硅与非硅材料“混搭”难题解决

正美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管,并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称,该技术有望帮助硅材料突破瓶颈,为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。硅是目前最常见的一种电子材料,但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成电路在尺寸上已经小到了极限,这限制了系统运行速度和集成度的提升。此外,     

俄利用有机化学制造微电路元件

正当代硅电子学的发展已接近极限。俄罗斯国立核能研究大学莫斯科工程物理学院的研究人员认为,利用有机化学可制造分子大小的微电路元件,为此,他们对有机半导体分子激励状况进行了模拟。相关研究发表在《物理化学期刊》上。有机电子具有广泛应用前景,因为它是利用可获取的有机原料来制造分子大小的微电路元件,有机材料与生物体标本的内部分子结构近似,所以有机分子和有机电子功能材料     

美首次研制出稳定的单原子层锗

美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。     

美科学家首次研制出稳定的单原子层锗

近日，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。     

紫外激光传输用光纤的研制

对PCVD法制备的纯硅芯、掺氟硅芯、掺锗硅芯以及氟锗共掺硅芯光纤预制棒的芯区进行了紫外吸收谱测试，并考察了248nm紫外激光辐照及热处理后紫外吸收谱的变化。结果表明，纯硅芯深紫外区的强吸收尾部延伸至紫外波段，掺氟后使深紫外段的吸收限向短波方向移动，从而降低了其对紫外波段的影响，辐照后纯硅芯的紫外吸收增加而掺氟硅芯的吸收出现下降。掺锗硅芯、氟锗共掺硅芯中均在240nm附近出现了氧不足锗缺陷（GODC）引起的吸收峰，但后者吸收峰强度明显低于前者，因为氟能与GODC发生反应从而降低了GODC浓度，且氟同时还能愈合GeE’，辐照后氟锗共掺硅芯的吸收改变程度也要低于掺锗硅芯，表明掺氟能降低掺锗硅芯的紫外吸收。     

6nm大小磁纳米点研制成功

美国科学家在纳米点（nanodot）技术上取得重大进步，他们研制出了一个计算机芯片，可以容纳整个图书馆的数据。这些磁性纳米点由一个个无缺陷的晶体制造。研究人员制造出磁性传感器并将其直接整合到一个硅电子芯片上，得到了磁性纳米点。这些纳米点具有统一制成的6nm大小，可进行精确定位，使得程序能够稳定的读写数据。     

美日两大发达国家争夺锂电池市场先机

印刷与电子的结合 印刷电子就是将印刷制造方法应用于电子器件的制造,是继硅基集成电路微电子技术之后电子学领域的一个新的发展方向。将印刷方法成功应用于电子制造涉及5个主要技术领域：基底材料、可印刷电子材料、     

高纯电子级 SiF4 中氟硅醚阻聚剂的设计及其性能

在高纯电子级四氟化硅生产与纯化中,很容易产生氟硅醚杂质,甚至可以与四氟化硅进一步聚合生成氟硅醚高聚物。该高聚物可从胶体迅速聚集成颗粒,很容易堵塞管道和吸附剂,极易发生安全事故。根据硅醚键氟化断裂的化学性质,设计了一系列基于金属氟化物组成的氟硅醚阻聚剂。结果显示,Ag F2阻聚剂具有阻聚热力学效率高、动力学速率快的特点,可以使氟硅醚杂质有效控制浓度在20×10-6以下。四氟化硅重复50次(每次用量10kg)通过Ag F2阻聚剂仍然具有优秀的阻聚性能,故该阻聚剂具有良好的长期稳定性。     

一种低表面能氟硅改性环氧涂层对北原油的防结蜡效果

油田管道防结蜡用单一树脂涂层的附着力、硬度及耐蚀性较差.采用低表面能氟硅改性环氧涂层,并进行防结蜡试验研究,对影响结蜡的因素进行考察,并对防结蜡效果进行评价.结果表明:氟硅改性环氧涂层的防结蜡效果明显优于市售某低表面能涂料涂层;当氟硅聚合物(FS-1)含量5％时,在原油搅拌速度600 r/min,油温40℃,壁温25 ℃条件下,氟硅改性环氧涂层对七里村和英旺原油防结蜡率分别为69.2％和66.8％,而某市售涂料涂层防结蜡率仅为47.1％和45.8％.     

英研究员研制出新一代雪崩光电二极管 可用于下一代信息传输

<正>英国卡迪夫大学复合半导体研究所(ICS)的一个研究小组最近研发出了一种速度超快且超敏感的雪崩光电二极管,相比传统的硅二极管,它的电子噪音更小,有希望成为未来高速数据通信的候选材料。雪崩二极管是一种利用光电效应将光转换为电的元件,根据研究人员的说法,超敏感雪     

氟硅氧烷共聚低表面能杂化材料的研究

通过溶液聚合和溶胶-凝胶法复合工艺,采用甲基丙烯酸十二氟庚酯(FA)为含氟单体、乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)为硅单体和正硅酸乙酯(TEOS)为无机相前驱体直接合成了一种分子级复合,最外层含氟侧链定向于空气,中间层是碳碳主链,底层为硅氧网络结构的氟硅氧烷共聚低表面能杂化材料.结果表明,溶剂含量对含氟侧链向表面的迁移速度以及材料疏水性能有着非常重要的影响.     

碳纳米管非金属掺杂对结构和性能影响的研究

通过讨论氮、硼、硅、氟等非金属原子掺杂的碳纳米管,对场电子发射特性的影响。介绍了掺杂在场电子发射、能源电池、气体传感器等领域的研究和应用。掺杂可以增加碳纳米管的缺陷,改变其电子结构。掺杂可使碳纳米管转变为n型半导体或是金属性导体,将提高场发射性能。同时,掺杂亦可使碳纳米管向P型半导体转变,这将不利于场发射性能改善。当场发射性能随着掺杂浓度升高而提高时,存在最佳掺杂浓度值,一旦超出,则场发射性能逐渐下降。因此,研究碳纳米管非金属掺杂具有重要的应用价值。     

Interox America建成超纯过氧化氢新装置

美国Interox America公司在其得克萨斯州迪尔帕克联合工厂内,建成一套生产超纯电子级过氧化氢的新装置。超纯过氧化氢在半导体器件生产的各工序中用于清洗硅片。需测定的40种金属杂质在新产品中的总含量低于0.1ppm,而在以往的电子级过氧化氢中的含量为1ppm。新工艺是采用硼硅玻璃装置进行第二步纯化蒸馏,全部管道、设备、连接件都是用1,1-二氟乙烯聚合物制造的。最终产品贮存在高密度聚乙烯容器中,使产品自始至终不     

透明的石墨烯薄膜可制成优良的太阳能电池

美国鲁特格大学开发出一种制造透明石墨烯薄膜的技术,这是一种几厘米宽、1-5nm厚的薄膜。石墨烯薄膜是一种平坦的单原子碳薄,可用于取代透明导电的ITO电极用于有机太阳能电池。这些薄膜还用于取代显示屏中的硅薄膜晶体管。石墨烯运送电子的速度比硅快几十倍,因而用石墨烯制成的晶体管工作得更快、更省电。     

“电子墨水”可用于塑料印刷制造廉价电子设备

明尼苏达大学和国家可再生能源实验室（NREL）的科学家们用无毒的纳米尺度硅晶体制造出专用的墨水--“电子墨水”。这种“电子墨水”可用于塑料印刷，从而制造出廉价的电子设备。     

速度接近THz的晶体管问世

伊利诺斯大学制出世界上速度最高的晶体管，其工作频率达845GHz，接近THz（太赫兹，10^12Hz）。这种晶体管是用InP和InGaAs材料制作的，它利用了膺晶渐变基区和集电区，组份渐变增强了电子速度，降低了电流密度和充电时间。除利用膺晶材料结构外，研究人员采用了非常。“精细”的工艺，例如，晶体管的基极只有12．5nm。由于减小纵向尺寸，减短了电子行程因而提高了晶体管速度。在（2006）12月11日-13日召开的国际电子器件会议（IEDM）上公布了这一新成果。近来，又将集电极的尺寸减小，使晶体管充、放电更快。     

硅晶圆磨削减薄工艺的磨削力模型

硅晶圆磨削减薄是一种有别于传统磨削的材料加工方式。磨削减薄过程中,硅晶圆和砂轮同时绕旋转轴旋转,砂轮沿垂直方向连续进给去除材料,其中磨削力是磨削质量的决定性因素。目前,尚缺少一个用于硅晶圆磨削减薄工艺的磨削力预测模型。为了得到磨削力模型,分析了磨削减薄过程中的硅晶圆材料去除机理,将磨削力分为摩擦力和切屑力,考虑了磨粒运动轨迹,分别计算了单颗磨粒在法向和切向上的摩擦力和切屑力,最后基于有效磨粒总数建立了总磨削力模型。模型综合考虑了磨削参数、砂轮和硅晶圆的几何参数和材料性质对磨削力的影响。讨论了砂轮进给速度、晶圆转速和砂轮转速三个主要磨削参数对磨削力的影响,讨论了硅晶圆上晶向对磨削力的影响,给出了磨削力在硅晶圆面上沿径向的分布情况。     

大空间建筑性能化防火设计研究

该文针对大空间建筑性能化防火设计中人员疏散问题,以山东省青岛市某大型商业综合体一期工程为例,采用数值模拟的手段,对火灾发生时最不利工况的人员疏散密度和疏散速度进行求解。结果表明,商场内书店的火灾荷载密度平均值最大(668.70 MJ/m²),其次为服装店(625.52 MJ/m²),最小为玩具店(336.64MJ/m²);在火灾的不同发展阶段,人员疏散密度速度明显不同,初期首层人员疏散较快,火灾上升期上层人员向楼梯口集聚,在火灾高峰期内基本疏散;人员的疏散速度与疏散密度具有明显的相关性,火灾初期疏散速度较大,火灾上升期和高峰期随着人员密度的增加速度有所下降。     

氟硅油的热氧化安定性

研究和讨论了国产含γ-三氟丙基硅氧烷氟硅油基础油的抗氧化性能及不同种类添加剂的作用。结果表明，金属特别是铁的金属有机化合物可以提高氟硅基础油的抗氧化性能，其中硅醇铁化合物与氟硅油还具有较好的相容性。     

新能源材料

正俄美共同研制出新型太阳能电池俄罗斯莫斯科钢铁合金学院和美国德克萨斯大学达拉斯分校组成的国际研究小组,研发出钙钛矿太阳能电池的制造技术。相比传统的硅基太阳能电池,钙钛矿型薄膜太阳能电池的光电转换效率更高,成本更低。研究人员认为,轻便、灵活、廉价的钙钛矿型太阳能电池,将大规模替代硅基太阳能电池。硅基太阳能电池的研究始于20世纪中叶。现有技术的缺陷在于,硅的生产过