存储器——M95512：低压串行EEPROM存储器

意法半导体推出两款工作电压为1．8V的512 kbit EEPROM存储器M95512和M24512，这两款器件都采用TSSOP8封装，用于I^2C(智能接口控制器)和SPI(串行外设接口)总线应用。     

超小型封装EEPROM存储器问世

意法半导体（ST）日前推出两款工作电压为1．8V的512kbit EEPROM存储器，这两款器件都采用TSSOP8封装，用于智能接口控制器和串行外设接口总线应用。     

上海复旦微电子股份有限公司推出国内首款1Mbit串行EEPROM面世

上海复旦微电子股份有限公司近13推出国内首款1Mbit串行EEPROM产品～FM24C1024A，成为全球为数不多能够提供1Mbit器件的串行EEPROM供应商之一。并且，由于采用了业界最为先进的EEPROMT艺，使得复旦微电子的FM24C1024A能够提供8引脚TSSOP封装形式，为客户提供低成本、小尺寸、高容量的EEPROM存储方案。     

产品

通用IC微芯科技推出I2C兼容串行EEPROM微芯科技推出的首款8焊盘双排平面无引脚封装的512KB I2C兼容串行EEPROM, 共包括24LC512、24AA512和24FC512三款器件，通过采用该公司先进的PMOS电擦除单元工艺，以0.9mm封装提供高密度和低功耗性能，新器件均具有128字节页写入及在整个阵列中随机读取的功能，其强大的存取线可在同一总线上支持8个器件，最大存取空间达4GB。此外，该新品还具有5ms快速写入速度，时钟速率为400KHz，工作电压为2.5V到5.5V，温度范围为-40℃到85℃。其中，24FC512器件具有超快的速度，在相同电压和温度环…     

关于V系列F-RAM的技术说明

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F.RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02.两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品.     

产品博览

微芯科技首推超薄DFN封装512K位I2C兼容串行EEPROM微芯科技宣布推出业界首款8焊盘双排平面无引脚(DFN)封装的512K位I2C兼容串行EEPROM。新款24LC512、24AA512和24FC512器件采用微芯科技先进的PMOS电擦除单元(PEEC)工艺，以最薄的一种封装(0.9毫米)提供高密度和低功耗的EEPROM器件。DFN封装面积仅为6毫米x5毫米，可帮助设计人员在低窄空间应用中采用512K位串行EEPROM，同时降低系统成本，提高板面积的使用率。嵌入式工业主板HSC-1541CLDN研祥智能股份的HSC-1541CLDN是全功能ISA总线嵌入式工业主板，在这款半长…     

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件

Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口（I2C）的FM24V02和带有串行外设接口（SPI）的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V～3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读／写次数及低功耗等特点．是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256Kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品。     

串行512Kb FRAM

FM25V05是512Kb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读／写次数和低功耗。FM25V05可代替工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器。     

Ramtron新添F-RAM器件FM25V05

Ramtron International公司推出F—RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2．0V～3．6V及具有串行外设接口的非易失性RAM,特点包括快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,是工业控制、仪表、医疗、汽车等应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。     

Maxim推出12位、多奈奎斯特频段DAC

Ramtron International公司宣布推出512 kbits的3V非易失性FRAM器件——FM25L512,带有高速串行外设接口(SPI)。该款器件采用8管脚微型封装,能够提高数据采集和存储能力,并且削减应用成本和PCB空间,应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。     

奇梦达推出DDR366移动RAM

全球领先的创新存储产品企业奇梦达股份公司推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装(FBGA封装),存储容量为512Mb,工作电压为1.8V,符合JEDEC DDR标准。为提高系统制造商对高带宽市场需求的回应,奇梦达率先推出的183MH     

微芯科技首推超薄DFN封装512K位I2C兼容串行EEPROM

微芯科技宣布推出业界首款 8焊盘双排平面无引脚 (DFN)封装的 5 12 K位 I2 C兼容串行 EEPROM。新款 2 4 L C5 12、2 4 AA5 12和 2 4 FC5 12器件采用微芯科技先进的 PMOS电擦除单元 (PEEC)工艺 ,以最薄的一种封装 (0 .9mm)提供高密度和低功耗的EEPROM器件。DFN封装面积仅为 6 mm× 5 mm,可帮助设计人员在低窄空间应用中采用 5 12 K位串行 EEPROM,同时降低系统成本 ,提高板面积的使用率。目前采用微芯科技 12 8K 位或 2 5 6 K 位EEPROM存储器件的工程师们可以保持同样管脚数而采用更高密度的 EEPROM进行设计。该系列器…     

富士通半导体推出宽电压双Flash MCU MB9 5650系列

富士通半导体(上海)有限公司日前宣布推出采用新工艺的宽工作电压、12bit高精度ADC、且带主从I2C控制器的高性价比双FLASH通用8位微控制器MB95560系列。该系列产品包括采用SOP24、TSSOP24、QFN32三种封装形式的24款产品。MB95650系列以8位微控制器F2MC-New8FX家族为基础,采用宽工作电压设计,能在1.8V~5.5V的     

精品展台

微芯片与存储器4M位串行EEPROMAtmel公司推出两款可编程4 兆位3.3V串行配置的EEPROM AT17LV040和AT17LV040A。AT17LV040可存储Atmel FPSLIC可编程SoC系列和高密度Xilinx Virtex或Spartan FPGA的所有配置信息。AT17LV040支持Altera的Apex 20KC FPGA。它们用3.3或5V单电源进行读和写操作。由外部引脚设置的写保护功能,可保护EEPROM阵列的任一部分,这样其余阵列可用于存储应用数据。Atmel保证AT17LV040 EEPROM 10000次的写周期和至少100年时间数据保存。用该公司ADH2200E编程器或其它公司的标准编程器可对器件…     

资讯快报

意法半导体(ST)推出SO8窄型封装的1Mbit串行EEPROM意法半导体推出一款新的1Mbit串行EEPROM芯片,这个型号为M24M01的新产品采用微型SO8N封装,封装外壳宽度仅为150-mil(3．     

意法半导体推出串行EEPROM最小封装

意法半导体(ST)日前推出一个市场销售的最小封装MLP8 2mm×3mm。 这款8引脚的MLP8 2mm×3mm的封装在JEDEC条件下也叫做UFDFPN,甚至比TSSOP8 3mm×3mm小大约60%。 这个8引线UFDFPN8(超薄细节距双平面无铅封装)外壳宽2mm,长3mm,其0.6mm的高度,使之成为空间受到限制的特别是便携设备应用的首选器件。 ST的新MLP封装将使新器件能够装入过去无法装入的极小空间,目标应用包括各种便携设备中的高性能设计,如手机、PDA、数码相机和计算机外设。 (源自“中国电子报”) 意法半导体推出串行EEPROM最小封装…     

微芯科技首推超薄DFN封装512K位I2C兼容串行EEPROM

微芯科技宣布推出业界首款 8焊盘双排平面无引脚 (DFN)封装的 5 12K位I2 C兼容串行EEPROM。新款 2 4LC5 12、2 4AA5 12和 2 4FC5 12器件采用微芯科技先进的PMOS电擦除单元 (PEEC)工艺 ,以最薄的一种封装 (0 .9mm )提供高密度和低功耗的EEPROM器件。DFN封装面积仅为 6mm× 5mm ,可帮助设计人员在低窄空间应用中采用 5 12K位串行EEPROM ,同时降低系统成本 ,提高板面积的使用率。新推出的三款器件均具有 12 8字节页写入及在整个阵列中随机读取的功能。功能强大的存取线可在同一总线上支持 8个器件 ,最大存取空间达 4兆位。新…     

三星推出采用堆栈技术的512MbSDRAM器件

三星半导体公司推出了两款采用堆栈式封装技术的512Mb SDRAM存储器件.它主要应用于高端服务器、基站和网络产品,是唯一的满足1 GB DIMMS要求的产品. 它们采用0.15微米处理技术,具有两种512Mb制式.其中K4S510632B采用4倍制式,而K4S510732B采用8倍制式.两款器件现已投入量产,采用54管脚 TSOP(II)堆栈式封装,工作电压为3.3V,与现有的由K3S560432 (x4)和K3S560832 (x8)构成的256M SDRAM器件相同.它们也兼容于JEDEC PC100 & PC133规范,最大带宽为133MHz(CL=2 或CL=3). 这些堆栈式器件为用户提供了一种更为经济高效、更高存储容量的系统设计,不会对热障和稳定性能造成损害.     

STM8A：汽车电子MCU方案

意法半导体公司推出的STM8A是一款专门用于满足汽车应用的特殊需求的8位Flash微控制器。TM8A8位微控制器STM8AF扩大了微控制器在过程变化中的控制功能,严格执行AEC—Q100汽车产质量标准,实现零缺陷率的终极目标。这些模块化产品提供了真数据EEPROM以及软件和引脚兼容性,适用的程序存储器尺寸范围为8kB～256kB和20引脚-128引脚封装。所有器件的工作电压均为3V-5V,并且其工作温度扩展到了145℃。工艺的变化不影响数据表的电特性和功能特性,客户无需更改软硬件设计。     

意法半导体(ST)宣布先进的非接触性电子护照及身份证解决方案——内置66千字节EEPROM的接触性/非接触性安全IC

安全芯片技术供应商之一意法半导体(纽约证券交易所:STM)宣布该公司开发出世界上最先进的双接口(接触性/非接触性)安全IC。这个叫做ST19WR66的安全IC内置66千字节的EEPROM,能够按照国际民航组织(ICAO)的规定存储生物测量记录和个人信息。ST享誉业界的非易失性存储器技术使我们能够为客户提供可靠性最高的EEPROM存储器,数据保存时间长达10年,特别适合护照类型的应用使用寿命。224千字节用户ROM存储器适合存储操作系统和程序代码;6千字节的用户RAM,再加上先进的8位安全微控制器的处理能力,支持快速的数据处理,符合护照/身份证在…