W6+掺杂对Na0.5Bi2.5Ta2O9陶瓷的结构与电学性能影响

采用传统固相法制备Na0.5Bi2.5Ta2-xWxO9 (NBTO-x,0≤x≤0.05)无铅压电陶瓷,研究W6+掺杂对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响.XRD结果显示,所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,随着掺杂量的增加,样品的正交畸变先减小后增大;W6+掺杂提高了样品的压电与铁电性能,当x=0.03时,...     

溶胶–凝胶法制备(Na0.50+xK0.50-2xLix)Nb0.9Ta0.1O3无铅压电陶瓷及其性能

采用溶胶–凝胶法制备Li+取代(K0.5Na0.5)+及Ta5+取代Nb5+的(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷粉体,采用无压烧结工艺制备(Na0.50+xK0.50–2xLix)Nb0.9Ta0.1O3(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品。研究了前驱体煅烧温度对陶瓷粉体物相组成的影响。分析了不同Li+掺杂量对样品物相组成、微观结构、体积密度及电学性能的影响。结果表明:前驱体的最佳煅烧温度为600℃,通过透射电子显微镜分析陶瓷粉体的粒径为49 nm;不同Li+掺杂量制备的(Na0.50+xK0.50–2xLix)Nb0.9Ta0.1O3陶瓷样品均为正交相钙钛矿结构;随着Li+掺杂量的增加,(Na0.50+xK0.50–2xLix)Nb0.9Ta0.1O3陶瓷的体积密度先增大后减小,介电常数逐渐升高,压电常数先降低再升高,剩余极化强度逐渐升高。Li+掺杂量x为0.04时样品的压电常数(d33=94 pC/N)、相对介电常数(εr=684.33)及剩余极化强度(Pr=98.27μC/cm2)较好。     

CdO基稀磁半导体纳米薄膜的制备及性质

利用水热法和旋涂工艺制备Co2+掺杂CdO基稀磁半导体纳米薄膜,研究样品的微观结构及电磁性能等。结果表明:样品是具有岩盐矿结构的CdO晶体结构,薄膜中粒子的平均粒径约20nm,且随Co摩尔(下同)掺量的增加而减小。样品中Co离子为正二价,属替位掺杂;样品呈现出明显的室温铁磁性,饱和磁矩随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量为4.33%时达到最大值。样品的电导率随Co2+掺量的增加先减小后微弱增大,在Co2+掺量约为6%时达到最小值。磁电阻效应测量结果表明:样品呈现出室温的正磁电阻效应,磁电阻随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量约为7%时达到最大值。利用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)机制、间接超交换机制和直接超交换机制等模型合理解释样品的铁磁性起源和磁电阻效应产生的物理机制。     

Yb掺杂对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷微观形貌及介电性能的影响

采用溶胶-凝胶一步法制备了Yb掺杂锆钛酸钡基陶瓷,陶瓷样品的容温变化率均符合Y5V标准,通过XRD、SEM等分析检测手段对陶瓷样品进行表征。探讨了Yb掺杂量对锆钛酸钡基陶瓷微观形貌、介电常数、容温变化率及介电损耗的影响。研究表明:随着Yb掺杂量的增大,陶瓷的晶粒尺寸有增大趋势,室温介电常数呈现出先增大后减小的变化趋势;当Yb掺杂量为0.06mol%时,陶瓷的晶粒尺寸较小,陶瓷较为致密,其室温介电常数达到最大值18221,介电损耗较小为0.0061。     

Fe_2O_3掺杂BaZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷介电性能的研究

采用传统固相法分别于1250℃、1280℃、1300℃、1330℃下制备了BaZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3+xmol%Fe_2O_3(0≤x≤1.25)陶瓷样品。XRD结果表明,Fe~(3+)掺杂后的陶瓷样品均为钙钛矿结构。SEM表明,掺杂Fe~(3+)后陶瓷的晶粒尺寸减小。随着掺杂量的增加,陶瓷样品的体积密度ρv和介电常数ε先增大后减小,介质损耗tanδ先减小后增大。1300℃烧结,x=1.00%的陶瓷样品介电性能最好,ρv=6.03 g/cm3,ε=4560,tanδ=0.004。     

Nd掺杂钛酸钡基陶瓷的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶一步法制备了Nd掺杂锆钛酸钡基陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征。研究了Nd掺杂量的不同对其微观形貌及介电性能的影响。研究表明:随着Nd掺杂量的增大,钛酸钡基陶瓷的晶粒尺寸增大,介电常数呈现出先增大后减小的变化趋势,介电损耗逐渐减小;当Nd掺杂量为摩尔分数0.07%时,陶瓷较为致密,其室温介电常数达到最大值16032,介电损耗较小为0.0046。     

Zr掺杂对BaTiO3陶瓷微观形貌及性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了锆掺杂的钛酸钡陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对所得锆钛酸钡陶瓷样品进行了表征。系统地研究了Zr掺杂对BaTiO_3基陶瓷相组成、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,锆钛酸钡陶瓷样品均为单一的立方相钙钛矿结构,晶粒大小均匀,随着Zr掺杂量的增加,陶瓷晶粒尺寸先增大后减小,孔隙逐渐增多,介电常数先增大后减小,介电损耗先减小后增大。     

CaSnO_3掺杂BST基介电陶瓷介电性能的研究

采用传统固相法制备了CaSnO_3掺杂(Ba_(0.71)Sr_(0.29))TiO_3(BST)介电陶瓷。研究了CaSnO_3掺杂量对BST电容器介电陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明:随着Ca SnO_3掺杂量的增加,BST陶瓷的相对介电常数(εr)先减小后增大再又减小,介质损耗(tanδ)先减小然后增大,CaSnO_3掺杂后的BST陶瓷仍为钙钛矿结构。当CaSnO_3掺杂量为质量分数6.0%时,BST陶瓷的综合介电性能最好:εr为4963,tanδ为0.0069,ΔC/C为19.69%～-26.18%,容温特性符合Y5V特性。     

Fe掺杂钛酸钡钙材料的制备及性能研究

以BaCO_3粉、CaCO_3粉、TiO_2粉、Fe_2O_3粉为原料,在采用固相反应法于1 020℃常压预烧3 h后,继续在1 260℃常压烧结2.5 h制备了Fe掺杂钛酸钡钙(Ba0.70Ca0.30Ti1-xFexO3)材料,研究了Fe掺杂量(x分别为0、0.002、0.005、0.010、0.015、0.020和0.030)对烧后试样物相组成、体积密度、相对密度、显微结构和介电性能的影响。结果表明:1)1 020℃预烧及1 260℃烧结后试样均由纯钙钛矿组成。当Fe掺杂量x≤0.02时,1 260℃烧结后试样中T、O相共存;当Fe掺杂量x增加到0.03时,则转变为PC、O相共存。2)随着Fe掺杂量的增加,1 260℃烧结后试样的体积密度和相对密度均逐渐增大;O相的平均晶粒尺寸逐渐增大,而T相的平均晶粒尺寸则呈先增大后减小的变化趋势,在Fe掺杂量x为0.005时达到最大的5.56μm;居里温度TC逐渐减小,对应的最大介电常数εmax则呈先增大后减小的变化趋势,在Fe掺杂量x为0.005时达到最大的4 380 F·m-1。     

LED荧光粉的制备与表征

采用固相法合成了YAG:Ce3+荧光粉。对样品进行了X-射线衍射、透射电镜和荧光光谱的表征,考察了助熔剂NH4F的含量、掺杂浓度和烧结温度对荧光粉的结晶度、粒径及发光性能的影响。结果表明,随着助熔剂NH4F浓度的增大和温度的升高样品的结晶更完美,但样品的粒径增大;随着温度的升高激发和发射光谱的最大波长紫移。