固体脉冲三能级激光器的阈值输入能量

当泵浦脉冲宽度t_0远小于激光上能级寿命τ时,三能级激光器的输出能量E_(out)为: E_(out)=v/v_pη_0η_1(E_p-E_(pth))(1)其中,v为激光频率,v_p为工作物质吸收的京浦光频率,η_0为输出耦合系数,η_1为工作     

两中心模型中光折变晶体两波耦合增益系数的温度特性

对两中心模型光折变晶体两波耦合增益系数Γ、总的有效电荷密度Neff和强度特性因子η的温度特性进行了理论研究.在两中心模型中,存在着一个深能级和一个浅能级,这两个能级在带隙之间引起不同的掺杂中心.浅能级的密度MT决定着晶体的温度特性.影响温度特性主要因素是总的有效电荷密度Neff和强度特性因子η随温度的变化关系.结果表明,当MT=0.2×1016 cm-3较小时,在300～400 K的范围内,Neff和Γ随温度的增加而单调增加,而η在不同的光强下温度特性差别较大.当MT=100×1016 cm-3较大时,在上述温度范围内,Neff和Γ随温度增加而单调下降.而η的温度特性表现为当总光强大时,η随温度增加而减小.而当总光强很小时,η随温度的增加而变大.浅能级密度MT的不同是引起Γ温度特性不同的主要因素.这些结果对认识光折变晶体的内部结构是十分有用的.(PB2)     

硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究

本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2.     

超声驻波布喇格调制器零级光衍射效率的计算及其应用

本文给出了驻波布融格调制器零级光衍射效率ηo（△Фm）和ηo（Mo）的两个解析式，由此得到了ηo-△Фm和Mo-ηo两条关系曲线。只要用光功率计测出零级光衍射效率ηo，就能由Mo-ηo曲线得到其调制度的大小。     

利用激光感应瞬态光栅研究超快弛豫现象

文中采用三能级速率方程和Maxwell方程理论导出可调谐激光感应瞬态光栅在第i能级上的衍射效率τi(⊿ω)与能级寿命τi的关系式,并对衍射线型ηi(⊿ω)进行讨论和分析。同时报导了我们对孔雀绿(Malachite Green)水溶液的纵向弛豫时间T1的实验测量结果。     

非傍轴标量衍射光束的能量传输特性

在光束能量传输的分析中,对能量集中度的研究具有十分重要的意义,能量集中度是评价光束质量的手段之一.采用光强的精确定义给出了经圆孔衍射的非傍轴标量光束能量集中度η的精确积分表示.对平面波圆孔衍射的能量集中度η随着衍射孔径ρ0和传播距离z的变化进行了详细的数值计算,结果表明,η随着z的增加只是在特定条件下才单调减小,η随着ρ0的增加不是单调变化,ρ0取某个特定的孔径值时η取得极大值.根据该结果给出了通过控制参数ρ0和z的取值获得光斑最大能量或最大能量集中度的方法.     

两种大带隙的长方晶格二维光子晶体

利用快速平面波展开法研究了两种长方晶格光子晶体,发现它们在高频区都存在大带 隙,经参数优化,原胞结构为“工”字形的光子晶体,最大绝对禁带宽度Δω为0. 1393ωe (ωe =2πc / a, a为晶格常数, c为光速) ,绝对禁带中心频率ωmid为1. 7368ωe ,Δω/ωmid = 8. 02%;原胞结构为“王”字形的光子晶体,最大绝对禁带宽度Δω为0. 1544ωe ,绝对禁带中心频率ωmid为1. 5854ωe ,Δω/ωmid = 9. 74%。     

单斜η-Al11Cr2相的确定

本文用高温快冷的方法得到了Al-Cr二元合金系中η-Al11Cr2相的单晶,综合单晶X射线衍射、选区电子衍射以及高分辨电子显微像等研究方法确认η-Al11Cr2为单斜相,a=1.77348(10)nm,b=3.04555(17)nm,c=1.77344(10)nm,β=91.0520(12)°,空间群为C2/c.通过对名义成分为Al11Cr2的铸锭在不同温度下进行退火处理后的金相分析,首次观察到了包晶反应μ-Al4Cr L(→)η-Al11Cr2,且证实了共析反应η-Al11Cr2(→)μ-Al4Cr θ-Al7Cr的存在.     

范德堡法-阳极氧化剥层技术测量离子注入杂质的深度分布

本文报导一种测量单晶硅薄层杂质分布的技术,即范德堡法和阳极氧化剥层技术相结合的测量法,它能同时测量薄层中多种电学参数的深度分布。作者采用这种技术对注入剂量为3×10~(13)cm~(-2)硼离子注入的硅片做了测量,得出薄层中载流子浓度n_i、电阻率ρ_i、薄层电阻率(ρ_s)_i,单位面积有效载流子数目N_t和迁移率μ_i的深度分布。载流子浓度分布峰值出现在x=0.19μm附近,(ρ_s)随深度增加而增大,N_s随深度增加而减小,迁移率μ_i值分布在100～170(cm~2/V·S)范围内,ρ_i的深度分布在对应于载流子浓度分布的峰值处出现极小值。     

自催化方式制备ZnO纳米线及光致发光特性

采用化学气相沉积法,不用催化剂,在Si(111)基片上制备了ZnO纳米线。扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在100nm左右。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰。室温下光致发光谱(PL)中出现了389nm和357nm的紫外峰以及五个蓝光峰(450,468,474,481和491nm)。389nm峰为自由激子复合发射357nm峰是在LO声子的参与下,自由载流子碰撞形成自由激子过程的发光行为;468nm峰系电子从氧空位形成的浅施主能级向价带跃迁发光;450nm峰系电子从导带向锌空位形成的浅受主能级跃迁发光;474,481和491nm峰是声子伴线。     

低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究

对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.     

Cu:Fe:LN晶体光折变性能的研究

在Fe∶LN晶体中掺进不同质量分数(0.08%、0.12%、0.16%)的CuO以提拉法生长Cu∶Fe∶LN晶体,对晶体进行极化,还原或氧化处理后,对晶体的抗光致散射能力,衍射效率,写入时间和擦除时间进行了测试,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明,Cu∶Fe∶LN晶体全息存储性能优于Fe∶LN晶体。以Cu∶Fe∶LN晶体中Cu作为深能级,Fe作为浅能级,可实现双光子全息存储,且衍射效率不随时间发生变化。     

低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究

对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.     

退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面.     

Ce∶Mn∶LiNbO3晶体紫外记录研究

采用紫外光作记录光在Ce∶Mn∶LiNbO3晶体中实现非挥发全息记录,灵敏度可达0.0803 cm/J,衍射效率(固定)为5.07%,比采用红光为记录光,紫外光为敏化光的非挥发双中心记录方案均提高了50多倍。分析表明,采用紫外光作为记录光,深能级电子被激发比例极大提高,参与光折变过程的电子平均运动周期变短,提高了衍射效率和灵敏度;深浅能级电子光栅的同相位,使得固定空间电荷场变强。文中还研究了退火对记录性能的影响。     

MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长

介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1,表明薄膜的光学质量较高     

一个改进的甚高频注入锁定分频器

本文分析了由差分放大器集成块FZ1C组成的注入锁定分频器的同步带Δω_s,其结果是,它与由振荡器非线性引起的相对幅度A_(0,S)(E)/A_(0,1)(E)成正比。采用了提高谐波环路增益的电阻R_(AB),同步带Δω_s有了明显地改善。利用这一方法,制作了一个2/3甚高频注入锁定分频器,在-40℃到+85℃温度范围内。可以稳定可靠地工作。     

用衍射微透镜列阵提高探测器性能的原理分析

文中研究了用衍射做透镜列阵与焦面探测器相耦合来提高探测系统的能量利用率，从而改善其信噪比等整机性能及轻量化前置光学系统的原理。结论表明，该方法的有效性决定于衍射微透镜列阵的F／＃和衍射效率ηde及其对焦面的能量接收率及kp，F／＃越小，ηde与kp越大，系统性能改善越好。     

LiNbO3:Fe:Ni晶体非挥发全息存储研究

采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3：Fe：Ni晶体全息存储实验．详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度，以及退火条件对记录的影响。结果表明，氧化LiNbO3：Fe：Ni晶体的饱和衍射效率、固定衍射效率和记录灵敏度比其他报道的双掺杂LiNbO3晶体高。结合掺杂能级图，理论分析了LiNbO3双掺杂晶体深陷阱中心能级的相对位置及其微观光学参量对全息记录性能的影响。LiNbO3：Fe：Ni晶体有望成为一种新的高效率非挥发全息存储材料。     

LiNbO_3∶Fe∶Ni晶体非挥发全息存储研究

采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3∶Fe∶Ni晶体全息存储实验,详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度,以及退火条件对记录的影响。结果表明,氧化LiNbO3∶Fe∶Ni晶体的饱和衍射效率、固定衍射效率和记录灵敏度比其他报道的双掺杂LiNbO3晶体高。结合掺杂能级图,理论分析了LiNbO3双掺杂晶体深陷阱中心能级的相对位置及其微观光学参量对全息记录性能的影响。LiNbO3∶Fe∶Ni晶体有望成为一种新的高效率非挥发全息存储材料。