柱坐标系中的驻波-行波边界条件

时域有限差分法模拟中所用的驻波-行波边界条件(STWBC)具有较高的计算效率,且非常易于实现.但此吸收边界条件最初仅用于直角坐标的情形.文章将STWBC扩展到柱坐标的情形与直角坐标的情形一样,柱坐标中的STWBC也在计算域外附加理想导电(磁)壁进行截断,并将边界处的驻波转化为行波,从而模拟行波在无限大空间的传播.文中给出的数值算例证明了此种吸收边界条件的有效性.     

FDTD中的一种新截断边界-STWBC

提出了一种新的截断边界条件：驻波-行波边界条件（STWBC）。这种截断边界条件是基计算域外附加理想导电（磁）壁进行截断,运用反射原理,将边界处的驻波转化为行波,保持计算域内的行波状态,在有限空间内有效模拟出无限大的电磁散射空间。给出了该截断边界条件在FDTD中的差分迭代式,以及三维和三维数值实验结果,并与PML边界进行了比较。由于该截断边界比单向波边界所需计算空间小,数值稳定性好,同时不象PML边界,需要进行场量分离和附加额外的吸收层,因此计算效率较高。     

FDTD中的一种新截断边界-STWBC

本文提出了一种新的边界条件:驻波-行波边界条件(STWBC).这种边界条件是在计算域外附加理想导电(磁)壁进行截断,运用反射原理,将边界处的驻波转化为行波,保持计算域内的行波状态,在有限空间内有效模拟出无限大的电磁散射空间.文中给出了该边界条件在FDTD中的差分迭代式,以及二维数值实验结果,并与PML边界和单向波边界进行了比较.由于该边界比单向波边界所需计算空间小,数值稳定性好,同时不象PML边界,需要进行场量分离和附加额外的吸收层,因此计算效率较高.     

Mur吸收边界条件的校下

本文分析了Ｍｕｒ吸收边界条件产生误差的原因，讨论了用散射中心法校正Ｍｕｒ吸收边界条件的问题，以二维情况下线源的辐射及方柱形导体的散射问题为例进行编程计算，且与未校正的同阶和高阶近亿的Ｍｕｒ吸收边界条件作了比较，证明该方法是有效的，最后提出用坡印亭矢量的来校正Ｍｕｒ吸收边界条件的思想。     

电磁散射问题中的阻抗边界条件及表达阻抗

比较详细地阐述了用于电磁散射计算的阻抗边界条件，指出标准阻抗边界条件、广州义阻抗边界条件及精确阻抗边界条件的应用范围，讨论了表面阻抗的各种表示式，上述问题对散射场的计算是非常有用的。     

时域有限差分法分析平面周期性结构电磁特性

本文阐述了如何用时域有限差分法分析平面周期结构的电磁特性.FDTD方法与周期性边界条件、吸收边界条件结合,构成分析各种周期性结构电磁特性准确、有效的通用工具.但为了在时域表示宽带信号的周期性边界条件,必须引入辅助场量并加以适当变形才可建立时域迭代式.文中以平面双周期频率选择表面为例,给出了计算思路和结果.     

多波束抛物环面天线的最小二乘拟合测量

导出了多波束天线的几何方程，讨论了坐标测量系统的原理、最小二乘法拟合计算方法，导出了观测点法方向误差计算公式，计算了观测点法向误差及均方误差。最后还提出了控制多波束天线边界条件的必要性。     

关于FDTD中驻波-行波边界条件的讨论

本文对文献〔1,2〕中提出的“驻波 行波边界条件”的适用范围及误差产生的原因提出一些不同的意见 ,并推导出对误差的修正因子。分析结果表明 ,该边界条件仅适用于波垂直或近似垂直入射于截断边界的情况。     

Mur吸收边界条件的校正

本文分析了Mur吸收边界条件产生误差的原因,讨论了用散射中心法校正Mur吸收边界条件的问题,以二维情况下线源的辐射及方柱形导体的散射问题为例进行编程计算,且与未校正的同阶和高阶近似的Mur吸收边界条件作了比较,证明该方法是有效的,最后提出用坡印亭矢量的方向来校正Mur吸收边界条件的思想.     

介质涂覆电大复杂腔体散射的快速求解

利用腔体涂覆层是薄层损耗介质的情况,引入阻抗边界条件求解腔体的介质涂覆区域.详细推导了快速多极子方法结合迭代物理光学法和阻抗边界条件的混合计算公式.在此基础上利用前后向迭代方法加速收敛.计算结果表明该方法比IPO FMM方法有效地减少了迭代次数,能够对腔体涂覆材料的电磁参数、腔体涂覆部位进行优化设计,对开口腔体的RCS减缩提供理论参考.     

一种有效的吸收边界条件及其应用

从二维波动方程出发 ,经过相关理论分析 ,充分利用其内含的局域性特点 ,得出了局域边界条件 ;并把它和Mur二阶边界条件相比较 ,发现从理论到数值仿真 ,新边界条件都比Mur二阶边界更有效。而且 ,和Mur二阶边界条件相比 ,它只增加非常少的计算量和计算机内存。最后 ,应用新边界条件来模拟平面波在多层媒质中的传播 ,发现新吸收边界更适合解决此类问题     

广义正交坐标系下FDTD算法的吸收边界条件

本文由广义正交坐标系下的波动方程，通过微分算子的分解得到两个单向波方程，利用差分析似方法得到广义正交坐标系下Ｍｕｒ二阶吸收边界条件，并与文献结合给出了直角和圆柱坐标系下的Ｍｕｒ二阶吸收边界条件进行对比和补充。     

宽角抛物方程在阻抗边界条件下的应用

对抛物方程中的伪差分算子进行Feit-Fleck宽角近似处理,分析了这种近似所带来的误差;详细阐述了阻抗边界条件下求解这种宽角抛物方程的分步傅立叶变换方法,并以此计算了海平面上电波传播情况,与窄角抛物方程及几何光学双射线模型的计算结果进行比较,说明了这种宽角抛物方程在阻抗边界条件下计算较大仰角电波传播问题是可行的.     

一种新的吸收边界条件及三维微波结构的FDTD分析

本文基于Ｚ－变换域上导出的一种新的有效的吸收边界条件和ＦＤＴＤ法对三维微波无源集成结构进行了分析。与Ｍｕｒ吸收边界条件、色散吸收边界条件等相比,这种新的吸收边界条件更精确有效。相应的软件可应用于复杂三维微波集成结构等效网络参数的精确快速提取。     

数值吸收边界条件在OSRC方法中的应用

本文引入一种数值吸收边界条件,将其应用于解决开放空间电磁散射问题的表面辐射条件法(OSRC)之中。本文使用这种边界条件对理想导电及均匀电磁可穿透材料圆柱散射体的表面场进行了数值计算,并与使用二阶微分算子B_2型的吸收边界条件的结果作了比较。所有结果说明,这种数值吸收边界条件特大大改善OSRC方法的精度。     

时域MEI方法在矩形导体柱散射问题中的应用

本文用时域有限差分法（FDTD）模拟二维矩形导体柱的电磁散射场，采用时域不变性测试方程（MEI）作为吸收边界条件对该散射场进行求解。将所得计算结果与截断边界网格点采用Mur二阶吸收边界条件所得的数值结果相比较，两者吻合很好。结果表明使用时域MEI方法作为吸收边界条件能有效缩短截断边界与物体边界的距离，且能得到足够精确的解。