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相似文献
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1.
研究了不同工艺条件下的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)陶瓷超导体的磁化率曲线k(T),发现在Tc以下χ(T)曲线存在两个不同的跳变区:第一跳变区为超导晶粒的Meissner效应;第二跳变区来自晶粒和晶界形成超导连接后的抗磁屏蔽效应。超导相含量可以由第一跳变区的信息量进行估算。  相似文献   

2.
通过观察YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导样品在空气的几种主要组份(氧气、氮气、二氧化碳、水蒸汽等)中磁化率和重量的变化,发现YBa_2Cu_3O_(7-δ)在空气中性能退化主要是由于“碳化”作用所致。尽管热力学分析表明这种“碳化”作用是可以自发进行的,但在干燥状态下YBa_2Cu_3O_(7-δ)实际上并不与Co_2发生反应。因此,水蒸汽的存在是导致YBa_2Cu_3O_(7-δ)在空气中不稳定的根本原因。  相似文献   

3.
采用固态反应法制备了Sr掺杂的PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)氧化物,对其进行了XRD分析和热电性能测试,研究Sr掺杂对其热电性能的影响,结果表明:在x=0,0.25,0.5,0.75掺杂比例范围内,Sr离子很好地进入了PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)的晶格,形成双层钙钛矿结构,没有形成新的杂相;在测温范围内,PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)材料的Seebeck系数均为正值,说明PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)为p型半导体材料;Sr掺杂可以改善PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)样品的电导率,而样品的Seebeck系数随着掺杂浓度增加逐渐降低;Sr掺杂可以改善PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)样品的功率因子,PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)在1073 K有最大的功率因子90μW/mK~2。  相似文献   

4.
一、引 言 最近证实,在Y—Ba—Cu—O体系中,与超导性相关的相为Ba_2YCu_3O_(7-δ)。X射线衍射表明在650℃附近存在四方到正交的相变。中子衍射显示这个转变在δ=0.5时发生,转变温度与外界环境气氛有关。而氧含量对超导电性起着重要作用。因此,研究氧含量和其扩散动力过程,对于从理论上深入研究超导性的机制或从工艺上提高其超异性无疑都有着重要意义。  相似文献   

5.
采用高温固相反应法合成了掺Dy~(3+)的Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2荧光粉,并根据其X射线衍射谱和光致发光光谱对晶体结构和发光性能进行了系统研究。Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2∶Dy~(3+)荧光粉具有磷灰石结构,Dy~(3+)进入晶格后并未引起晶体结构的显著变化。该荧光粉可被近紫外光或蓝光有效激发,在478 nm和571 nm附近产生较强发射峰,呈现出接近白光的黄色光。Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2基质中,最佳Dy~(3+)掺杂浓度为1%。促成浓度猝灭效应的能量传递机制为激活剂间的电偶极-电偶极相互作用。制备荧光粉具有较好的热稳定性,150℃下样品的发光强度保留了室温下的69.6%,其热激活能为0.24 eV。本工作表明,Ba_2La_8(SiO_4)_6O_2∶Dy~(3+)荧光粉具有在近紫外或蓝光激发的白光LED照明器件中的应用潜力。  相似文献   

6.
采用高温固相法合成Sr_(0.97)Eu_(0.03)Si_2O_2N_2和Sr_(0.37)Ba_(0.60)Eu_(0.03)Si_2O_2N_2荧光粉,通过X射线衍射、激发光谱、发射光谱及转换后LED器件的性能等研究了荧光粉的结构、发光性能和稳定性。结果表明:在稀土Eu2+掺杂的Sr Si2O2N2荧光粉中,当部分Sr2+被Ba2+取代后,形成三斜晶系的Sr_(0.37)Ba_(0.60)Eu_(0.03)Si_2O_2N_2荧光粉,激发和发射光谱红移,在近紫外-蓝光区具有更高的激发效率。将2种荧光粉与Ga(N)In芯片封装,Sr0.37Ba0.60Eu0.03Si2O2N2荧光粉转换的白光LED器件,在光效、显色指数和光效维持特性方面均高于Sr_(0.97)Eu_(0.03)Si_2O_2N_2转换的LED器件。  相似文献   

7.
对BaO-Nb_2O_5系统掺Cr_2O_3和NiO,分别成功地合成了新化合物Ba_6Cr_4Nb_(12)O_(42)和Ba_6Ni_(2.67)Nb_(13.33)O_(42).研究了它们的部分化学和物理特点.X—Ray衍射分析确定了Ba_6Cr_4Nb_(12)O_(42)属六方晶系,空间群为P_(6_3)/mcm,晶胞参数a=b=9.03(1)(?),C=12.001(5)(?);这两种新化合物的x-Ray粉末衍射图谱也成功地被指标化.  相似文献   

8.
本文采用了差热分析、电阻跟踪和X射线衍射分析方法,对从草酸盐生成YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导相的工艺进行了研究。实验结果表明:在空气分的情况下,780℃开始固相反应并有新的化合物生成。升温到850℃YBa_2Cu_3O_(7-δ)生成四方相-Ⅰ,930℃转变为四方相-Ⅱ,在降温到650℃时,四方相-Ⅱ直接转变成正交性较好的超导相。四方相-Ⅰ和四方相-Ⅱ的转变是不可逆的。830℃~850℃间烧成的样品Tc_90K,但致密性较差;850℃~930℃间烧成的样品其Tc均低于85K;930℃~940℃间烧成的样品Tc>90K,致密性好。  相似文献   

9.
为降低Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)(BST)微波介质陶瓷的烧结温度,研究了B_2O_3掺杂对其烧结性能、物相组成、显微结构及介电性能的影响。结果表明:少量B2O3的引入未改变陶瓷的晶相组成,主晶相为Ba_(6-3x)Sm_(8+2x)Ti_(18)O_(54)固溶体,适量B_2O_3不仅能显著地降低BST陶瓷的烧结温度至1180℃,而且能提高其介电性能;随着B_2O_3添加量的继续增加,有烧绿石结构的Sm_2Ti_2O_7相出现并逐渐增多。当B_2O_3添加量为0.25 wt%,在1180℃温度烧结3 h时,BST陶瓷获得优异的微波介电性能:ε_r=76.58,Q·f=6794.24 GHz,τ_f=-7.06×10~(-6)/℃。  相似文献   

10.
谷荣彩  叶丽萍 《精细化工》2020,37(3):540-546
以Cu(NO_3)_2·3H_2O、Co(NO_3)_2·6H_2O、Ce(NO_3)_3·6H_2O和(NH_4)_2CO_3为原料,采用共沉淀法-浸渍法结合的制备方式,制得逆负载型уCe O_2/Cu_χCo_(1–χ)O_δ催化剂(у=0、5%、15%、25%;χ=0~1.0;δ=1.0~1.4)。通过XRD、BET、H_2-TPR、XPS考察了Cu O和Co_3O_4质量比[m(Cu O)∶m(Co_3O_4)]、表面Ce O_2负载量(у)(以Cu_χCo_(1–χ)O_δ质量为基准,下同)对逆负载уCe O_2/Cu_χCo_(1–χ)O_δ催化剂催化氧化CO性能的影响。结果表明,15%Ce O_2/Cu_(0.2)Co_(0.8)O_δ[m(Cu O)∶m(Co_3O_4)=0.2∶0.8]催化剂催化性能最佳。常压下,当反应温度为75℃时,CO转化率可达100%。由于15%Ce O_2/Cu_(0.2)Co_(0.8)O_δ比表面积较大,两相界面较多,进而使得Ce O_2与Cu—O—Co固溶体相互作用较强,表面存在较多的氧空穴、Cu~+和Co~(3+),催化剂还原温度较低,催化活性较好。  相似文献   

11.
本文扼要介绍新的超导氧化物陶瓷的进展。着重介绍Ba_2YCu_3O(7-x)的晶体结构、相组成、性能,讨论影响其超导性能的因素。  相似文献   

12.
本文叙述用常规的陶瓷制备工艺获得取向度≥90%的高度整体织构的YBa_2Cu_3O_(7-δ)陶瓷超导体的方法,并详细讨论了预烧、成型、烧结等工艺条件对试样织构化程度的影响。发现预烧条件对织构化程度的影响最为重要。通过充足的预烧获得尺寸大、结晶完整的板状YBa_2Cu_3O_(7δ)晶粒是取得高织构程度的关键。  相似文献   

13.
闻差热分析和X射线衍射方法研究了BaCuO_2-YCuO_(2.5)赝二元系相平衡关系。体系被Y_2BaCuO_5和CuO之间的二元连线分开,生成了两个新的化合物:YBa_2Cu_3O_(7-δ)和Y_2BaCuO_5,且YBa_2Cu_3O_(7-δ)是由包晶反应形成的,包晶温度为1020℃±3℃,包晶反应为:Y_2BaCuO_5+L(?)YBa_2Cu_2O_(7-δ),存在两个共晶反应:即在925℃±3℃的条件下,Y_(1.6)Ba_()1-4CU_3O_y发生共晶反应: L+Y_2BaCuO_5(?)YBa_2CU_3O_(7-δ)d+CuO+Y_2BaCuO_6 在1050℃±3℃的条件下,Y_(2.4)Ba_(0.6)Cu_3O_y发生共晶反应: L+Y_2O_3(?)Y_2BaCu_6+YCuO_(2.5)+L  相似文献   

14.
本文描述了利用失重测量和EDTA滴定方法对Sr(Fe_(1-x)Nb_x)O_(3-δ)陶瓷系统当X取不同值时,非化学计量比参量δ的数值进行实验测定的过程和方法。  相似文献   

15.
采用高温固相法在还原气氛得到(Ba_(1-x)Me_x)_(1.95)Si O_4:0.05Eu(Me=Ca,Mg)荧光粉。采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、元素分析仪、荧光光谱仪对样品进行分析,结果表明:Ca~(2+)、Mg~(2+)在Ba_2Si O_4相的固溶度分别为10%(摩尔分数,下同)和30%,其对应荧光粉比Ba_2Si O_4:Eu在紫外激发绿色荧光亮度有明显提高(365 nm激发下亮度为Ba_2Si O_4:Eu的110%、140%,254 nm激发下则为105%、125%)。(Ba_(1-x)Ca_x)_(1.95)Si O_4(0.1x≤0.3)为T相而非Ba_2Si O_4相,故离子半径与Ba~(2+)更接近的Ca~(2+)反而比Mg~(2+)在Ba_2Si O_4相的固溶度更低;Ca~(2+)、Mg~(2+)在Ba_2Si O_4中固溶,使得晶格参数略微减小,且b比c减小更快,即Ca~(2+)、Mg~(2+)更倾向取代9配位Ba~(2+)(II)而非10配位Ba~(2+)(I);固溶有利于粉末结晶状况提高(衍射峰增强、半峰宽变窄)。Eu~(2+)(I)比Eu~(2+)(II)对绿光贡献更大,Ca~(2+)、Mg~(2+)可促进Eu~(2+)(I)/Eu~(2+)(II)比值提高。Eu4d高分辨光电子谱表明,Ca~(2+)、Mg~(2+)对Eu离子的价态无明显影响。由此可见,Ca~(2+)、Mg~(2+)固溶可提高Ba_2Si O_4相粉末结晶程度、促进Eu~(2+)进入发光效率更高Ba~(2+)(I)位置,同时不影响Eu~(2+)的价态稳定性,是固溶提升Ba_2Si O_4:Eu荧光粉发光性能原因所在。  相似文献   

16.
在Ba_2B_5O_9Cl-NaF体系中,采用高温溶液法生长出了尺寸为7mm×5mm×3mm的透明Na_3Ba_2B_6O_(12)F晶体,并对其进行了X射线衍射(XRD)图谱和红外光谱分析;晶体的电子能带结构和态密度的理论计算结果说明Na_3Ba_2B_6O_(12)F化合物的间接带隙大小为4.646eV,吸收系数计算结果表明其紫外吸收边为4.654eV。  相似文献   

17.
通过高温固相法制备了系列Ba_2ZnW_(1-x)Mo_xO_6:Eu~(3+),Li~+红色荧光粉,研究了Mo~(6+)离子掺杂对样品的晶体结构以及荧光性能的影响。结果表明:部分Mo~(6+)离子取代W~(6+)离子后,样品的激发波长发生红移,最大激发波长从316 nm转移到373 nm,使得样品能有效地被近紫外光(350~420 nm)激发。Ba_2ZnW_(0.6)Mo_(0.4)O_6:Eu~(3+),Li~+在373 nm波长的激发下,所得的荧光强度最强。Eu~(3+)离子的特征跃迁仍以~5D_0→~7F_1(598 nm)跃迁为主,但~5D_0→~7F_2(615 nm)跃迁得以加强。通过其发射光谱计算所得色坐标为(0.6385,0.3611),接近标准红色色坐标。Ba_2ZnW_(0.6)Mo_(0.4)O_6:Eu~(3+)Li~+作为红色荧光粉在被近紫外激发的白光LED中具有很好的应用前景。  相似文献   

18.
采用固相烧结法制备(1–x)Li_(1.0125)Mg PO_4–x Ba_3(VO_4)_2复相陶瓷,研究了Ba_3(VO_4)_2掺杂对复相陶瓷相组成、烧结特性、显微组织和微波介电性能的影响。结果表明:(1–x)Li_(1.0125)Mg PO_4–x Ba_3(VO_4)_2陶瓷中仅存在Li_(1.0125)Mg PO_4和Ba_3(VO_4)_2相。Ba_3(VO_4)_2的添加能明显降低Li_(1.0125)MgPO_4陶瓷的烧结温度。随着Ba_3(VO_4)_2含量的增加,复相陶瓷的相对介电常数ε_r逐渐增大,品质因子Q×f逐渐减小,谐振频率温度系数τ_f由负值逐渐变为正值。通过调节x值,可获得近零的τ_f值。0.5Li_(1.0125)MgPO_4–0.5Ba_3(VO_4)_2复相陶瓷经875℃烧结2 h后具有最佳微波介电性能,即ε_r=9.72,Q×f=57 347 GHz,τ_f=-1.9×10~(-6)/℃,是一种极具潜力的低温共烧介质材料。  相似文献   

19.
以BaCO_3和TiO_2粉末为原料,采用传统固相反应法制备Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷。以BiCl_3、Zn(NO_3)_2、H_3BO_3溶液为前驱液,通过液相法引入Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3(BZB)助烧剂以降低Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷的烧结温度代替直接混合Ba_2Ti_9O_(20)和BZB粉末。结果表明,液相法引入0.3 mol/L BZB溶液,1150℃烧结3 h所得Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷介电性能最佳(ε_r=37,Q_f=23485 GHz),优越于固相混合法所得最佳介电性能(ε_r=34,Q_f=16985 GHz)。  相似文献   

20.
报道了一种制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导陶瓷的方法—部分熔融法。在无温度梯度条件下可使超导晶粒有序排列。根据磁化强度测量结果按Bean模型推算,在77K零磁场下磁化J。可达20000A/cm~2。  相似文献   

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