处理温度对阳极氧化铝模板光致发光性能的影响

采用二次阳极氧化的方法制备出孔径均匀的氧化铝模板，用XRD分析了阳极氧化铝模板在高温下的相转变，结果表明，在800℃温度段非晶态阳极氧化铝模板完全转化纯的γ-Al2O3，在继续升温中发生了δ-Al2O3和θ-Al2O3的一系列转变，最终转变为α-Al2O3。对不同热处理温度下模的板光致发光研究表明，热处理后光致发光强度发生不同变化，当热处理温度〈500℃时随热处理温度的升高光致发光强度增强，当〉500℃则随之减弱。     

衬底温度对PLD方法生长Si（111）基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响

在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法（PLD）在n型硅（111）衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收（FTIR）、光致发光谱（PL）、透射电子显微镜（TEM）和选区电子衍射（SAED）的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响.发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移.     

工艺参数对铝合金CO2激光焊接光致等离子体温度的影响

利用Spectra Pro2500i瞬态光谱仪对6061铝合金CO2激光焊接光致等离子体的发光谱进行了测量,分析得到的200～600 nm范围内的MgI特征谱线,利用玻尔兹曼图法计算得到光致等离子体的平均温度.分别研究了激光功率、焊接速度、焦点位置、辅助气体等工艺参数对光致等离子体平均温度的影响,并对其原因进行了分析.在试验条件下,当激光功率超过材料深熔焊接阈值功率后,激光功率对光致等离子体温度的影响不大,约为6 000 K;焊接速度对光致等离子体温度的影响表现为"倒U形"曲线规律;对于一定内径的辅助气体喷嘴,等离子体温度随辅助气体流量呈现先增加后减小的趋势;在氦气中加入氩气会导致光致等离子体温度升高500～1 000 K左右.     

中频反应磁控溅射制备Al2O3:CeCl3薄膜及其光致发光特性

应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.     

Ce3+掺杂SiO2材料低温处理条件下两光致发光带的比较

采用溶胶-凝胶技术通过添加Ce（NO3）3制备了掺杂Ce3＋离子的纳米SiO2材料,利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱以及电子能谱等研究样品成分,并对不同热处理条件下样品的光致发光性能进行研究.结果表明,低温处理条件下样品中存在一定量的OH羟基,并且样品中的Ce离子主要以Ce^3＋的形式存在.在100-500℃较低温度下热处理的样品中存在两个峰值相近的光致发光带,最大值为344nm和357nm,其对应的最大激发峰分别为226nm和252nm.其中,344nm光致发光带起源于基体SiO2的缺陷中心,而357nm光致发光带起源于Ce^3＋的一种类液发光.     

Zn~(2+)掺杂对共沉淀法制备Ce:Gd_3Ga_3Al_2O_(12)陶瓷粉体闪烁性能的影响（英文）

利用化学共沉淀法制备Zn~(2+)共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn~(2+)共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn~(2+)含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响。研究表明:前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO_3相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20～60nm,分布均匀;随着Zn~(2+)含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn~(2+)含量为0.4 mol%时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn~(2+)掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势。因此,Zn~(2+)含量对Ce:GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义。     

不同衬底上纳米晶WO3薄膜的光致发光特性

以偏钨酸铵为钨源,聚乙二醇(PEG)为聚合物合成前驱体溶胶,分别在FTO导电玻璃、石英玻璃和石墨衬底制备WO3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(LRS)和场发射扫描电镜(FESEM)等手段对薄膜进行结构表征,研究衬底和热处理温度对WO3薄膜光致发光性能的影响,并探讨二者对WO3薄膜光致发光性能的影响机制.结果表明:随着热处理温度的升高,WO3薄膜光致发光性能显著提高;在相同热处理温度下,石墨衬底WO3薄膜具有最强的光致发光性能.     

衬底温度对脉冲激光沉积氧化锌薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。运用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)对衬底温度在300⁷00℃条件下沉积的氧化锌薄膜进行表征,研究了衬底温度对氧化锌薄膜结构和发光特性的影响。实验表明,700℃条件下沉积的薄膜具有相对较好的结晶质量,其X射线衍射峰半高宽(FWHM)最窄,晶粒最大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰的比值显著增强。     

Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶的制备及性能（英文）

通过超声-微波辅助醇盐水解沉淀法合成了Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶。研究了微波辐射功率、微波辐射时间及煅烧温度对产物的影响。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及光致发光谱(PL)等对Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶进行表征。结果表明,在微波辐射功率385 W、微波辐射时间30 min、煅烧温度1100oC条件下,可以获得纯相Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶。当煅烧温度为1100oC时,Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶的合作发光强度均达到最大值。     

Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶的制备及性能

通过超声-微波辅助醇盐水解沉淀法合成了Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶。研究了微波辐射功率、微波辐射时间及煅烧温度对产物的影响。采用X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及光致发光谱(PL)等对Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶进行表征。结果表明,在微波辐射功率385 W、微波辐射时间30 min、煅烧温度1100 C条件下,可以获得纯相Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶。当煅烧温度为1100 C时,Yb:YAG与Nd:YAG纳米晶的合作发光强度均达到最大值。     

金属镍电沉积中枝晶的分形生长

分别采用点电极电沉积和平行板电极喷射电沉积制备二维的镍枝晶,研究外加电压、电解质浓度、温度等对金属镍枝晶二维电沉积生长行为特性的影响,并从分形维数的角度对其进行分析.结果表明,在点电极电沉积时,枝晶的分形维数随外加电压的变化而波动,随NiSO4浓度和试验温度的升高而增大;气泡的析出使上述试验条件对枝晶生长特性的影响变得不明显.在喷射电沉积时,增大NiSO4浓度使气泡析出量减少,枝晶簇的分形维数随之减小,说明在大电流密度下,气泡对枝晶簇生长形貌的影响起主导作用;试验温度从55 ℃升高到60 ℃时分形维数先增加后减小.     

SrMoO4薄膜的化学溶液制备技术和发光性质研究

利用化学溶液技术制备了具有单一白钨矿结构的SrMoO4多晶薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶相结构,用红外光谱(IR)对薄膜的均一性进行了表征,用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察.采用荧光光谱仪测试了所制SrMoO4薄膜在不同温度下的光致发光特性.研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸锶薄膜室温条件下显示出良好的光致发光特性,呈现宽带(～300 nm)的发光特征.另外,光致发光光谱的峰值呈现出明显的温度漂移特性,从511 nm(11 K)变化到484 nm(293 K).此外,本文还讨论了SrMoO4薄膜在闪烁材料和紫外成像薄膜材料方面的可能应用.     

单层氧化锌有序孔膜的制备与性质

采用电化学沉积方法,结合胶体晶体模板,通过循环伏安方法对体系的电化学特性进行研究,获得一种良好的低沉积速度的制备工艺,即通过合适的电位恒电势法,最终获得了单层二维的氧化锌有序孔膜结构.对应于不同的沉积厚度,所得有序孔的形貌也会有所不同.通过扫描电子显微镜对该氧化锌有序多孔膜结构进行了表征,并研究了相应的光致激发特性,二维氧化锌有序多孔膜在384 nm表现出明显光致激发峰,激发峰的位置没有因单层有序孔阵列结构存在而有明显改变.     

MgO单晶一维纳米结构的制备与表征

研究气相法制备MgO一维纳米结构的简单工艺途径.采用直接热蒸发镁粉的化学气相沉积法在不同条件下分别制备了MgO的纳米棒、纳米线、直角网络结构纳米线、晶须等单晶一维纳米结构.温度、氧分压和过饱和MgO蒸气压等参数对形貌具有重要影响.X射线衍射和选区电子衍射确定MgO纳米结构为立方晶系.扫描电镜和透射电镜对不同产物的形貌进行表征,显示其生长受到气一固生长机制控制.光致发光表明MgO纳米线在381 nm处出现强烈的紫色光发射宽峰.     

化学溶液工艺制备多晶钼酸钙薄膜

利用化学溶液途径成功地制备出了符合化学计量比的钼酸钙多晶薄膜.通过旋涂技术将薄膜沉积在Si(100)或载玻片上,并利用SEM技术表征了薄膜的表面形貌,以及薄膜的表面随退火温度变化的特征.X射线衍射结果显示,在溶液中,钼酸钙化合物就已直接生成而不需经过任何中间过程.退火温度对钼酸钙薄膜微观结构的影响研究表明,当退火高于550℃时薄膜的生长具有择优取向特征.钼酸钙薄膜的拉曼光谱测试结果进一步表明了钼酸钙薄膜的四方相结构特征以及薄膜微观结构的均一性.此外,本文还报道了不同温度下测得的钼酸钙薄膜在紫外光激发下的光致发光性质,其研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸钙薄膜具有一个宽的(～200 nm)绿光发射带.     

316L不锈钢在沉积盐碱混合物下的高温腐蚀

对316L不锈钢沉积4.2% NaOH、1.3% NaCl、4.4% KOH、3.7% KCl盐碱混合物后在450 ℃至900 ℃下8 h和1 min高温腐蚀行为进行了试验.探讨了316L不锈钢在沉积盐碱混合物下的高温腐蚀机理,分析了温度、腐蚀介质和氧化膜的稳定性等因素对316L不锈钢腐蚀的影响.结果表明,316L不锈钢在450 ℃至900 ℃的高温腐蚀环境下其腐蚀速率随着温度的上升而增加.     

水杨酸和TbCl3共掺有机改性硅酸盐凝胶的发光特性

研究了共掺不同浓度TbCl3和水杨酸(Sal)的ORMOSIL凝胶的发光特性.结果发现,当固定Sal和TbCl3的掺杂浓度比为31时,样品发光强度随着TbCl3浓度增大呈线性上升,但TbCl3浓度超过2 mol%后,发光强度明显下降.类似地,当Sal浓度固定为1.5 mol%时,在Sal和TbCl3的掺杂浓度比达到11之前,样品的发光强度随TbCl3浓度线性增加,过量TbCl3浓度则导致发光强度下降.而样品经过不同温度热处理后,最大发光强度出现在110℃左右,在更高温度热处理则由于稀土有机配合物的分解而导致发光强度的降低.     

煅烧工艺对YAG:Ce~(3+)荧光粉的显微形貌和发光性能的影响

利用高分子网络凝胶法制备YAG:Ce3+荧光粉,研究了煅烧温度、煅烧时间等对荧光粉的晶化过程、显微形貌及发光性能的影响.结果表明:高分子网络凝胶法可在1000℃煅烧温度下获得晶型完整的YAG:Ce3+荧光粉:随着煅烧温度的升高晶粒尺寸增大,1000℃时平均粒径为50nm,在1300℃时平均粒径为120 nm.随温度的升高和粒径的长大其相对发光强度也逐渐提高;随着保温时间的延长,晶粒变化不大,但发光强度逐渐提高,在400 min时由于Ce离子氧化而发生蓝移.     

沉积温度对硬质合金金刚石涂层附着力影响的研究

采用压痕实验、扫描电镜与激光Raman光谱分析,实验研究了酸浸硬质合金基底上金刚石涂层的附着力随沉积温度的变化.结果表明,涂层质量随沉积温度降低而显著恶化,涂层应力则随沉积温度提高而上升.从提高涂层附着力的角度考虑,存在一个最佳沉积温度.在较低的沉积温度下,涂层自身的质量较低、力学性能较差,在载荷作用下易于破坏.提高沉积温度,涂层自身的质量可得到改善,但基底中的钴向基底表面扩散的倾向加大,而且热应力增大,会严重降低涂层与基底的附着力.除硬质合金基底的预处理工艺外,沉积工艺对金刚石涂层的组织、性能以及附着力均有重要影响.     

CVD温度对钨沉积层组织性能的影响

以WF6和H2为反应气体,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钨涂层.分析研究了沉积温度对沉积层组织、结构、表面形貌及涂层致密度、硬度、耐磨性能的影响.试验结果表明:随着温度升高,沉积速率加快,涂层组织逐渐由柱状晶转变为树枝晶,表面粗糙度显著增加,膜层致密度、硬度下降,耐磨性降低.化学气相沉积钨的最佳工艺温度范围为550～650℃.