SMPDP放电单元中荧光粉层对放电特性的影响

本采用流体模型，计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)放电单元的放电特性。研究了放电单元中荧光粉层的厚度对放电过程和着火电压的影响。模拟结果表明，在SMPDP结构中，荧光粉层厚度的变化，对放电过程的影响小于通常的表面放电型，PDP(ACC PDP)。最低着火电压随荧光粉层厚度的不同变化较小。因此，SMPDP结构中，荧光粉层涂敷的不均匀性对放电均匀性的影响小于ACC PDP结构。     

各种结构等离子体显示屏放电过程的研究

采用放大单元的方法研究了表面放电结构、对向放电结构和新型荫罩式等离子体显示屏（SMPDP）的放电过程。分别制作了放大倍数为40的表面放电结构、对向放电结构和荫罩式结构PDP的放大单元。建立了放大单元的光辐射特性测试系统，采用高速ICCD拍摄了相应结构的放电过程并分析研究了各自的放电特性。结果表明，SMPDP的放电过程为非均匀场中的对向放电过程，具有较表面放电结构和对向放电结构更优越的放电性能。     

SMPDP放电单元中荧光粉层对放电特性的影响

本文采用流体模型 ,计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)放电单元的放电特性。研究了放电单元中荧光粉层的厚度对放电过程和着火电压的影响。模拟结果表明 ,在SMPDP结构中 ,荧光粉层厚度的变化 ,对放电过程的影响小于通常的表面放电型PDP(ACCPDP)。最低着火电压随荧光粉层厚度的不同变化较小。因此 ,SMPDP结构中 ,荧光粉层涂敷的不均匀性对放电均匀性的影响小于ACCPDP结构     

基于宏单元实验的荫罩式PDP结构的优化

本文分析了荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的优点和存在的不足,以提高PDP放电效率为目的,提出了非对称SMPDP结构。用宏单元实验研究的方法,比较了两种SMPDP的放电特性,确认非对称结构的红外辐射强度和红外效率比原有结构有较大提高。通过扫描电极结构的优化,使非对称结构的红外效率又有了进一步的提高。     

新型荫罩式PDP单元结构的优化设计

本讨论了新型荫罩式PDP单元结构的变化对放电的影响，从放电强度和放电效率的角度对单元结构进行优化设计。研究了取代介质障壁的荫罩的高度、宽度变化和荫罩内边界形状的变化对放电的影响，给出了不同结构下平均粒子浓度随时间的变化曲线和放电效率的变化趋势。模拟结果表明荫罩边界为内斜式的结构在响应时间、峰值浓度和放电效率上都具有较大优势，是一种较好的单元结构。     

荫罩式PDP单元放电过程中电极电流的模拟

本文采用二维流体模型研究荫罩式PDP(SMPDP)结构放电单元内的放电过程,并在此基础上与表面电荷法结合模拟各电极上的电流.给出了寻址周期和维持周期各电极上的电流变化过程.研究了在不同寻址电压下各电极电流变化情况,分析了电流峰值的大小和电压的关系及到达电流峰值的时间和电压的关系.得到的SMPDP放电单元各电极上电流变化的规律,可用于优化驱动电压波形和改进单元结构.     

新型荫罩式PDP单元结构的优化设计

本文讨论了新型荫罩式PDP单元结构的变化对放电的影响 ,从放电强度和放电效率的角度对单元结构进行优化设计。研究了取代介质障壁的荫罩的高度、宽度变化和荫罩内边界形状的变化对放电的影响 ,给出了不同结构下平均粒子浓度随时间的变化曲线和放电效率的变化趋势。模拟结果表明荫罩边界为内斜式的结构在响应时间、峰值浓度和放电效率上都具有较大优势 ,是一种较好的单元结构     

新型SMPDP菱形单元结构的研究

为了提高等离子体显示单元的亮度和放电效率,本文采用三维流体模型对新型荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的菱形单元结构进行了优化。研究了放电单元中的荫罩小孔结构改变对寻址期和维持期放电的影响。详细分析了小孔取向平行寻址电极和垂直寻址电极条件下电场和壁电荷的分布,以及对寻址时间、真空紫外辐射量和放电效率的影响。模拟结果表明:当小孔垂直寻址电极、长度和宽度分别为240μm和120μm时为最佳结构,通过优化小孔结构可以获得较高的寻址速度和放电效率,又可保证荧光粉的涂覆面积。     

荫罩式PDP扫描电极和荫罩对阳极条纹的影响

本文采用基于动力学模型的OOPIC仿真软件模拟具有不同扫描电极宽度和荫罩结构的荫罩式等离子显示器(PDP)放电单元内的放电过程,分析单元内的条纹数量、分布状态和介质层表面壁电荷分布情况,研究扫描电极宽度和荫罩结构对阳极条纹的影响。结果表明,扫描电极宽度增加,放电单元内的主放电区域增大,条纹可分布空间压缩,条纹现象减弱。大小孔荫罩结构也会使条纹现象减弱。研究发现,荫罩式PDP结构阳极条纹的分布区域与介质层表面电荷积累的范围密切相关,阳极条纹只出现在阳极表面介质层有壁电荷积累,而对应的阴极表面介质层无壁电荷积累的区域。     

基于放大单元的新型荫罩式PDP放电特性的研究

本文采用放大单元的实验方法,设计、制作了新型横直结构及电极结构改进的横直结构放大单元,建立了放大单元光辐射测试系统.在相同条件下比较了不同结构放电单元的红外强度、放电效率,并采用高速ICCD拍摄了相应结构的放电过程.实验结果表明,综合单元结构及电极结构优化的放电单元,其红外强度和放电效率得到了有效提高,有望成为一种较优的荫罩式PDP结构.     

SMPDP等效电路模型的建立

等效电路模型研究方法是继流体力学模型研究方法之后,又一研究等离子体显示屏工作特性的重要手段,建立准确而简练的等效电路模型是实现此研究方法的前提和根本.本文研究了荫罩式等离子体显示屏(SMPDP)放电单元在气体放电前后工作特性的变化,提出了适用于SMPDP的等效电路模型.它主要由电容网络和晶闸管器件组成,能直接应用在电路模拟仿真软件中并得到与实际SMPDP工作特性相似的结果,为今后进一步研究和改进SMPDP提供了简便和有效的途径.     

Spatial and temporal evolution of plasma discharge in a 42-inch shadow mask plasma display panel

A new type of AC PDP with shadow mask (shadow mask PDP, SMPDP) has been presented for its effective structures with lower cost. In order to improve the image quality and reduce the cost further, a single-scan driving scheme is applied to 42-inch WXGA SMPDP. High-speed address is successfully obtained by offsetting the scan voltage from the final voltage of the ramp-down waveform. A new erase pulse is used before the sustain pulses to eliminate the misfiring. The two distinguished characters of the new driving waveform can realize 1.2 μs to 0.9 μs high speed addressing in 42-inch WXGA SMPDP prototypes. New MgO materials and the optimized process conditions provide 50 ns statistical delay time. A high speed image intensified charge coupled device (ICCD) camera and a photosensor amplifier are used to investigate the discharge of the ON and OFF cells in the reset, address, erase-before-sustain and sustain periods. The experimental results demonstrate that the stable high-speed addressing and valid sustaining can be obtained in the new driving waveforms in 42-inch WXGA SMPDP. The experimental results can help us to understand the discharge and help us to optimize the driving scheme of SMPDP.     

两种新型SMPDP驱动波形下的列电压动态范围的研究

荫罩式等离子体显示器(SMPDP)是一种由金属荫罩板代替传统绝缘障壁的新型PDP。本文以42寸SMPDP为实验平台,提出了两种基于CLEAR驱动原理的新型驱动波形:窄脉冲擦除寻址波形、维持斜坡擦除波形,并分别对这两种波形下的列数据电压(Va)的动态范围作了相应测量和分析,从而得出维持斜坡擦除波形在改善SMPDP的发光一致性和均匀性上有明显优势,有助于提高SMPDP的驱动性能。     

Prediction of hopper discharge rate using combined discrete element method and artificial neural network

An Artificial Neural Network (ANN) was developed to predict the mass discharge rate from conical hoppers. By employing Discrete Element Method (DEM), numerically simulated flow rate data from different internal angles (20°–80°) hoppers were used to train the model. Multi-component particle systems (binary and ternary) were simulated and mass discharge rate was estimated by varying different parameters such as hopper internal angle, bulk density, mean diameter, coefficient of friction (particle-particle and particle-wall) and coefficient of restitution (particle-particle and particle-wall). The training of ANN was accomplished by feed forward back propagation algorithm. For validation of ANN model, the authors carried out 22 experimental tests on different mixtures (having different mean diameter) of spherical glass beads from different angle conical hoppers (60° and 80°). It was found that mass discharge rate predicted by the developed neural network model is in a good agreement with the experimental discharge rate. Percentage error predicted by ANN model was less than ±13%. Furthermore, the developed ANN model was also compared with existing correlations and showed a good agreement.     

低能过滤X射线神经网络解谱方法研究

利用神经网络算法实现对PIPS探测器测量得到的低能过滤X射线脉冲幅度谱的快速解谱。首先根据PIPS探测器的计算机断层扫描图像,在MCNP5中建立该探测器的蒙特卡罗(MC)模型。并通过实验、MC效率刻度以及能谱展宽,对该探测器模型进行验证。之后计算PIPS探测器对单能光子(5~30 keV)的响应函数,并将其作为单层线性神经网络的训练数据。使用训练后的神经网络和GRV_MC33程序分别对N10~N30和L10~L30辐射质的X射线脉冲幅度谱进行解谱。结果表明:除N25和N30辐射质外,二者解谱结果相符较好。其解谱结果的差异可能来源于探测器响应函数和GRV_MC33程序解谱方法的不确定度。训练好的神经网络可被移植到微型计算机中,帮助校准实验室实现对低能过滤X射线脉冲幅度谱的快速解谱。     

Formation of a Thin Luminescent Layer in LiF Crystals under Glow Discharge Radiation

The formation of thin layers of luminescent defects on the faces of planar lithium fluoride crystals located in the positive column and Faraday dark space of a glow gas discharge was studied by time-resolved confocal scanning luminescent microscopy and time-correlated single photon counting. The formation of aggregated color centers in the surface layers of crystals was established using the spectral and kinetic characteristics of luminescence appearing after irradiation. The role of gas discharge electrons, ions, and photons in the defect formation mechanism was considered. The defects were shown to be formed under the influence of vacuum ultraviolet (VUV) photons. The VUV radiation intensity distribution in the discharge gap was measured by the method of thermostimulated luminescence. The main source of this radiation was the anodic and cathodic voltage drop regions in a glow discharge.