电沉积法制备镉靶

对加速器生产111In所用镉靶制备工艺进行了研究.通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素,确定了最佳工艺条件.所研制的镉靶厚度大于57 mg/cm2,表面光亮、致密、牢固.     

电沉积法制备铁靶

对加速器生产同位素＾５６Ｃｏ所用铁靶的制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Ｆｅ靶层质量,电流效率的各种因素,确定了最佳工艺条件,制备出了质量厚度大于５０ｍｇ／ｃｍ＾２表面光亮,致密的Ｆｅ靶。     

电沉积法制备加速器生产109Cd用Ag靶

采用电沉积法对加速器生产109Cd所用Ag靶的制备工艺进行研究。实验研究了电沉积过程中影响Ag靶层质量及厚度的主要因素,确定了Ag靶制备工艺条件和工艺参数:ρ(Ag )=20~50 g/L,ρ(KNO3)=10~30 g/L,φ(NH4OH)=0.1~0.2;电流密度10~15 mA/cm2,电沉积时间2~3 h,室温。用此工艺条件制备出靶厚大于100 mg/cm2、表面光滑、镀层致密的Ag靶。     

同位素Ni靶膜制备工艺研究

对同位素Ｎｉ靶的制备工艺进行了研究。通过对电沉积过程中影响靶膜生长质量的因素与靶膜厚间的关系实验，确定出最佳制备工艺条件。用最佳工艺条件制备出了品质优良的大面积Ｎｉ同位素自支撑靶膜。     

Cyclone-30加速器照射用铑靶的研制

研究采用脉冲电镀法制备加速器辐照用铑靶.讨论了脉冲电镀的主要参数、镀液中离子浓度、酸度、温度对镀层质量的影响.确定了脉冲电镀工艺参数,成功地制备适用于生产103Pd的Cyclone-30加速器照射用铑靶,镀层厚度大于150 mg/cm2.     

电镀法制备富集112Cd靶

针对CS-30加速器制备高放射性核纯度¹¹¹In（≥99.9%）所用富集¹¹²Cd靶的电镀工艺进行了探索,首次根据加速器束流轰击径迹（束斑）实现定向区域电镀,在此基础上,对影响富集¹¹²Cd靶质量及厚度的各种因素进行研究,确定最佳工艺条件,最终所得富集¹¹²Cd靶表面光亮、致密、牢固,厚度大于65 mg/cm²。同时初步探索了富集¹¹²Cd靶厚与产额的关系,当富集¹¹²Cd靶厚为90 mg/cm²时,¹¹¹In产额为222 MBq/μA·h。     

6 加速器生产加^109Cd用Ag靶制备

Ag靶用于加速器生产^109Cd，核反应为^109Ag（p，n）^109Cd。本工作采用电沉积法制备Ag靶。通过对影响电沉积Ag靶层质量及厚度的各种因素的实验，确定了Ag靶制备工艺条件如下：ρ（Ag^＋）=20～50g／L，ρ（KNO3）=10-30g／L，φ（NH4OH）=0．1～0．2。用此工艺条件，制备出质量厚度大于100mg／cm^2、表面光滑、镀层致密的Ag靶。     

电沉积法制备233U同位素靶

对影响电沉积铀的主要因素进行了试验和讨论；用α能谱法分析了靶样品中的成分，提出了在较薄铝箔（９μｍ）上一次沉积厚度达８－１５ｇ／ｍ＾２的２３３Ｕ的制备工艺。     

脉冲电镀与直流电镀制源技术研究进展

近年来，为了研究重元素的化学行为，锕系靶被用来合成多种重元素的富中子同位素。自上世纪70年代以来，制备此类用于裂变截面测量或加速器轰击的锕系元素靶，大多采用分子镀技术。传统的分子镀技术均使用直流电源。为克服传统直流电沉积方法的不利因素，制备厚度与牢固度更高的锕系元素靶，我们对脉冲电沉积制靶技术进行了研究。     

水溶液体系制备铀电镀靶

对影响电沉积铀的主要因素进行了试验和讨论,在电沉积法制备铀靶的初期实验中,选用不锈钢作为电沉积铀的靶片,用UO2(NO3)2和(NH4)2C2O4作为镀液,pH值为2~3。对影响电沉积铀的主要因素进行了试验和讨论,并用分光光度法分析了电镀残液中的铀含量,最终制得的铀靶的沉积厚度达到8~10mg/cm2,镀层牢固、均匀,电镀效率大于80%。