冶金法制备太阳能级多晶硅的研究进展

与改良西门子法、新硅烷法、流化床法等化学方法制备太阳能级多晶硅相比,冶金法制备太阳能级多晶硅是解决光伏产业原料供应不足、降低成本的重要途径.阐述了冶金法制备太阳能级多晶硅过程中去除冶金级硅中金属和非金属杂质的基本原理,介绍了冶金法制备太阳能级多晶硅技术的研究进展情况.     

蒸发材料用高纯金的制备研究

采用盐酸+氯酸钠溶解-沉淀除杂-选择性液相还原-煮洗等联合工艺制备蒸发材料用高纯金并进行应用性能分析。结果表明,溶解后的金溶液采用氢氧化钠调整溶液pH值去除部分杂质元素;金溶液采用还原剂选择性还原;得到的金粉用稀硝酸、盐酸煮洗,获得纯度99.999%以上,碳和硫含量均小于1×10~(-6)的高纯金;以制备的高纯金为原料加工的蒸发材料清洁性好,可作为集成电路芯片制造用蒸发材料。     

含铱废料直接制备高纯铱粉的研究

采用碱熔融活化溶解-氯化铵沉淀-硫化沉淀-氧化再沉淀-煅烧氢还原-混酸煮洗联合工艺,用铱废料直接制备高纯铱粉。结果表明,含铱废料经碱熔融水浸、王水溶解,得到的铱溶液通过氯化铵沉淀、硫化沉淀除杂,氧化再沉淀、煅烧-氢还原得到的金属铱经混酸煮洗,进一步去除杂质元素,获得纯度99.999%的高纯铱粉。     

不锈钢复合板制备技术研究进展

叙述了目前不锈钢复合板生产的主要制备技术,分析了其技术及其界面特点,对制备中的复合界面结构及强度问题进行探讨,最后对该不锈钢复合板制备技术的发展方向提出建议.     

注射成形用金属粉末的制备技术研究进展

概述国内金属粉末的的制备技术和研究进展,重点介绍注射成形用金属粉末的技术要求和主要制备技术。分析未来国内工业生产注射成形用金属粉末的发展方向,并提出等离子体技术将成为生产MIM用金属粉末首要考虑的方法。     

电子行业用高纯钯的制备研究

高纯钯在电子行业等领域应用广泛,需求迫切。以氯化钯为原料,提出采用氯化铵沉淀-氨水配合联合工艺净化钯溶液,水合肼还原纯净钯溶液制备高纯钯。结果表明,固体氯化钯溶解后,在合适的条件下,该钯溶液经过氧化-氯化铵沉淀、氨水配合有效去除杂质元素,获得纯净二氯四氨合钯溶液,再经水合肼还原后,获得纯度99.999%高纯钯,其碳、氧、氮等杂质元素总含量小于355×10^-6。     

钼粉制备技术的研究进展

钼粉是制备钼及钼合金制品的原材料,钼粉的质量对钼制品有着重要的影响。而钼粉的质量与钼粉的制备技术息息相关。本文在查阅大量文献的基础上综述了钼粉制备技术的研究进展。主要介绍了传统钼粉、纳米钼粉、高纯钼粉及球形钼粉的应用领域、制备现状及存在的问题。     

高纯钴的制备

对目前高纯钴的制备方法进行了综述和评价。制备高纯钴的冶金工艺过程主要包括萃取法、膜分离法、离子交换法、电解法、区域熔炼法等，这些方法在除杂方面发挥着不同的作用。溶剂萃取法对大多数金属离子有很好的效果，但对Ni，Cu，Zn等金属离子的分离效果相对较差；膜分离法存在稳定性差、成本高的缺点；离子交换和萃取色层法对分离性质相近的元素有较好的效果，但存在容量低等问题；区域熔炼过程可以去除金属钴中的碱金属、碱土金属和气体杂质，并有利于生成纯度高、RRR值大的完整钴单晶。在总结上述各方法特点的基础上，提出了制备高纯钴的合理工艺。     

高纯铁制备技术综述

本文介绍了溶剂萃取、离子交换、电解精炼和区域熔炼等冶金提纯方法在高纯铁制备过程中的应用。采用溶剂萃取法和离子交换法,可以除去溶液中的大多数金属杂质,得到纯度为4N的高纯铁溶液。通过氢还原或电解精炼,可进一步去除杂质元素并获得纯度为6N的金属铁材料。区域熔炼法可对铁进行进一步精炼,使纯度达到极限。对不同的原料纯度以及不同的产品纯度要求,采用的工艺方法也有相应的变化,但一般采用几种方法相结合的工艺路线制备品质优良的高纯铁。     

高纯金属铒的制备工艺研究

高纯金属铒是多种功能材料的原材料,其纯度对材料性能有较大影响,结合稀土金属制备工艺,系统研究高纯金属铒制备工艺,为工业生产提供依据。分析氟化铒等原料物像对还原过程的影响,确定最佳还原工艺条件:还原剂过量10%,1570℃保温10 min,金属收率大于95%,分析不同设备对金属纯度的影响,高真空和清洁蒸馏环境的钽片炉多次蒸馏可制备99.9904%(质量分数)的高纯金属铒。     

ICP-MS法测定高纯铂中18个痕量杂质元素

试样用盐酸-硝酸溶解,采用反应池技术消除复合离子对Cr、Si元素的干扰,Pt对Au元素影响采用反应池技术与等效法扣除,以内标校正法直接测定其它15个元素。优化选择了测定同位素和内标元素,考察了基体效应对测定结果的影响,建立了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定高纯铂中18个痕量杂质元素含量的方法。被测元素的检出限为0.0031~1.16 ng/m L,样品的加标回收率在85.7%~119.8%之间,相对标准偏差(RSD)为1.76%~4.50%。方法可以满足4~5 N高纯铂产品的测定要求。     

球形高纯氧化铝粉体的制备

以硫酸铝铵和碳酸氢铵为原料,采用碳酸铝铵热解和摩擦球化相结合的方法制各球形高纯氧化铝粉体.研究了前驱体碳酸铝铵(AACH)合成过程中反应初始时间、反应体系pH值等因素对AACH球形颗粒形貌的影响,以及AACH焙烧过程中Al2O3物相的变化情况.研究表明反应初始时间过短或过长、反应体系PH值远离AACH等电点均不利于得到球形度好的、粒径大小均一的AACH球形颗粒.研究结果显示在反应初始时间55 h、反应pH7.0±0.2时制备的前驱体为平均粒径9.42 μm、大小均一、松装密度0.49 g/cm3、安息角38.5°的流动性极好的AACH球形颗粒,经1200℃,30 min焙烧得到平均粒径8.74μm、大小均一、松装密度0.35 g/cm3、安息角52.3°的球形高纯α-Al2O3粉体.     

高纯金属镝的制备

为制备高纯度稀土金属Dy以适应高科技发展的需求,在钙热一次还原法生产的Dy-4,Dy-8的基础上,用中频感应炉进行二次精炼和真空蒸馏,并对工艺进行优化选择得出,二次精炼温度为1450℃,保温40min最适宜;真空蒸馏1500℃～1530℃,保温8h最佳。用此工艺所制备的金属Dy的纯度超过国标高纯度Dy-1和Dy-2的要求,接近国外高纯Dy的先进技术指标。     

高纯W-Si合金粉的研制

以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%以上。采用合金粉烧结的磁控溅射靶材的微观组织、成分均匀分布,解决了W-Si靶材成分难以均匀的难题。     

高纯金首饰的金相试制

采用金相制样的方法对金首饰进行处理,在金相显微镜下可以观察到样品中的异金属夹杂。这一方法可为高纯金首饰检测提供判定依据。     

高纯纳米氧化钽的制备

以自制高纯乙醇钽为原料，通过水解、干燥与煅烧生产粒度约35nm的高纯Ta2O5纳米粉。研究了水解过程中乙醇钽浓度、温度、加料时间对产品粒度的影响以及煅烧温度与时间对Ta2O5晶形的影响。选取水解最佳条件为：乙醇钽浓度1.0mol／L，水解温度50℃左右，加料时间约15min。加完后，搅拌5min，接着加入氨水溶液调节pH值到8～9，同时升温至80℃-85℃保温30min；煅烧温度800℃，时间2h。得到的Ta2O5产品粒度约35nm，纯度〉99．997％。