溴化银乳剂中甲酸盐掺杂的位置效应研究

使用反馈式微机控制双注仪，在晶体生长过程的不同时刻，加入一定浓度的甲酸盐，制得了一系列甲酸根离子处于不同掺杂位置的立方溴化银微晶乳剂．对其感光性能的测试结果表明，(1)甲酸盐掺杂乳剂与未掺杂乳剂相比，感光度有显著提高；(2)甲酸根的掺杂位置越接近晶体表面，其感光度增益越大；(3)甲酸盐掺杂乳剂可同时与常规的硫加金化学增感和光谱增感进行协同增感；(4)光谱增感后的掺杂乳剂在延伸的光敏区内仍表现出明显的掺杂增感效应，但其增感倍率要低于乳剂在本征光敏区(蓝区)的增感倍率；(5)所有的掺杂乳剂，包括原始、硫加金和光谱增感的掺杂乳剂，它们的灰雾均保持在相当低的水平．     

氯化银立方体微晶乳剂和{100}面扁平微晶乳剂的甲酸盐掺杂增感

将甲酸盐掺杂在乳剂微晶不同位置处，制备成氯化银立方体微晶乳剂和{100}面扁平微晶乳剂．实验发现：作为正空穴捕获剂，适当计量的甲酸盐在不增加乳剂灰雾的前提下，可使上述乳剂的感光度提升3—8倍．甲酸盐在两种晶形乳剂的不同位置掺杂的研究结果显示，甲酸盐均匀掺杂可比表面掺杂获得更高的感光度．在两种乳剂中甲酸盐掺杂增感都可与其后的硫增感、硫加金增感以及光谱增感协同作用，进一步提升乳剂的感光性能．     

草酸根掺杂立方体溴化银乳剂颗粒的增感效应研究

使用反馈式微机控制双注乳化仪，在晶体生长过程中一定时间内，加入一定量的草酸盐，制得了草酸根离子处于晶体颗粒次表面的立方体溴化银微晶乳剂．对其实验过程的考察和感光性能的测试结果表明，（1）草酸根掺杂于次表面的溴化银乳剂与未掺杂乳剂相比较，无论是原始乳剂，还是经过化学增感，或用染料进行光谱增感后的乳剂，感光度都有明显提高（Sd／S0≥1．5），有明显的增感效应；（2）无论是原始乳剂，还是经过化学增感，或光谱增感后的乳剂，草酸根掺杂立方体溴化银乳剂颗粒的灰雾水平都不高；（3）草酸根掺杂立方体溴化银颗粒与甲酸根掺杂的溴化银乳剂相比，产生的增感效应相差不大；（4）与甲酸根掺杂立方体溴化银颗粒相比，草酸根掺杂立方体溴化银颗粒的制备方法明显较前者要简单得多，颗粒形状也优于前者．     

甲酸盐掺杂立方八面体溴化银乳剂颗粒的增感效应研究

使用反馈式微机控制双注乳化仪，制备了甲酸根离子掺杂于颗粒次表面的立方八面体溴化银微晶乳剂，经计算此类颗粒上的（100）面与（111）面之比约为2：3，感光性能测试结果表明，甲酸根掺杂乳剂，无论是原始乳剂，还是经过化学增感，或染料光谱增感后的乳剂，其感光度都要明显高于相应的参考未掺杂乳剂（Sd／S0≈2），而灰雾水平则无明显增长。     

草酸盐掺杂八面体溴化银颗粒乳剂的增感效应研究

使用反馈式微机控制双注乳化仪,在晶体生长过程中一定时间内,加入一定量的草酸盐,制得了草酸根离子处于晶体颗粒次表面的八面体溴化银微晶乳剂。考察其实验过程和测试其感光性能,结果表明:(1)草酸根掺杂于次表面的八面体溴化银乳剂与未掺杂乳剂相比较,无论是原始乳剂,还是经过化学增感,或用染料进行光谱增感后的乳剂,感光度均有明显提高(Sd/S0≥1.8),且其灰雾水平都不高,即具有明显的增感效应;(2)草酸根掺杂的乳剂可以与常规的硫加金化学增感,以及染料光谱增感一同进行协同增感,把乳剂的感光度提高到更高的水平。(3)草酸根掺杂的八面体溴化银乳剂的感光度增益,明显高于草酸根掺杂立方体溴化银乳剂。     

甲酸盐在纳米AgBr／I粒子乳剂中的增感作用

分别以鱼明胶和骨明胶(惰胶)作为分散介质制备了两种不同形貌与粒径的纳米AgBr／I粒子乳剂．利用掺入作为正空穴捕获剂的甲酸盐，可以使本征感光度很低的纳米粒子乳剂的感光度有相当大的提高，显示甲酸盐具有很好的增感效果．对鱼明胶介质中制备的纳米AgBr／I粒子乳剂，甲酸盐掺杂方式不同其增感效果不一样．在乳剂颗粒中均匀掺杂增感效果最好，而趋向于近表面掺杂则增感效果降低，显示出甲酸盐掺杂的位置效应．籽晶掺杂后包壳的复合结构乳剂颗粒与均匀掺杂乳剂颗粒的增感效果近似．对鱼明胶介质中制备的掺杂甲酸盐的纳米AgBr／I粒子乳剂再进行硫增感或硫加金增感，乳剂感光度可进一步提高，表明甲酸盐掺杂与常规的硫增感或硫加金增感有很好的协同作用．     

甲酸和草酸盐掺杂的AgBr乳剂对亲水型PTG材料感光性能的影响

研究了甲酸盐掺杂和草酸盐掺杂对AgBr乳剂和亲水型PTG材料感光性能的影响．实验结果表明，掺杂后的AgBr乳剂在PTG材料中作为光敏元显著提高了其相对感光度，而不引起灰雾的增加；掺杂增感与硫增感、金增感、硫加金增感在PTG材料中同样表现出协同增感效果，使PTG材料的感光度得到进一步的提高；掺杂后的AgBr乳剂在PTG材料中具有一个最佳使用量，即AgBr与硬脂酸银的摩尔比为1：4．     

草酸根掺杂板状溴碘化银颗粒乳剂的增感效应研究

使用反馈式微机控制双注乳化仪,在晶体生长过程中一定时间内,加入一定量的草酸盐,制得了草酸根离子处于晶体颗粒次表面的板状溴碘化银微晶乳剂.对其实验过程的考察和感光性能的测试结果表明:1)草酸根掺杂于次表面的溴碘化银乳剂与未掺杂乳剂相比较,经过化学增感后,或光谱增感后的乳剂,其感光度有明显提高(Sd/S0≥1.5),即具有明显的增感效应;2)无论是经过化学增感,还是经光谱增感后的乳剂,草酸根掺杂溴碘化银颗粒乳剂的灰雾水平都不高.     

AgBrⅠ核壳乳剂的还原敏化与硫加金敏化的协同增感效应

使用微机控制的双注仪和二次乳化方法制备了一系列在AgBrⅠ核内进行不同程度还原增感的溴碘化银／溴化银核壳乳剂．对这些乳剂感光性能的研究表明：1)颗粒内部经还原敏化或Ag2掺杂的乳剂表现出明显的增感效应，颗粒内碘离子的存在并不影响Ag2的增感作用；2)在对乳剂进行了颗粒表面的硫加金增感以后，在一定的DMAB用量下，观察到显著的颗粒内部还原增感和表面硫加金增感的协同增感效应，使乳剂的感光度有了成倍的增长．以上协同增感效应的结果再次说明，颗粒内部的还原敏化中心与颗粒表面的硫加金敏化中心具有两种不同的增感机理，前者捕获空穴，后者捕获电子，两者都有利于提高潜影的形成效率。     

新型亚磺酰胺类化合物作为卤化银乳剂稳定剂的研究

研究了新型亚磺酰胺类化合物与增感染料在实用卤化银乳剂中起增感与防灰雾作用。实验结果表明，在各种组份卤化银乳剂中，乳剂的感光度有明显的提高，灰雾被抑制，或对感光度和灰雾具有一致的理想效果。     

AgBr核壳乳剂的颗粒内部还原增感与表面化学增感的协同增感效应

采用对核颗粒进行还原掺杂和将其包壳的方法制备了一系列不同DMAB用量、内部有还原敏化中心(Ag2)的AgBr核壳乳剂．这些乳剂表现出明显的增感效应．当这些乳剂分别进行表面硫、金和硫加金增感后，一方面表现出明显的协同增感效应；另一方面又随DMAB用量的提高，灰雾明显增长，特别是在金增感和硫加金增感的情况下、此外实验结果还证明，提高核乳剂的包壳速率可以在一定程度上减少核壳乳剂的灰雾。     

传统化学增感对PVA为粘合剂的光敏热成像材料的光敏性的影响

以水性聚乙烯醇(PVA)为粘合剂，以异位法制备的颗粒尺寸为140nm的AgBr乳剂作光敏元，考察了传统化学增感方法对PTG材料的光敏性影响．实验结果表明，分别将经过硫增感、金增感、硫加金增感以及还原增感的AgBr乳剂加入到PTG体系中，均提高了PTG体系的光敏性，而灰雾却没有明显的增长．     

新型中空卤化银颗粒乳剂的制备和性能研究

中空卤化银微晶制备方法已在国内外有关文献中报道[1～7],然而关于中空立方体颗粒乳剂的基本性能及实际应用方面的研究尚未见报道.本文主要制备了中空立方体ＡｇＢｒ(Ｃｌ)乳剂,应用表面显影、化学增感方法,并与立方体ＡｇＢｒ和实心立方体ＡｇＢｒ(Ｃｌ)乳剂进行对照实验,研究中空卤化银微晶的结构和感光性能的关系,证明中空立方体颗粒乳剂的感光性能优于立方体颗粒乳剂.1　实验部分11　中空立方体溴氯化银乳剂的制备在一个装有高速搅拌装置的乳剂锅中,加入一定量预先制备出的立方体氯化银乳剂作核,在60℃、ｐＡｇ值为70时,将硝酸银溶液和…     

新型中空卤化银颗粒乳剂的制备和性能研究：V.中空卤化银T颗粒 …

８０年代以来,许多新型的卤化银微晶已在新开发的各种高质量感光材料中得到应用。近十年来在国内外文献中又出现新型中空卤化银微晶制备方法的报道。本文着重研究一种表面有许多小孔及凹坑的中空卤化银Ｔ颗粒的制备方法和感光性能。由于其独特的孔洞结构,使位错、缺陷增加,填隙银离子浓度增加和电子陷阱增多,潜影形成效率提高,从而达到提高乳剂感光性能的目的。     

立方体溴化银颗粒光谱增感的电子转移超快动力学研究

本文利用皮秒时间分辨条纹相机技术检测了3种染料在立方颗粒溴化银上吸附后形成聚集体的荧光光谱,分析了3种染料在不同染料浓度下对染料聚集体到溴化银导带的超快电子转移过程的影响,进而分析其对增感效率的影响关系,并探讨了增感过程的微观机理.实验结果表明,荧光衰减的动力学曲线与一个双指数函数拟合得相当好,存在一快一慢两个衰减成分,快衰减成分占拟合较大比例,表明其源于与荧光衰减相竞争的从激发态染料聚集体到AgBr导带的电子转移.光致电子转移的速率及增感效率随着染料相对浓度的增加表现出一定的变化趋势,染料浓度增加,增感效率减小.     

硫增感的敏化中心和潜影中心的氧化还原性能的研究

本文采用Ｒｅｉｎｄｅｒｓ的氧化还原缓冲液的方法研究硫敏化的立方体卤化银微晶的敏化中心和潜影中心的氧化还原性能。实验结果表明：１）Ｒｅｉｎｄｅｒｓ的氧化还原缓冲液的方法，不仅可用于研究潜影中心，也可用于研究敏化中心；２）本实验条件下的硫化银敏化中心的氧化还原电位约略负于－２２０ｍＶ（相对于饱和甘汞电极），潜影中心的氧化还原电位值是介于－２２０ｍＶ与－１９０ｍＶ之间（相对于饱和甘汞电极）；３）潜影中心