集成型三氧化锡纳米棒酒精传感器的自组装研制

为了有效提高酒精传感器的探测灵敏度,通过热蒸发SnO2和活性炭的混合粉末的自组装方式直接在Cd-Au梳状交叉电极上制备了一层SnO2纳米棒气敏层,从而构成了SnO2纳米棒气敏传感器,经测试,此传感器对于超低浓度范围(2×10-6～10×10-6)的酒精具有0.83～1.33的高探测灵敏度.继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度(低于得拜长度)等角度解释此传感器对超低浓度酒精具有高气敏特性的原因.     

集成型二氧化锡纳米棒酒精传感器的自组装研制

为了有效提高酒精传感器的探测灵敏度,通过热蒸发SnO2和活性炭的混合粉末的自组装方式直接在Cd-Au梳状交叉电极上制备了一层SnO2纳米棒气敏层,从而构成了SnO2纳米棒气敏传感器,经测试,此传感器对于超低浓度范围（2×10^-6～10×10^-6）的酒精具有0．83～1．33的高探测灵敏度。继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度（低于得拜长度）等角度解释此传感器对超低浓度酒精具有高气敏特性的原因。     

自组装型SnO_2纳米线超低浓度H_2传感器的研制

采用FESEM及气敏传感器测试系统,研究了用自组装方式制备的SnO2纳米线气敏传感器的氢敏特性。结果表明:在工作温度为200℃时,对于超低浓度[(2~8)×10–6]的氢气具有0.58~1.00的探测灵敏度及3 s的响应时间和10 s的恢复时间。继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米线的优良的比表面特性及其尺度(30~40 nm)低于德拜长度(43 nm)等角度,解释了此传感器对超低浓度氢气具有良好气敏特性的原因。     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用;详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响,通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数;利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理;展望了SnO2气敏传感器的发展前景.     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用；详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响，通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数；利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理；展望了SnO2气敏传感器的发展前景。     

正交氧化钼传感器的制备和硫化氢气敏性能研究

利用水热法制备了α-MoO_3纳米棒传感器材料,进而制备了α-MoO_3纳米棒粉末的平面型气体传感器,并基于CGS-1TP智能气体检测分析系统研究了其对H_2S气体的气敏特性。结果表明:制备的α-MoO_3材料结构呈现棒状形态,平均长度和宽度分别约为300 nm和100 nm。制备的α-MoO_3纳米棒传感器对体积分数为20×10~(-6)的H_2S进行气体响应测试的最佳操作温度为180℃,对应的气体响应值为14.92,响应和恢复时间分别为7 s和11 s,同时对体积分数为10×10~(-6)～100×10~(-6)的H2S表现出较高的线性度和优异的稳定性。     

CuO纳米空心球的制备及其NO_x气敏研究

为了制备高灵敏度、快速响应、高选择性的室温NO_x气体传感器,采用简单的一步液相回流法合成出CuO纳米空心球气敏材料。通过XRD、SEM等表征手段对所合成材料的结构和形貌进行研究。结果表明,制备的CuO是由层状纳米片CuO组装成的直径约为500 nm的中空球状颗粒;将其作为电极材料组装成气敏元件,其在室温下对NO_x表现出很好的气敏性能:该材料对体积分数100×10~(–6) NO_x的响应时间为2.5 s,灵敏度可达70.96%;对NO_x最低检测限为体积分数2×10~(–6),灵敏度为13.23%。     

CuO纳米空心球的制备及其NO_x气敏研究CSCD

为了制备高灵敏度、快速响应、高选择性的室温NO_x气体传感器,采用简单的一步液相回流法合成出CuO纳米空心球气敏材料。通过XRD、SEM等表征手段对所合成材料的结构和形貌进行研究。结果表明,制备的CuO是由层状纳米片CuO组装成的直径约为500 nm的中空球状颗粒;将其作为电极材料组装成气敏元件,其在室温下对NO_x表现出很好的气敏性能:该材料对体积分数100×10^(–6) NO_x的响应时间为2.5 s,灵敏度可达70.96%;对NO_x最低检测限为体积分数2×10^(–6),灵敏度为13.23%。     

介孔SnO_2的制备及气敏性能研究

采用CTAB模板法制备了具有介孔结构的SnO2。通过小角X射线衍射,BET法对其进行了表征。采用静态配气法对介孔SnO2的气敏性能进行了研究。结果表明:随着煅烧温度的升高,介孔SnO2的比表面积从105.54m2/g降到38.11m2/g。通过延长陈化时间和进一步水热处理可以增加介孔SnO2材料的比表面积。气敏测试表明:在4.5V加热电压下,气敏元件对体积分数为50×10-6酒精蒸气有较好的气敏性能,灵敏度为9.4,响应-恢复时间均为8s。     

SnO2纳米棒的制备及其气敏特性研究

利用室温固相反应方法,合成了SnO2纳米颗粒前驱物。在NaCl+KCl熔盐介质中,于660℃下焙烧前驱物,合成了SnO2纳米棒。利用TEM、XRD和XPS对SnO2纳米棒形貌、成分进行了表征和分析。结果表明,SnO2纳米棒直径为20~30nm,长度从几百纳米到几微米。以SnO2纳米棒为原料,制备了厚膜气敏元件,在工作温度为300℃左右时,元件对乙醇具有较高的灵敏度、好的选择性和响应恢复特性。     

磁约束放电稳定性气体动力学的研究

分析了磁约束激光放电的气体动力学过程,对放电空间气体绕磁场轴切向旋转速度进行了推导计算,阐述了这种气体旋转流动对稳定激光放电的作用机制。     

混合流动气体腐蚀试验探讨

气体腐蚀防护对电子产品的电性能及可靠性具有至关重要的影响。混合流动气体腐蚀试验,是一种评估电子产品材料和元器件的抗腐蚀能力的有效手段。该文基于Yamasaki制造的GH-180型气体腐蚀试验设备,探讨了一些种类的气体腐蚀的作用机理和影响试验结果的一些因素,重点分析了试验过程的关键要点,以保证试验的连续性、准确性和安全性。     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响。对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。     

半导体代工厂的特气供应系统探讨

对在半导体晶圆代工厂中应用的特种气体及气体的不同特性进行了分类和讨论,进而对特种气体在晶圆厂的主要供应流程及其要点进行了阐述,并且对在晶圆厂有着重要作用的关键管件及重要设计进行了探讨.     

程氏循环,天然气分布式能源的新选择

论述了燃气轮机的发展历史,提高燃气轮机发电功率和效率的途径,STIG循环式燃气轮机系统的优点和国内研究现状。应用STIG循环的分布式能源系统对于我国天然气分布式能源系统建设来说是一个新的良好选择。采用STIG循环系统建设天然气分布式能源项目,原理技术可行,节能减排效果明显。     

密封元器件的残余气氛分析

简要介绍了密封元器件内部残余气氛分析的概念,以及生产厂家和使用方了解产品内部残余气氛分析的意义和作用。如何进行内部气氛分析,了解残余气氛可能造成的失效模式。如何进行产品的工艺调整,改进生产工艺以控制水汽含量,有助于提高密封元器件产品的质量和可靠性水平。     

集成电路生产中废气的污染及治理

介绍集成电路生产中产生各种废气的种类,废气中有害物质浓度及其危害性,并依据工程实践,评述了各类有害废气的各种处理方法。     

低费用烟气净化新技术

我国控制大气污染的主要任务是减少烧煤的SO_2和NO_x的排放。为减少我国SO_2排放和在2000年把SO_2的年排放量控制在1995年水平,需要做很大的努力和综合治理。应该在燃烧前对原煤进行洗选,以脱除所含的黄铁矿;采用掺有脱硫剂的型煤和增设能脱硫的循环流化床锅炉,易于实现且能更大量减少SO_2排放的是在烧煤发电厂装设烟气脱硫装置。为了减少烧煤设备的烟气脱硫装置的投资和运行费用,应开发新型的低费用脱硫(SO_2)和脱硝(NO_x)技术,例如烟气脱硫剂内循环技术和各种低NO_x煤粉燃烧技术。     

基于MEMS技术的微型气相色谱柱的研究进展

微型气相色谱柱是基于MEMS技术的微型分析化学器件,主要用于混合化学组分的分离,采用MEMS技术制作的微 型气相色谱柱在体积上得到了极大的缩小,便于集成到便携式设备中,其次,微型器件带来更小的热容量,因而能在更小的功 耗下获得更快的升温速率,从而加快了分析速度,进而改进了器件的整体性能.针对MEMS微型气相色谱柱的研究...