刺桐（EryThrina variegata L.）茎尖原形成层细胞壁建构的超微结构研究

形成层与顶端分生组织相比所具有的高度特异性主要表现在 ,它们位于根茎侧面的两种成熟组织之间 ,分化产物是结构功能极不相同的木质部和韧皮部。其形态发生以及细微结构研究近年是受到关注的[1,2 ] 。由顶端分生组织细胞分化到形成层组织的过渡段并不长 ,因此 ,可以认为原形成层细胞有形建成方面的变化是形成层形态发生的起点。在这方面 ,细胞壁构建的报道尚不多[3 ] 。本文选择速生绿化树刺桐 (Ｅ .ｖａｒｉｅｇａｔａＬ .)作材料 ,在ＴＥＭ下观察原形成层细胞壁发育的细微结构特点。材料与方法供试材料采自本校园。取当年生新枝顶端 1ｃ…     

半导体制造设备市场的历史与未来

半导体制造设备市场的历史与未来（一）历史百万美元。来源：ＶＬＳＩＲＥＳＥＡＲＣＨ！ＮＣ．乏Ｅ１６ＣｔｔｏｌｌｉＣＮ６ＷＳ＞１９９６．丑．１．ｐ３０（二）未来来原：ＶＬＳＩＲＥＳＥＡＲＣＨＩＮＣ．’ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＮｅｗｓ，１９９６．１．１．Ｐ３０...     

正常胃,癌旁胃,胃癌组织中神经内分泌细胞的超微结构形态诊断 …

本文应用透射电镜技术对９例正常胃粘膜，２０例新鲜手术切除胃癌及癌旁粘膜的神经内分泌（ＮＥ）细胞进行观察，并与９种激素抗体免疫组化结果进行了对比观察。电镜下正常胃泌酸区（体底）粘膜可见ＥＣＬ细胞、Ｐ细胞、ＥＣ细胞、Ｘ细胞，偶见Ｄ细胞；胃窦粘膜可见Ｇ细胞、Ｄ细胞，ＥＣ细胞。２０例胃癌中含ＮＥ型癌细胞８例，依据ＮＥ颗粒的形态不同可分为三种类型。１６例癌旁粘膜ＮＥ细胞的形态与正常相似，但数量有明显变化。对     

Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面

利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．     

S1240用户计次表乱跳故障的处理

Ｓ１２４０用户计次表乱跳故障的处理．黑龙江省电信技术支援中心聂学春Ｓ１２４０程控交换机的用户计次表若乱跳，即每隔１２小时，用户计次表总在原脉冲数上累加２４０次计费脉冲，并不断打印ＲＲＮ＝７７７（ＣＨＡＲＧＩＮＧ－ＭＥＴＥＲ－ＯＶＥＲＦＬ（７Ｗ）报告：...     

E＿2一HRP与CG－HRP－E＿2方法的对比研究

Ｅ＿２一ＨＲＰ与ＣＧ－ＨＲＰ－Ｅ＿２方法的对比研究王玲，程宝庚，徐维璐，尤志学（南京医科大学，南京２１００２９）（南京医科大学一附院）本文研究者首次将肢体金（ＣＧ）与辣根过氧化物酶雌二醇（Ｅ＿２－ＨＲＰ）结合作为配体，使ＥＲ在电镜下显示，可在亚细胞水...     

Ce_xSi_（1－x）应变层的电和光带隙

Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...     

一种新型的晶体管：沟道基极晶体管

一种新型的晶体管：沟道基极晶体管＝Ａｎｅｗｔｙｐｅｏｆｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＣＢＴ［刊，英］／Ｒａｎｇ，Ｂ．Ｗ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．１９９３，４０（１０）．－１８０５～１８１１介绍了一种沟道基极晶体管（ＣＢＴ）。用一般双极晶体管的...     

用In_（0．5）Al_（0．5）P作发射区的新型GaAs HBT

用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长出了Ｉｎ０．５Ａｌ０．５...     

用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．     

REN是什么

ＲＥＮ是什么马桂林ＲＥＮ（ｐｅｉｎｇｅｒＥｑｕｉｖａｌａｎｃｅＮｕｍｂｅｒ）的意思是等效振铃器数目，用来表示电话机的并机能力。在美国联邦通信委员会（ＦＣＣ）规则的第６８．３１２（Ｃ）部分中有ＲＥＮ的定义。ＲＥＮ由一个无单位的数字和一个字母表示，如１．...     

用有效折射率／有限元法分析脊形光波导及其方向耦合器特性

本文应用有效折射率／有限元法（ＥＩ－ＦＥＭ），计算和分析了半导体（量子阱）脊形光波导的模式特性、模式场分布及其变化规律．检验了ＥＩ－ＦＥＭ的精度，分析了其产生误差的原因．扩展了ＥＩ－ＦＥＭ，将其用于求解耦合波导系统，确定了方向耦合器的耦合特性及其变化规律．     

Eu(DBM)3超细微粒的分形聚集的TEM研究

本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对铕－二苯甲酰甲烷配合物（Ｅｕ（ＤＢＭ）３）在溶液中的分形聚集进行了研究，结果表明：Ｅｕ（ＤＢＭ）３超细微粒在表面活性剂形成的溶胶中，以及在溶胶中长时间静置后，其聚集体均具有分形特征，Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ分形维数Ｄｆ分别为１．６６、１．６８。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

交互式视频通信的发展（续）（英文）

交互式视频通信的发展（续）（英文）Ｊ．Ｄ．ＣａｌｖｅｔＳ．Ｒ．ＴｒｅｖｅｓＷ．Ｖｅｒｂｉｅｓｔ四、ＭＰＥＧ编码ＭＰＥＧ技术最有可能成为世界范围视频信号编码与压缩的标准。除了ＭＰＥＧ１标准，又制定了ＭＰＥＧＺ标准，它使图象质量进一步提高，并支持高清晰度...     

HDSL E1／T1传输系统

ＨＤＳＬ　Ｅ１／Ｔ１传输系统一种高速数字用户线传输系统，其中包括本端、远端传输单元和相关维护接口单元。可无中继地沿一般铜绞合线对传输Ｅ１（２．０４８Ｍｂ／ｓ）或Ｔ１（１．５４４Ｍｂ／ｓ）业务分别达４．６公里（Ｅ１）或５．６公里（Ｔ１），无需拆解桥接抽...     

Si（337）—另一个较稳定的高密勒指数晶面

我们的ＬＥＥＤ实验结果发现：偏离（１１２）约４°的Ｓｔ（３３７）表面，在超高真空中经Ｘｅ离子轰击并加～８００℃退火后，呈现较清晰的（１×１）结构．在同样条件下，Ｓｉ（１１２）表面没有产生好的ＬＥＥＤ图样，从而预料：Ｓｉ（３３７）可能是异质外延ＧａＡｓ和ＧａＰ等极性化台物半导体的好衬底．     

南京理工大学微波工程研究中心

南京理工大学微波工程研究中心ＭｉｃｒｏｗａｖｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＮＵＳＴ南京理工大学（原华东工学院）是全国重点大学，位于六朝古都南京东郊风景区，与中山陵、紫金山天文台、灵谷寺、明孝陵等风景名胜毗邻．校园面积近１７３公...     

Si（337）──另一个较稳定的高密勒指数晶面

我们的ＬＥＥＤ实验结果发现：偏离（１１２）约４°的Ｓｔ（３３７）表面，在超高真空中经Ｘｅ离子轰击并加～８００℃退火后，呈现较清晰的（１×１）结构．在同样条件下，Ｓｉ（１１２）表面没有产生好的ＬＥＥＤ图样，从而预料：Ｓｉ（３３７）可能是异质外延ＧａＡｓ和ＧａＰ等极性化台物半导体的好衬底．     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．