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用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。 相似文献
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我们用低温(T_g=589℃)液相外延生长技术二成功地制成了具有多量子阱有源层的1.3μm InGaAsP/InP双异质结构激光器.薄外延层的厚度小于De Brogile(德布罗意)波长.激光器的阈值电流为19mA,外微分量子效率为~40%,在—5℃~20℃范围内的T_0值为~145K;在20~70℃范围内的T_0值为~60K. 相似文献
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研究和分析了温度对GaAIAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。实验结果表明:在-40℃~ 40℃范围内,随着温度的升高,激光器串联电阻下降率9.6×10~(-3)欧姆/℃,阈值电流变化率0.54mA/℃,激光峰值波长向长波漂移率2.78(?)/℃,外微分量子效率保持不变;在20~70℃范围内,阈值温度系数I_(th)(70℃)/I_(th)(20℃)约1.3,特征温度T_o约202℃,外微分量子效率不变。最高连续工作环境温度可达150℃。阈值电流变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上还相当稳定。本文还研究了自脉动和功率扭析现象等。 相似文献
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采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高SMSR大于38dB.线宽△v为30MHz.单纵模产率Y_(SLM)48%.70℃环境下通电100mA连续24小时老化后,阈值电流变化率△I_(th)/I_(th)(20℃)≤10%,SMSR未劣化.该DFB激光器首次在国内实用化五次群光纤通信系统(传输码635Mb/s、RZ)上实现70.7km普通光纤无中继传输. 相似文献
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<正> NJU7662是一种新型电压反转IC,输入正电压V_(IN),输出为负电压(-V_(IN))或两倍的正电压(2V_(IN))。该器件的特点是:工作电压范围宽(4.5~20V);电压转换率高(空载时可达99.9%);功率转换率高(可达96%);外围元件少;静态电流小(6V以下时最大值为150μA,6V以上时最大值为600μA);输出电流可达20mA;功耗为300mW;工作温度范围为-20~+70℃。 相似文献
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在n-InP衬底或GaInAsP波导层上,使用氩离子激光器全息曝光方法刻制二级光栅,进行低温液相外延生长.再利用已有的DC-PBH激光器的制作工艺技术,构成了分布反馈双沟道平面掩埋异质结激光器(DFB-DC-PBH LD).15℃连续工作最低阈值电流为63mA,典型值70-120mA,线性输出光功率大于4mW,外微分量子效率为5~8.3%,主模波长λ温度漂移系数△λ/△T为0.8~1.0A/℃,静态单纵模较好,在400Mbit/s,700Mbit/s和1.4Gbit/s,20mA脉冲电流随机码调制下,单纵模工作稳定.相同条件下,DC-PBH LD单纵模明显变为多模或跳模. 相似文献
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研制了1.52μm InGaAsP/InP双有源区复合腔结构的动态单纵模激光器,采用了双沟道平面掩埋异质结构来达到横向电流限制,制成的激光器20℃下阈值电流25—50mA,最高激射温度为80℃,线性输出功率>10mW,单面微分量子效率>20%,用565M bits/s、2~7-1位伪随机码调制,偏置电流由I_(th)~3I_(th)均能保持稳定的单纵模输出,其中谱线半宽为0.7±0.01A,纵模抑制比可达25dB(300:1)以上. 相似文献
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1.3μm波长InGaAsP/InP DC-PBH低阈值激光器的液相外延生长 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述了用于制作1.3μm波长InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC—PBH)激光器的液相外延生长方法,着重讨论了在非平面结构上进行液相外延生长时所遇到的问题及解决措施。采用阳极氧化处理,用InP、Sn合金熔液盖片保护衬底,减少衬底在加热过程申的热损伤等方法获得了高质量的外延片。用该外延片制作的1.3μm波长InGaAsP/InP(DC—PBH)激光器室温连续工作阈值电流最低达9mA,管芯单面输出功率最高达40mW,最高连续激射温度达115℃。 相似文献
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<正> 日本富士通实验室研制了一种发射波长为1.3μm的BH激光器:V形槽衬底BH激光器(VSB)。在这种结构中,有源层埋在衬底上的V形槽内。为了制作这种激光器,研制出一种腐蚀方法,用这种方法在<011>方向上形成V形槽。25℃时CW阈值电流范围在10~20mA。一直到20mW/端面的光功率均可获得稳定的基横模激射。CW激射的最高温度为100℃。纵模是多模,然而其包络半最大点的全宽(FWHW)典型值低于3nm。动态特性呈现出 相似文献
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日本松下公司最近报导了采用LPE制作的1.3μmInGaAsP MQW埋置异质结激光器。MQW由五个InGaAsP阱层(λg=1.3μm,Lz=200(?))和4个InGaAsP势垒层(λg=1.1μm,d~400~600(?))组成。该器件在25℃下的I_(th)=15—20mA,外量子效 相似文献
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报导了发射波长为1.3μm、具有多量子阱有源层的InGaAsP双沟平面隐埋异质结(DCPBH)激光器制作与性能特征。这些激光器在30℃时阈值电流为40~50mA,外微分量子效率50%,在10~60℃温度范围T。值为160至180K。 相似文献
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本文报导了具有双沟道平面隐埋异质结的InGaAsP/InP分布反馈激光器(DFB—DC—PBH LD′S)的激射特性,这种激光器具有端面倾斜和抗反射(AR)涂层结构。1.3μm波段的DFB—DC—PBH LD′S在室温时达到了超过55mw的高功率CW单纵模(SLM)工作和超过105℃时的高温度CWSLM工作,而在2Gb/s高速直接调制下得到了稳定的SLM工作。1.5μm波段的DFB—DC—PBH LD′S也显示出了极好的DFB激射特性,例如高于20mw的输出功率和超过75℃的高温CW SLM工作。也研究了1.3μmDFB—DC—PBH LD′S在实验中所得到的DFB—SLM工作,结果表明这种器件对光纤通信系统的实际应用带来了很大的希望。 相似文献