表面活性剂对ZL102表面镍–磷–碳化硅化学复合镀的影响

在酸性化学镀镍液中分别加入阴离子型、阳离子型和非离子型9种表面活性剂,以分散SiC微粒并在ZL102铝合金表面制备性能良好的Ni–P–SiC复合镀层。通过研究表面活性剂对镀液性能和复合镀层表面形貌、显微硬度、孔隙率及SiC复合量的影响,对表面活性剂进行筛选。结果表明,以60mg/L聚乙二醇作表面活性剂时,SiC微粒的分散效果最好,所得Ni–P–SiC复合镀层的孔隙率仅为0.5714个/cm2,显微硬度为729.76HV,镀层中的SiC颗粒细小、分布均匀,复合量达5.00%,综合性能最好。     

聚乙烯亚胺表面改性SiC粉体的流动特性

采用聚乙烯亚胺（PEI）作为表面活性剂对工业用SiC粉体进行表面改性处理,研究了改性前后SiC粉体的流动特性以及PEI加入量和pH值的影响.实验结果表明：PEI加入量为3%（质量分数）、pH值为6.5时,改性后的SiC粉体取得较好的流动特性和较高的饱和吸附量,颗粒分散较好,颗粒尺寸和形状较为均匀.     

苯乙烯-马来酸酐共聚物表面改性SiC浆料的流变性研究

利通过自由基聚合反应,合成了含有苯乙烯-马来酸酐共聚物的改性剂。通过表面改性将上述改性剂接枝在粉体表面,研究了不同因素对改性SiC浆料流变特性的影响。结果表明,表面改性使SiC浆料的粘度显著降低,且浆料呈现出近似Newton流体行为。通过控制影响改性SiC浆料流变性的因素,在改性剂中WD-20与SMA配比为1∶1,改性剂用量质量分数为1%,pH=9,加入分散剂TMAH的质量分数为0.6%的条件下,成功地制备出了固相体积分数为58%,粘度低于1Pa·s的SiC陶瓷浆料。     

苯乙烯-马来酸酐共聚物表面改性SiC浆料的流变性研究

通过自由基聚合反应,合成了含有苯乙烯-马来酸酐共聚物的改性剂.通过表面改性将上述改性剂接枝在粉体表面,研究了不同因素对改性SiC浆料流变特性的影响.结果表明,表面改性使SiC浆料的粘度显著降低,且浆料呈现出近似Newton流体行为.通过控制影响改性SiC浆料流变性的因素,在改性剂中WD-20与SMA配比为1:1,改性剂用量为1、wt%,pH=9,加入分散剂TMAH的量为0.6wt%的条件下,成功地制备出了固相含量为58vol%,粘度低于1Pa·s的SiC陶瓷浆料.     

染料废水中添加剂对角蛋白助剂脱色性能影响研究

研究了染料废水中电解质和表面活性剂对角蛋白助剂脱色性能的影响,结果表明：①电解质的加入,对角蛋白助剂的脱色效果影响微弱,对酸性湖蓝A模拟废水基本无影响;②表面活性剂存在时,对角蛋白助剂的脱色效果影响非常大,当非离子表面活性剂的量〉5 g/L时,活性黄棕KGR模拟废水的脱色率基本稳定在70%左右,但酸性湖蓝A模拟废水脱色率仅为15%左右;当阴离子表面活性剂和两性表面活性剂加入后,脱色率几乎为0。     

离心场强化晶硅切割废料Si/SiC分离过程油水分相

对切割料中Si和SiC的高效分离进行了研究,利用晶硅切割废料中Si和SiC表面性质的差异,向浆料中加入柴油并充分乳化,使SiC吸附在油滴上实现Si/SiC分离,对乳化后的浆料施加离心力强化油水分相,调节浆料pH值改变颗粒表面Zeta电位,调控乳化后的油滴大小,研究了Si/SiC分离效果、分相时间与浆料pH的关系及附有SiC的油滴表观密度与油滴直径的关系,对乳化后的浆料分别施加超重力系数为10, 50, 100, 150和200的离心力,考察了离心时间2 min时的分相效果和Si/SiC分离效果。结果表明,常重力场中,油滴尺寸越小,分相时间越长,但SiC去除效果变好,pH=7时,水相SiC含量为4.23wt%。油滴直径小于64 ?m时,油滴在浆料中不可上浮。离心场中,超重力系数为100, pH=7时,水相中SiC含量为5.47wt%,分相时间由460 min缩短为2 min。通过对离心场中SiC的受力分析解析了离心场中SiC在油滴表面的赋存状态,证实离心场作用下,SiC沿油滴表面向离心力方向移动使油滴对SiC的吸附力减小。     

废水处理中影响气浮效果的因素研究

采用化学气浮法处理模拟浊度废水,考察了水温、表面活性剂的加入量、产气药剂的加入量对处理效果的影响。结果表明,当水温为30℃时,阳性表面活性剂十二烷基苯磺酸钠的加入量为0.07 g,制备气体药剂加入量为25 m L时,气浮效果最好,剩余浊度最低。     

碳化硅-线性低密度聚乙烯导热复合材料的制备与性能

用粉末共混-模压成型法制备碳化硅/线性低密度聚乙烯(SiC/LLDPE)导热复合材料,探讨了SiC和偶联剂处理对复合材料导热性能和力学性能的影响.结果表明复合材料的导热系数随SiC用量的增加而增加,当SiC的体积分数为30.4%时,复合材料的导热系数为0.8233 W/(m·K),为纯LLDPE的2倍多;拉伸强度则随SiC填充量的增加而显著下降.当SiC填充量为一定值时,表面改性使SiC在LLDPE基体中的分散状态得到改善,拉伸强度和导热性能得到进一步提高,当NDZ-105用量为3%质量分数时,复合材料性能最佳.SiC的加人使LLDPE材料由韧性断裂转变为脆性断裂,SiC的加入影响了LLDPE的熔融温度和结晶度.     

基于DIW工艺的PDMS+SiC浆料性能研究

本文采用SiC粉、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、固化剂为原料制备浆料,研究了SiC含量对浆料黏度、流动性和悬浮稳定性的影响规律;采用气动式墨水直写打印设备,探索SiC含量、挤出压力和喷嘴直径对浆料挤出性能的影响规律。结果表明,随着SiC含量的增加,浆料的黏度逐渐增加、流动性逐渐降低。不同SiC含量的浆料在实验范围内均具有较好的沉降稳定性。增大喷嘴直径以及提高挤出压力均使得浆料挤出量增加。当喷嘴直径为0.33mm时,浆料能够稳定挤出。     

十二烷基硫酸钠对非离子表面活性剂CM101浊点的影响

研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)对非离子表面活性剂CM101浊点的影响。结果表明:当SDS加入量为2%时,CM101的浊点提高到59.6℃,达到农药制剂热稳定性的要求。同时,该混合体系满足非理想二元表面活性剂复配增效的条件,表面张力和临界胶束浓度都有明显降低。     

喷雾造粒对固相烧结SiC陶瓷的影响

采用离心式喷雾造粒技术对SiC浆料进行造粒,研究了喷雾造粒对SiC粉体的流动特性、成型行为、烧结性能、力学性能及显微结构的影响机制。研究结果表明:喷雾造粒后,碳化硅粉体流动性得到较大改善,素坯密度增加,微观结构致密;固相烧结后,碳化硅陶瓷的烧结性能提高,陶瓷显微结构得到改善。     

水基SiC浆料的喷雾造粒特性

以水为液体介质,制备分散稳定的水基SiC料浆,并利用喷雾造粒技术对水基SiC浆料进行造粒,研究了碳化硅浆料固含量及喷雾干燥工艺对造粒粉特性的影响。研究结果表明:浆料固相含量对造粒粉体粒径分布影响明显,粉体粒径随固含量的增加而增大。在最佳的干燥工艺条件下,碳化硅粉体流动性得到较大改善,素坯密度增加,陶瓷力学性能提高。     

残余碳对碳化硅陶瓷光学表面加工性能的影响

为深入了解碳化硅陶瓷的光学表面加工性能,采用常压固相烧结法制备了碳化硅陶瓷,在保证致密度的前提下,通过改变碳的含量,研究了残余碳对SiC陶瓷抛光面的表面质量和光学性能的影响。研究发现,C的质量含量为3%～7%时,SiC陶瓷抛光表面的RMS(root mean square)粗糙度均约为2nm。当C含量为3%～6%时,SiC陶瓷抛光表面在400～750nm波段的全反射率、漫反射率和镜面反射率无明显变化;当C含量升至7%时,全反射率稍有降低,漫反射率稍有上升,镜面反射率稍有降低。其原因可能是过多的残余碳引起SiC陶瓷的折射率下降和产生光学散射,最终造成镜面反射率降低。     

表面处理对碳化硅浆料流变性的影响

本文通过对SiC粉体洗涤、表面氧化和聚乙二醇(PEG)包覆等处理后制得的SiC浆料的zeta电位和粘度的测试,研究了表面处理对SiC粉体流变性能的影响.研究表明:通过用酸碱洗涤过后再经过在780℃氧化处理或经PEG包覆所得的SiC粉体,都可以使其浆料的zeta电位的等电点向酸性方向偏移,从而使在pH值为11.8时的电位差大幅度增加,改善了浆料的流变性能.而且用PEG包覆过的SiC粉体浆料的电位差增幅达20左右,使其流变性改善的效果更佳.     

粉体超微化对碳化硅陶瓷显微结构的影响

研究了粉体超微化后碳化硅陶瓷材料显微结构的变化特征 ,分析了超微化处理对碳化硅陶瓷烧结过程及显微结构的影响机理。经超微化处理后 ,粉体颗粒尺寸减小 ,分布范围变窄 ,硬团聚解聚 ,颗粒形状均匀分布 ;素坯均匀性提高 ,坯体烧结温度降低 ,促进了坯体烧结过程 ;陶瓷材料表面显微结构缺陷明显减少 ,获得了理想的显微结构和良好的力学性能     

Experimental additive manufacturing of green body of SiC/Graphite functionally graded materials by stereolithography

Ceramic stereolithography (CSL)-additive manufacturing (AM) technology is used to create a functionally graded ceramic (FGC) green body made of silicon carbide (SiC) and graphite. For the SiC/graphite FGC, the mixing parameters of ceramics powders and ultraviolet (UV) curing resin are improved, and correlations of the resultant slurry curing depth with integrated light intensity are discovered. Therefore, the SiC/graphite FGC-produced green body has no flaws, pores, or cracks on its surfaces. According to the association between cure depth and integrated light density for each slurry's composition, several interfacial collapses discovered in a cracked cross-section might be decreased.     

碳化硅光学镜面加工

简要介绍了碳化硅光学镜面的主要应用领域;碳化硅材料的主要物理特性和几种常用的制备方法;比较了碳化硅材料与其他常用光学镜面介质材料的主要物理性质。介绍了碳化硅光学镜面的光学加工的流程和加工手段;比较分析了碳化硅光学镜面的光学加工过程各个步骤中所应用的磨具、磨料和加工方法。讨论了光学加工过程中各个步骤工艺参数的选择和降低碳化硅光学镜面表面粗糙度的途径。最后,简介了美国、俄罗斯和我国在碳化硅反射镜的光学加工方面所取得的成果。     

SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷的性能研究

以单晶SiC纳米线作为增强体,碳化硅-碳为陶瓷基体,在1550℃下,采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf/SiC).结合X射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析,研究SiC纳米线对复合材料的微结构和力学性能的影响.研究表明:与未加入SiC纳米线的反应烧结碳化硅陶瓷相比,添加SiC纳米线的复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都得到显著的提高,抗弯强度提高了52％,达到320 MPa(SiC纳米线含量为12wt％),断裂韧性提高了40.6％,达到4.5 MPa· m1/2(SiC纳米线含量为15wt％);反应后的SiC纳米线仍然可以保持原有的竹节状结构,且随着SiC纳米线的加入,复合陶瓷的断口可以观察到SiC纳米线拔出现象.但由于SiC纳米线“架桥”的现象,添加过量的纳米线会降低复合陶瓷的密度和限制复合陶瓷力学性能的提高.同时还讨论了SiCnf/SiC的增强机理.     

Low Velocity Impact and Mechanical Behaviour of Shot Blasted SiC Wire-Mesh and Silane-Treated Aloevera/Hemp/Flax-Reinforced SiC Whisker Modified Epoxy Resin Composites

Silicon - In this research the effect of adding silicon carbide nano whiskers (SiCw) into epoxy resin and the impact of reinforcing surface treated SiC wire-mesh (SiCwm) and woven...     

Effect of monomers content in enhancing solid-state densification of silicon carbide ceramics by aqueous gelcasting and pressureless sintering

The possibility of obtaining solid-state sintered silicon carbide (SiC) through aqueous gelcasting using commercial SiC powders was demonstrated. Green bodies were prepared from thixotropic SiC slurries in aqueous medium with optimized pH and solid-loading. The monomer system in gelcasting provides strength to the green bodies through formation of a gel network by polymerization and the carbon from polymeric gel enhances the densification of SiC, thereby avoiding addition of carbon externally to the gelcasting batches. Maximum bulk density of 3.16 g/cm³ (98.4% of relative density) was achieved in gelcast SiC on sintering at 2150 °C in argon atmosphere. The effect of carbon on SiC densification is evinced from the changes in microstructure of sintered SiC with increase in carbon content. The density and microstructure of gelcast and sintered SiC was comparable to that obtained from dry pressing and sintering of additive mixed SiC powders.