共查询到20条相似文献，搜索用时 31 毫秒
1.
2.
富士通公司把快闪存储器和ＦＣＲＡＭ封装在 1个管壳中 ,从而开发出了世界上最小的多芯片封装。在面向携带电话的多芯片封装中 ,装载了快闪存储器和非同步式ＳＲＡＭ ,但是 ,目前所使用的非同步式ＳＲＡＭ的整体容量最大也只是 8Ｍ位。在这次开发的面向携带电话的多芯片封装中 ,把采用非同步式ＳＲＡＭ接口的 16Ｍ位ＦＣＲＡＭ封装于一个管壳中 (它作为采用了ＦｌｅｘＢａｎｋ结构方式的大容量 6 4Ｍ双运算快闪存储器和非同步式ＳＲＡＭ的替代品 ) ,满足了高功能化的携带电话大容量存储器要求。另外 ,通过有效利用ＦＣＲＡＭ的功耗特性 ,能… 相似文献
3.
美国得克萨斯仪器公司开发出了安装面积小于 7ｍｍ× 7ｍｍ的 16位固定小数点ＤＳＰ[ＴＭＳ32 0ＬＦ2 4 0 1Ａ]。据该公司报道 ,该产品是同行业中最小的。封装为 32管脚的ＬＱＦＰ (Ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ)。按照用户要求 ,装载了快闪ＥＥＰＲＯＭ。用于携带型数字设备的电动机控制和传感器等的控制部分。该产品以用 + 3 3Ｖ驱动的 4 0ＭＩＰＳ的ＤＳＰ核 [ＴＭＳ32 0Ｃ2ｘＬＰ]为中心而集成了各类存储器。快闪ＥＥＰＲＯＭ的容量为 8ｋ字。结构为每 4ｋ字为一个字块组 ,共分 2块 ,带有安全代码。除此之外 ,… 相似文献
4.
《微电子技术》2000,(3)
日立制作所已把作为笔记本ＰＣ和手提式信息设备主存储器应用的多芯片封装256Ｍ同步ＤＲＡＭ(ＳＤＲＡＭ)“ＨＭ5225645ＦＥＰ-Ｂ60(×64位结构)”、“ＨＭ5225325ＦＥＰ-Ｂ60(×32位结构)”在工业领域实现了产品化,已开始出售样品。由于采用了在一个衬底上装入4枚芯片的ＣＯＢ技术,所以在一个管壳中实现了多位结构和大容量二者并存的优点。在64位结构产品中将使用4个×16位的64Ｍ位ＳＤＲＡＭ,在×32位结构产品中使用4个×8位的64Ｍ位ＳＤＲＡＭ。据此,存储总线宽度,在64位/32位的系统中以本产品一个就可实现32Ｍ位的存储容量。多芯片封装2… 相似文献
5.
《微电子技术》2000,(1)
东芝公司开发出了用于ＰＤＡ、移动电话等小型移动器材、集中了低压、低功耗、低噪声技术的ＴＭＰ91ＣＷ1 2Ｆ 1 6位ＭＣＵ。形成了新一代小功率 1 6位ＭＣＵＴＬＣＳＴＭ- 90 0 /Ｌ1系列的新Ｌｉｎｅｕｐ。因而实现了理想的低压1 8Ｖ工作、 3Ｖ - 1 6ＭＨｚ时 ,2 5ｍＷ低功耗工作。内置存储器为 1 2 8字节ＲＯＭ/ 4ｋ字节ＲＡＭ、主要规格 :时钟传动装置 /双时钟功能 ,定时器 ( 8位 / 1 6位 /钟表专用 ) ,串行接口 ( 3通道 )、 1 0位Ａ/Ｄ转换器 ( 8通道 )。封装为 1 0 0管脚ＱＦＰ型。TMP91 CW12F低压、低功耗16位微控制器(MCU)… 相似文献
6.
美国ＡＴＭＥＬ公司最近推出首创的可编程的系统芯片ＦＰＳＬＩＣ,此种ＦＰＳＬＩＣ家族系列被命名为ＡＴ９４Ｋ××系列。 作为现场可编程系统级ＩＣ电路,ＦＰＳＬＩＣ电路集成了高性能的用于数据路径逻辑的ＡＴ４０Ｋ的现场可编程门阵列（ＦＰＧＡ）,且每个现场可编程门阵列都带有４～１８ｋ ＡＴ４０Ｋ的静态记忆存储器（ＳＲＡＭ）;１个高性能的用于控制逻辑的带有硬件乘法加速器的３０＋ＭＩＰＳ的ＡＶＲ牌的精简指令集计算机（ＲＩＳＣ）;１个３２ｋＢ的可选结构静态记忆存储器（ＳＲＡＭ）;２个外部用户端口,１个１６位和２个… 相似文献
7.
8.
最近,ＷＳＩ公司推出了微处理器快闪（ＦＬＡＳＨ）家族系列驱动芯片ＰＳＤ８１３Ｆ３、ＰＳＤ８１Ｆ４和ＰＳＤ８１３Ｆ５。该三种芯片均能提供１２８Ｋ系统内可编程（ＩＳＰ）快闪ＮＶＭ,应用于８０５１和６８ＨＣ１１,它们集成了一个３０００逻辑门的ＣＰＬＤ、一个可编程的微控制单元（ＭＣＵ）接口和一个特殊编码ＰＬＤ。由于微处理器不能随时随地把数据写进存储空间,所以８０５１和６８ＨＣ１１与外部存储器的数据交换不尽如人意,唯一的解决方法是不断地切换数据和程序存储器的地址,为此,ＭＣＵ必须不断地读写并进行调测,这样… 相似文献
9.
AMD近日推出首款以5.0伏电源运行的8Mb快闪存储器,使该公司的单电源供应器快闪存储器系列的阵容更为强大。 Am29F080的推出,为用户提供由1～16Mb等不同密度的选择。该快闪存储器以8位元1MB的形式组成。1MB的数据分别存储于16个不同磁区之中,每个磁区为64kB以方便抹除。Am29F080可与JEDEC专为单一电源快闪存储器而制定的软件指令标准完全兼容。 以Am29F080进行设计的用 相似文献
10.
引言ＭＣ６８ＨＣ９０８ＬＪ１２是 Ｍｏｔｏｒｏｌａ即将推出的一款八位单片机,主要特点是片内有 ＬＣＤ驱动模块和 ＦＬＡＳＨ存储器,拟代替今后会逐渐停产的ＭＣ６８ＨＣ０５Ｌ１、Ｌ５、Ｌ１６等型号的单片机。ＭＣ６８ＨＣ９０８ＬＪ１２表面贴封装的芯片具有ＳＣＩ、ＳＰＩ、内置实时时钟模块ＲＴＣ、５１２Ｂ ＲＡＭ以及１２ＫＢ片内ＦＬＡＳＨ等特点,其内置ＬＣＤ驱动模块具有３×２７或４×２６段ＬＣＤ驱动能力。 相似文献
11.
12.
文章介绍一种容量大、用电省、体积小的固态数据记录器，其中使用ＳＵＰＥＲＦＬＡＳＨ存储器和电源变换电路ＭＡＸ７７７，与ＰＣ机并行通讯 相似文献
13.
三菱电机公司研制出了灵敏蓄电池系统(SBS)用的8位微型计算机“M37516F8HP”,现已开始上市。该产品内置5V单电源闪烁存储器(32位),除 相似文献
14.
Ｋ９Ｓ６５０８０Ａ是三星公司生产的快闪存储器,它具有容量大,接口简单等特点。而ＡＤｕＣ８１２是内嵌ＡＣＵ的多通道１２位ＡＤ转换器,文中介绍了一种以ＡＤｕＣ８１２为主,配以Ｋ９Ｓ６４０８Ｖ０Ａ快闪存储器所构成的便携式数据采集系统,并给了同了ＡｄｕＣ８１２与Ｋ９Ｓ６４０８Ｖ０Ａ的硬件接口及软件编程。 相似文献
15.
日本松下电器产业公司已研制成耗散功率为以前/超节能的单片量子Si存储器。采用MOSFET制造工艺和在相同条件下可制作Si量子器件的技术 以及利用Si量子器件负阻特性的低压工作双稳定电路技术。其特征是在同一衬底上实现Si量子器件和MOSFET的混合组装存储电路。工作电压范围为.～.V 为以前的/～/ 若以耗散功率来换算 为以前的/ 另外 可CMOS工作 还开展立体集成化大容量多值存储器件应用的研究 计划在年实用化。 《微电子技术》2001,29(3):22
日本松下电器产业公司已研制成耗散功率为以前 1/ 10 0超节能的单片量子Ｓｉ存储器。采用ＭＯＳＦＥＴ制造工艺和在相同条件下可制作Ｓｉ量子器件的技术 ,以及利用Ｓｉ量子器件负阻特性的低压工作双稳定电路技术。其特征是在同一衬底上实现Ｓｉ量子器件和ＭＯＳＦＥＴ的混合组装存储电路。工作电压范围为 0 2～0 5Ｖ ,为以前的 1/ 15～ 1/ 16,若以耗散功率来换算 ,为以前的 1/ 10 0 ,另外 ,可ＣＭＯＳ工作 ,还开展立体集成化大容量多值存储器件应用的研究 ,计划在 2 0 0 5年实用化松下电器产业公司研制成单片量子Si存储器@一凡… 相似文献
16.
ＯＱＡＭ系统数字化实现一般采用ＦＦＴ加多相网络，提出了一种相邻载频间隔２ｆ０的ＯＱＡＭ等效复系统，并采用样值为Ｗ＾ｋ２Ｎ＝ｅｘｐｊ２πｋ＾２／Ｎ的扩谱调制器（ＳＳＭ）数字实现，ＳＳＭ取代ＦＦＴ，使系统运算复杂性显下降，计算机模拟结果表明，采用ＳＳＭ实现ＯＱＡＭ，可提高系统抗干扰能力。 相似文献
17.
在国际半导体电路评审会上 ,摩托罗拉公司发表了 2 5 6ｋＲＡＭ。本次发表的ＭＲＡＭ ,它是以单管和单磁通道连接所定义的存储单元作为基准的 ,实现了不足 5 0ｎｓ读出 /写入周期时间。存储器结构 16× 16 ,读出时所测定的功耗在 3Ｖ电压下为 2 4ｍＷ。采用该结构 ,实现了具有极高成本竞争力的存储器。当进行高速读出 /写入时 ,实际上 ,读出 /写入周期是无限制的。进而 ,由于它具有较高的成本竞争力 ,人们期望ＭＲＡＭ能够取代除了快闪ＲＡＭ和ＤＲＡＭ等以及最快的ＳＲＡＭ之外的现有存储器技术。该公司在美国的亚利桑那州建立一个 2 0 0… 相似文献
18.
19.
Ｍｏｔｏｒｏｌａ最新推出带快闪(Ｆｌａｓｈ)存储器的微处理器(ＭＣＵ)ＭＣ６８ＨＣ(９)０８ＪＢ８,主要为解决生产商同时需要ＵＳＢ和ＰＳ/２界面的产品而设计,如ＵＳＢ、ＰＳ/２转换器。它亦适用于鼠标,射频(ＲＦ)接收器,机顶盒和电子游戏遥杆等产品。本文介绍利用ＭＣ６８ＨＣ０８ＪＢ８单片机在无线键盘上的应用。 相似文献
20.
松下电气公司微机ＡＭ系列是面向Ｃ语言,从８位到３２位以统一结构设计而展开的一种经济性、高速性两全的高性能、低耗电微机。ＡＭＩ系列可适应一般家电到信息通信领域等各种用户的种种需求。除了少引脚／多引脚、存储器容量不同外,还有内置荧光显示器／ＬＣＤ驱动电路的微机以适应特殊功能。０ＡＭ系列在板上还装有可改写程序的快速存储器。ＡＭＩ系列８位微机具有多功能的外围功能,可安装大容量程序（最大２２Ｋ字节）。内装Ａ／Ｄ变换器的ＭＮ１０１Ｃ２８系列具有ＲＯＭ９６Ｋ～３２Ｋ字节、ＲＡＭ１０Ｋ～１．５Ｋ字节,大小容量一… 相似文献